一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區別

　　本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區別，首先介紹了RAM的類(lèi)別及特點(diǎn)，其次對SDRAM做了詳細闡述，最后介紹了RAM和SDRAM的區別是什么。

　　RAM介紹

　　Random-Access Memory(隨機存取存儲器)，在計算機的組成結構中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來(lái)存儲程序和數據的部件，對于計算機來(lái)說(shuō)，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類(lèi)很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器[或者內存儲器和外存儲器]，主存儲器簡(jiǎn)稱(chēng)內存，內存在電腦中起著(zhù)舉足輕重的作用，一般采用半導體存儲單元。因為RAM是內存其中最重要的存儲器，所以通常我們直接稱(chēng)之為內存。內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時(shí)，當你在鍵盤(pán)上敲入字符時(shí)，它就被存入內存中，當你選擇存盤(pán)時(shí)，內存中的數據才會(huì )被存入硬(磁)盤(pán)。

　　RAM就是既可以從中讀取數據，也可以寫(xiě)入數據。當機器電源關(guān)閉時(shí)，存于其中的數據就會(huì )丟失。我們通常購買(mǎi)或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條(SIMM)就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的內存條有 128M/條、256M/條、512M/條等。

　　RAM的類(lèi)別

　　根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態(tài)RAM和動(dòng)態(tài)RAM。

　　靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)

　　靜態(tài)存儲單元是在靜態(tài)觸發(fā)器的基礎上附加門(mén)控管而構成的。因此，它是靠觸發(fā)器的自保功能存儲數據的。

　　動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)

　　動(dòng)態(tài)RAM的存儲矩陣由動(dòng)態(tài)MOS存儲單元組成。動(dòng)態(tài)MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來(lái)存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等于0，所以電荷保存的時(shí)間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時(shí)地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱(chēng)為“刷新”或“再生”，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態(tài)RAM復雜。盡管如此，由于DRAM存儲單元的結構能做得非常簡(jiǎn)單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

　　RAM的特點(diǎn)

　　1、隨機存取

　　所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫(xiě)入時(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置或所寫(xiě)入的位置無(wú)關(guān)。相對的，讀取或寫(xiě)入順序訪(fǎng)問(wèn)(SequenTIal Access)存儲設備中的信息時(shí)，其所需要的時(shí)間與位置就會(huì )有關(guān)系。它主要用來(lái)存放操作系統、各種應用程序、數據等。

　　2、易失性

　　當電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫(xiě)入一個(gè)長(cháng)期的存儲設備中(例如硬盤(pán))。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會(huì )自動(dòng)消失，而ROM不會(huì )自動(dòng)消失，可以長(cháng)時(shí)間斷電保存。

　　3、對靜電敏感

　　正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會(huì )干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

　　4、訪(fǎng)問(wèn)速度

　　現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪(fǎng)問(wèn)設備中寫(xiě)入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。

　　5、需要刷新(再生)

　　現代的隨機存取存儲器依賴(lài)電容器存儲數據。電容器充滿(mǎn)電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會(huì )漸漸隨時(shí)間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來(lái)的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

　　SDRAM介紹

　　SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘，內部的命令的發(fā)送與數據的傳輸都以它為基準;動(dòng)態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數據不丟失;隨機是指數據不是線(xiàn)性依次存儲，而是由指定地址進(jìn)行數據讀寫(xiě)。目前的168線(xiàn)64bit帶寬內存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時(shí)鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時(shí)間，所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。

　　SDRAM從發(fā)展到現在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.

　　第一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時(shí)鐘信號，第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號作為同步時(shí)鐘。

　　SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時(shí)鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時(shí)鐘信號為100或133MHz，數據讀寫(xiě)速率也為100或133MHz。

　　之后的第二，三，四代DDR(Double Data Rate)內存則采用數據讀寫(xiě)速率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

　　DDR的讀寫(xiě)頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

　　很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋?zhuān)詫僬`導，SDR不等于SDRAM。

　　Pin：模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說(shuō)的“金手指”。

　　SIMM：Sigle In-line Memory Module，單列內存模組。內存模組就是我們常說(shuō)的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳(雖然兩側都有金手指)。

　　DIMM：Double In-line Memory Module，雙列內存模組。是我們常見(jiàn)的模組類(lèi)型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。

　　RDIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線(xiàn)內存模塊

　　SO-DIMM：筆記本常用的內存模組。

　　工作電壓：

　　SDR：3.3V

　　DDR：2.5V

　　DDR2：1.8V

　　DDR3：1.5V

　　ARM里的RAM和SDRAM有什么區別

　　RAM包括SRAM和DRAM，前者是靜態(tài)隨機存儲器，主要是依靠觸發(fā)器存儲數據，無(wú)需刷新，而后者是動(dòng)態(tài)隨機存儲器，依靠MOSFET中柵電容存儲數據，需不斷刷新以補充釋放的電荷。由于單管就可以實(shí)現數據存儲，集成度可以做到更高，功耗也更低，更為主流。需要注意的是由于刷新?tīng)可骐娙莸某浞烹娺^(guò)程，DRAM的存取速度不及SRAM。

　　至于SDRAM，為同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器，屬于DRAM的一種，其工作過(guò)程需要同步時(shí)鐘的配合，因此可以不考慮路線(xiàn)延時(shí)不同的影響，避免不定態(tài)。普通的DRAM屬于異步傳輸，存取數據時(shí)，必須等待若干個(gè)時(shí)鐘以后才進(jìn)行操作(考慮不定態(tài))，因為會(huì )花費較多的時(shí)間，影響了數據的傳輸速率。隨著(zhù)時(shí)鐘頻率的不斷增高，這個(gè)瓶頸的限制就會(huì )越來(lái)越明顯，SDRAM的優(yōu)勢也就更能體現出來(lái)。