DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

　　據IHS iSuppli公司的研究，隨著(zhù)DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。

　　雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權平均節點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。

　　IHS iSuppli公司的研究顯示，但從第二季度開(kāi)始，預計DRAM產(chǎn)業(yè)對于光刻工藝遷移的態(tài)度將不再那么積極，成本下降速度也將變慢。第二季度lithography reduction將下降到5.2%，第三季度下降到4.8%，第四季度降到3.7%。相應地，成本削減幅度也將在第二季度下降到12%，第三和第四季度分別降至9和4%，如圖2所示。

　　確實(shí)，DRAM產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷幾種轉變，例如許多供應商進(jìn)行戰略性調整，擺脫商品類(lèi)DRAM;建立新的制造與代工聯(lián)盟;繼續向40納米及更先進(jìn)的工藝遷移。IHS公司認為，所有這些因素都將對供需關(guān)系產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響利潤率和供應商的利潤。

　　令人意外的是，由于上一個(gè)繁榮周期利潤率大幅上升，第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)保持盈利狀態(tài)。上一個(gè)繁榮周期始于2009年第二季度，持續到一年以后結束。盡管DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格持續下降，但目前的周期符合歷史形態(tài)，隨著(zhù)需求的起伏變化，芯片價(jià)格與DRAM廠(chǎng)商的利潤也隨之波動(dòng)。

　　尤其是，預期中的成本下降將來(lái)自技術(shù)變化，DRAM芯片將越來(lái)越多地采用新型光刻設備和技術(shù)制造。從2010年第四季度到今年第一季度，推動(dòng)光刻工藝變化的主要廠(chǎng)商是Inotera和Rexchip，前者的平均光刻節點(diǎn)橫跨至50納米，而后者則前進(jìn)到了40納米。

　　IHS iSuppli公司的研究顯示，雖然DRAM成本下降可以來(lái)自光刻技術(shù)變化以外的其它因素，但那些額外考慮現在完全可以排除。其中一個(gè)因素是以擴大規模效益為目的的產(chǎn)能增長(cháng)，該因素將受到限制，因為廠(chǎng)商將繼續對專(zhuān)門(mén)用于產(chǎn)能擴張的資本支出保持謹慎。另一個(gè)因素是運營(yíng)效率，由于以前及目前的疲軟局面促使廠(chǎng)商的運營(yíng)保持相對緊縮，該因素預計不會(huì )對未來(lái)的成本節省有太大影響。

　　IHS的估計顯示，隨著(zhù)向4x納米的過(guò)渡明年徹底完成，成本下降勢頭將更加變弱。在2011年剩余時(shí)間內，每季度相對于光刻遷移的成本下降將達到6.5%，2012年縮窄到3.3%。隨著(zhù)光刻遷移勢頭在未來(lái)幾個(gè)季度減弱，成本下降趨勢將反映這種變化——現在強勁，2012年減弱。