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恩智浦推出超緊湊型電源管理解決方案

—— 在2x2 mm無(wú)鉛封裝中同時(shí)集成低VCEsat晶體管和Trench MOSFET的二合一產(chǎn)品
作者: 時(shí)間:2011-08-15 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench 產(chǎn)品。DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專(zhuān)門(mén)針對諸如移動(dòng)設備等高性能消費產(chǎn)品的小型化發(fā)展趨勢而設計。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/122503.htm

        作為業(yè)界首款集成低VCE (sat) BISS晶體管和Trench 的二合一型產(chǎn)品,不但能節省PCB板空間,而且具有卓越的電氣性能。

        傳統的小信號晶體管 (BISS)/解決方案通常需要采用兩個(gè)封裝,相比之下可減少超過(guò)50%的電路板占用面積,使封裝高度降低10%以上。此外,DFN2020-6 (SOT1118) 封裝還集成了一個(gè)散熱器,令散熱性能提高了25%,從而可支持高至2A的電流,并因此降低了能耗。

        PBSM5240PF可用作便攜式電池充電電路的一部分,適用于手機、MP3播放器以及其他便攜式設備。它也可被用于那些要求最佳散熱性能、較高電流支持和占用面積小的負載開(kāi)關(guān)或電池驅動(dòng)設備中。 

積極評價(jià)

• 產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示:“對于便攜式設備領(lǐng)域來(lái)說(shuō),BISS/MOSFET解決方案的獨特之處和魅力所在就是其極小的占位面積、出色的電氣性能、散熱性能以及無(wú)鉛封裝。這款集成式的封裝產(chǎn)品最高可支持40V的電壓,非常適合當今日益纖薄化的小型移動(dòng)設備使用。而對于這類(lèi)設備,高度和電路板空間是關(guān)鍵的設計考慮因素,每一毫米都至關(guān)重要。”

技術(shù)參數

PBSM5240PF 小信號晶體管(BISS)和N溝道 Trench MOSFET的主要特性包括:
• 集電極大電流能力(IC和ICM)
• 集電極大電流下?lián)碛懈唠娏髟鲆?(hFE)
• 產(chǎn)生熱量小,能效高
• 極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCEsat)
• 封裝占位僅為2 x 2 mm,可減少印刷電路板尺寸



關(guān)鍵詞: 恩智浦 MOSFET PBSM5240PF

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