IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出車(chē)用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內燃機 (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺上的其它重載應用。

　　全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅動(dòng) MOSFET 都為 IR 車(chē)用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設定了導通電阻性能新標準?；鶞蕦娮柙?40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。

　　IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR 全新車(chē)用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車(chē)應用，包括集成式起動(dòng)發(fā)電機和電動(dòng)助力轉向系統應用中實(shí)現基準性能。”

　　所有 IR 車(chē)用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動(dòng)晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經(jīng)過(guò)1, 000 次溫度循環(huán)測試后，導通電阻變化幅度不能超過(guò) 20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(cháng)測試后，IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的最大導通電阻變化不到 10%，體現了該物料單的高強度和耐用性。

　　新器件符合 AEC-Q101 標準，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。

　　產(chǎn)品規格

　　邏輯電平柵級驅動(dòng)