IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝
—— 為低功耗應用提供解決方案
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時(shí)間：2011-06-15
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò )通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/120447.htm
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標準或邏輯水平柵極驅動(dòng)器。這些器件只需要4mm2的占位空間，采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進(jìn)一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿(mǎn)足我們客戶(hù)的需求，進(jìn)一步縮小封裝尺寸，并結合基準硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數字化內容相關(guān)的應用。”
這個(gè)PQFN2x2系列包括為負載開(kāi)關(guān)的高側而優(yōu)化的P-通道器件，帶來(lái)一個(gè)更簡(jiǎn)單的驅動(dòng)解決方案。同時(shí)，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標準的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
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