爾必達開(kāi)發(fā)出25nm制程2Gb DDR3內存芯片
—— 將于7月份開(kāi)始量產(chǎn)
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日本爾必達公司宣布開(kāi)發(fā)出25nm制程2Gb密度DDR3內存芯片產(chǎn)品，這款產(chǎn)品可支持DDR3-1866規格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預計芯片樣品將于今年7月份開(kāi)始向外出售，芯片的量產(chǎn)則也將在同一時(shí)期啟動(dòng)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/119162.htm比較爾必達現有的30nm制程2Gb密度產(chǎn)品，新款25nm 2Gb密度產(chǎn)品的存儲單元面積下降了30%，芯片產(chǎn)出量則高出了30%。
新25nm制程產(chǎn)品主要面向低能耗PC或消費電子設備應用市場(chǎng)，比較現有的30nm產(chǎn)品，25nm制程產(chǎn)品的工作電流下降了15%，待機電流則下降了29%。
除了2Gb密度的產(chǎn)品之外，爾必達還表示將于年底前開(kāi)始25nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的量產(chǎn)，相比30nm制程產(chǎn)品，25nm制程4Gb密度芯片的每片晶圓芯片產(chǎn)出量將提升44%左右。
另外，爾必達還表示新25nm制程將被應用在還在進(jìn)一步開(kāi)發(fā)中的移動(dòng)設備用內存芯片上。
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