ARM與聯(lián)電拓展長(cháng)期IP合作伙伴關(guān)系至28納米

　　晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)電)與處理器核心供貨商 ARM 共同宣布，雙方已簽訂長(cháng)期協(xié)議，將提供聯(lián)電客戶(hù)使用經(jīng)聯(lián)電 28納米HPM制程驗證的 ARM Artisan Physical IP 解決方案。

　　聯(lián)電的 28納米 HPM 制程，針對廣泛的應用產(chǎn)品，包含手提式產(chǎn)品，像是手機與無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品等，以及高效能應用產(chǎn)品，像是數字家庭與高速網(wǎng)絡(luò )產(chǎn)品等。結合了兩家公司的優(yōu)勢，此次合作將會(huì )為雙方客戶(hù)帶來(lái)優(yōu)質(zhì)的技術(shù)與支持服務(wù)。

　　“我們很高興聯(lián)電選擇了先進(jìn)的ARM Artisan實(shí)體IP來(lái)支持其28納米HPM制程。雙方客戶(hù)將可以取得完整實(shí)體IP 解決方案，尤其適用于高效能處理器的設計，例如ARM Cortex-A 系列。” ARM 實(shí)體IP 部門(mén)執行副總裁暨總經(jīng)理Simon Segars表示。

　　聯(lián)電負責客戶(hù)工程與IP研發(fā)設計支持副總簡(jiǎn)山杰表示：“此次由聯(lián)華電子贊助的研發(fā)計劃，使我們客戶(hù)能在聯(lián)電多樣化的尖端制程上，采用最完整的ARM實(shí)體IP解決方案，進(jìn)而掌握關(guān)鍵市場(chǎng)先機，達到更快速的產(chǎn)品上市時(shí)程。”

　　擁有HK/MG組件架構優(yōu)異的效能與極低漏電特性，聯(lián)電的gate-last 28納米HPM制程技術(shù)可提供多種不同的組件電壓，內存單元與underdrive / overdrive能力，以協(xié)助芯片設計公司開(kāi)發(fā)出能兼顧高效能與更長(cháng)的電池使用時(shí)間的產(chǎn)品。聯(lián)華電子的28納米HPM制程預計于2012年中進(jìn)入試產(chǎn)。