EUV光源廠(chǎng)商散伙

　　日本的Komatsu和Ushio稍早前宣布，已終止有關(guān)光源合資企業(yè)Gigaphoton的合作協(xié)議。Komatsu將從Ushio手中買(mǎi)下50%股權。未來(lái)Gigaphoton將成為Komatsu的全資子公司。而此舉會(huì )為EUV的未來(lái)投下何種變數仍有待觀(guān)察。

　　成立于2000年8月的日本Gigaphoton公司主要業(yè)務(wù)是開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售光刻工具用的準分子激光光源，是由Ushio和Komatsu合資成立的企業(yè)，雙方各握有50%股權。

　　包括Cymer、Gigaphoton、Ushio和其他業(yè)者都正在為下一代光刻工具開(kāi)發(fā)EUV光源。Gigaphoton采用激光激發(fā)電漿型(LPP)戶(hù)方法，而Ushio則采取放電激發(fā)電漿型(DPP)方法(電 子工程 專(zhuān)輯版權所有，謝絕轉載)。

　　現在，Gigaphoton和Ushio將在EUV光源市場(chǎng)中展開(kāi)競爭。Cymer公司是LPP技術(shù)的推動(dòng)廠(chǎng)商。在LPP方法中，電漿是透過(guò)在指定材料上收集強大的激光束來(lái)激發(fā)，而DPP方法則是透過(guò)在電子間對大電流脈沖充電來(lái)激發(fā)電漿。

　　日本的Ushio去年收購了飛利浦電子的EUV光源業(yè)務(wù)。飛利浦之前便已將其EUV事業(yè)部轉移到日本公司的EUV部門(mén)，稱(chēng)之為Xtreme Technologies GmbH。Xtreme一直在從事EUV光源的研發(fā)，并自2008年起與飛利浦合作開(kāi)針對下一代半導體技術(shù)的EUV光源。

　　Ushio在2005年取得Xtreme的50%股權，并于2008年與飛利浦攜手展開(kāi)研究，其研究也特別著(zhù)重在EUV光源部份。而在同一年，Ushio也并購Xtreme，使其成為100%的子公司(電子工 程專(zhuān) 輯版權所有，禁止轉 載)。

　　目前，作為下一代光刻技術(shù)主要候選人之一的EUV技術(shù)，仍然因為光源、光刻膠和關(guān)鍵掩膜與量測基礎設施的缺乏而延遲(參閱電子工程專(zhuān)輯報道：光刻世界的期待與沮喪)。但芯片制造商仍對它充滿(mǎn)寄望。“我們估計在14nm節點(diǎn)可導入EUV技術(shù)，”臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義說(shuō)。

　　臺積電的28nm工藝采用的是193nm浸入式光刻技術(shù);蔣尚義表示將在20nm工藝導入雙重曝光(double patterning)，而EUV技術(shù)則預計最快在14nm時(shí)才可望實(shí)現。

　　“EUV的最主要挑戰在產(chǎn)量和光源，”蔣尚義說(shuō)。盡管站在芯片供應商的角度，整個(gè)產(chǎn)業(yè)都致力于建構完整的EUV基礎環(huán)境，但根本上EUV要能順利應用仍然缺乏許多條件，特別是在光源部份，現在整個(gè)產(chǎn)業(yè)都在等待光源的改良(電 子工 程專(zhuān) 輯版 權謝絕轉 載)。

　　不過(guò)，就算EUV真的趕不及，蔣尚義表示，仍有其他替代技術(shù)可供選擇。他看好電子束技術(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，“荷蘭Mapper Lithography已經(jīng)開(kāi)發(fā)出110電子束系統了，盡管該系統仍在開(kāi)發(fā)初期，但根據產(chǎn)品藍圖，未來(lái)該公司將提供13,000電子束系統，”蔣尚義說(shuō)。

　　從技術(shù)角度來(lái)看，“我們至少可以延伸到7nm或8nm，”蔣尚義說(shuō)。而芯片制造商在選擇下一代光刻技術(shù)時(shí)，必須對晶圓成本做全盤(pán)考量。因此，下一代光刻技術(shù)的發(fā)展仍然充滿(mǎn)變數。

　　臺積電預計2012下半年試產(chǎn)20nm工藝，而預估2013~2014導入的18英寸晶圓也將搭配20nm工藝。