東芝強推功率半導體 登頂世界第一

　　作為進(jìn)行功率半導體業(yè)務(wù)的東芝公司在近期發(fā)布會(huì )上表示，奪取市場(chǎng)份額首位寶座的決心。因認為面向社會(huì )基礎設施和汽車(chē)等的功率半導體市場(chǎng)將大幅增長(cháng)，因此東芝首席常務(wù)執行董事、半導體和存儲器社長(cháng)小林清志表示，“我們將向功率半導體投入大量資源，希望在幾年之內登上業(yè)界首位的寶座，領(lǐng)先于其他公司”。目前，該公司的市場(chǎng)份額在業(yè)界位居第三。東芝準備將自主開(kāi)發(fā)的元器件工藝技術(shù)及大口徑化等作為競爭力的源泉，以提高市場(chǎng)份額。

　　據介紹，東芝2011年度在功率半導體方面，對低耐壓品和高耐壓品，均將采用新的元器件構造，以制造電力轉換效率高的產(chǎn)品。例如，低耐壓MOSFET將把原來(lái)的“UMOS型”改為新構造，而高耐壓MOS FET將導入具有東芝自主技術(shù)經(jīng)驗的Single Epi構造超結(Super Junction)MOS。據悉，IGBT的耐壓部分將采用較薄的新構造。另外，針對要求高頻工作的用途等，東芝正在開(kāi)發(fā)采用SiC和GaN等新材料的功率半導體。

　　東芝今后考慮，將把NAND閃存生產(chǎn)基地——該公司四日市工廠(chǎng)的200mm生產(chǎn)線(xiàn)制造設備，轉用于功率半導體基地加賀工廠(chǎng)，從而實(shí)現“以少量的設備投資額，有效率地實(shí)現”大口徑化和產(chǎn)能的提高。由此，將200mm晶圓在功率半導體總產(chǎn)能中所占的比例，到2013年提高至80%以上。并且，因同年加賀工廠(chǎng)的現有生產(chǎn)線(xiàn)將達到滿(mǎn)負荷運轉(Full Capacity)，所以估計需要新建廠(chǎng)房。關(guān)于后工序，將把2012年產(chǎn)量的80%、2013年產(chǎn)量的90%轉移到海外，以降低生產(chǎn)成本。功率半導體的后工序在生產(chǎn)成本中所占的比例為40%左右，高于存儲器等，因此海外轉移的成效較大。