日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰略地圖（一）半導體技術(shù)子領(lǐng)域
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作者：
時(shí)間：2011-03-21
來(lái)源：上?？茖W(xué)技術(shù)情報研究所 宋凱
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2、（大項目）設計（SoC設計）
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中項目
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中項目細分（小項目）
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設計內容
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模塊間通信技術(shù)
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多處理器技術(shù)
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可重復配置邏輯
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系統層次設計、核查
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高級建模技術(shù)
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¨ 系統建模
¨ 事務(wù)級建模
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合成、優(yōu)化技術(shù)
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核查技術(shù)
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性能、成本估算技術(shù)
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魯棒性系統技術(shù)
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硅芯片實(shí)現技術(shù)
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系統的復合化技術(shù)
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低耗電設計
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變異評價(jià)技術(shù)
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考慮制造性的設計（DFM、DFR、MASK）
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混合模擬數字技術(shù)
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IP Bus設計
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IP庫的設計
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電路設計
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¨ 電路仿真技術(shù)
¨ 器件建模技術(shù)
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3、（大項目）制造技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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基礎設備技術(shù)
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實(shí)時(shí)流程監控技術(shù)
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高精度仿真技術(shù)（裝置內的復雜現象的模型）
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高精度仿真技術(shù)（流程破壞復雜現象的模型）
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有機物分析技術(shù)
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裝置內現象測量技術(shù)
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工廠(chǎng)集成技術(shù)
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晶圓設備控制技術(shù)
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¨ 綠色工廠(chǎng)可視化技術(shù)
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4、（大項目）流程技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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晶體管的形成流程
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柵層疊形成技術(shù)
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源漏退火技術(shù)
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源漏淺接合形成技術(shù)
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源漏接觸形成技術(shù)
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元件分離技術(shù)
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清洗技術(shù)
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新的清洗技術(shù)
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硅基板
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大尺寸晶圓制造技術(shù)
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流程仿真技術(shù)
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對應新流程的仿真
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5、（大項目）光刻技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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曝光設備技術(shù)
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主流生產(chǎn)技術(shù)
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¨ ArF浸入式曝光設備技術(shù)
¨ ArF浸入式曝光／間隔技術(shù)
¨ EUV曝光設備技術(shù)
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新技術(shù)
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¨ ML2（無(wú)光罩光刻）
¨ NIL（壓印光刻）
¨ DSA（直接自我聚合）
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光罩技術(shù)
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缺陷檢測設備技術(shù)
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缺陷修正技術(shù)
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數據處理技術(shù)（OPC、RET、MDP、MRC等）
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高效制備技術(shù)
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光阻流程技術(shù)
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材料技術(shù)（光阻、增透膜、收縮、光阻頂層涂敷）
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浸入式曝光技術(shù)
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雙重圖形（Pitch Splitting/Spacer）技術(shù)
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光刻集成技術(shù)
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資源模擬技術(shù)
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綜合的最優(yōu)化技術(shù)
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6、（大項目）SoC開(kāi)發(fā)／制造工程的工程化
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中項目
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中項目細分（小項目）
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開(kāi)發(fā)平臺
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設計方法的結構化和標準化
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流程開(kāi)發(fā)的結構化和標準化
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制造集成控制平臺
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成本、引用、質(zhì)量的建模
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綜合性的判斷功能
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分層控制信息
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工程控制技術(shù)（實(shí)現了單晶片的的分層傳輸控制技術(shù)）
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¨ 分層的傳輸技術(shù)
¨ 晶圓單元傳輸控制技術(shù)
¨ 單晶圓芯片的追蹤技術(shù)
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設備控制技術(shù)
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¨ OEE設備建模/監控技術(shù)
¨ 設備、流程建模技術(shù)
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流程控制技術(shù)
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¨ 工藝建模技術(shù)
¨ 根據建模對分層設備、流程的的控制技術(shù)
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質(zhì)量控制技術(shù)
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¨ 產(chǎn)量建模技術(shù)
¨ 產(chǎn)量監控技術(shù)
¨ 最佳檢測技術(shù)
¨ DFM和APC的融合技術(shù)
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7、（大項目）評價(jià)、分析技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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測量技術(shù)
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微型化形狀測量、性能評價(jià)技術(shù)
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¨ 模式測量技術(shù)（晶片）
¨ 疊加(overlay)誤差測量技術(shù)
¨ 柵極形狀測量（2D、3D）技術(shù)
¨ 薄膜厚度測量技術(shù)(絕緣膜、金屬多層膜)
¨ 界面、表面評價(jià)技術(shù)
¨ 摻雜分布測量技術(shù)
¨ 工作職能評價(jià)技術(shù)
¨ 溝槽形狀測量技術(shù)（2D、3D）
¨ 薄膜厚度測量技術(shù)（絕緣膜、Barrier/Seed膜、金屬膜）
¨ 平坦度測量技術(shù)
¨ 孔徑的測量、機械特性測量技術(shù)
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新材料評價(jià)技術(shù)
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¨ 物理上的特性評價(jià)技術(shù)
¨ 化學(xué)上的特性評價(jià)技術(shù)
¨ 機械上的特性評價(jià)技術(shù)
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產(chǎn)量提高技術(shù)
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缺陷監測、分析技術(shù)
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¨ 缺陷檢測技術(shù)（電子束方式、光學(xué)方式）
¨ 缺陷審查技術(shù)
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物理解析技術(shù)
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¨ 檢查數據鏈接、分析孔加工技術(shù)
¨ 截面觀(guān)察、結構、元件分析技術(shù)
¨ 結構、界面解析技術(shù)
¨ 化學(xué)結合、元件分析技術(shù)
¨ 本地探測技術(shù)
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產(chǎn)量模型的高精確化
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¨ 隨即缺陷產(chǎn)量模型
¨ 光刻造成的系統性缺陷產(chǎn)量模型
¨ 允許污染模型
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8、（大項目）配線(xiàn)技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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微型化技術(shù)
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多層配線(xiàn)技術(shù)
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¨ 銅沉積技術(shù)（電鍍、PVD、CVD）
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絕緣膜技術(shù)
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¨ 固化技術(shù)
¨ 高機械強度技術(shù)
¨ 氣隙技術(shù)
¨ 孔密封技術(shù)
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配線(xiàn)材料技術(shù)
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¨ 金屬屏障技術(shù)（PVD、ALD、CVD）
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可靠性技術(shù)
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¨ 電轉移（EM）改善技術(shù)
¨ 應力轉移（SM）改善技術(shù)
¨ 配線(xiàn)可靠性（TDDB）改善技術(shù)
¨ 配線(xiàn)變異（LER、阻抗）降低技術(shù)
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配線(xiàn)建模技術(shù)
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¨ 配線(xiàn)建模技術(shù)
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新配線(xiàn)技術(shù)
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直通硅晶穿孔封裝（TSV）
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¨ 用于晶圓片鍵合的薄型晶片
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新配線(xiàn)材料技術(shù)
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¨ 碳納米管孔
¨ 碳配線(xiàn)技術(shù)
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通過(guò)光和RF信號傳輸技術(shù)
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¨ 硅納米光子配線(xiàn)技術(shù)
¨ 芯片上RF信號傳輸技術(shù)
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印刷電路技術(shù)
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¨ 印刷電路技術(shù)
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9、（大項目）裝配技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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裝配流程
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單個(gè)芯片裝配多插針化
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¨ 晶片級封裝
¨ Low-k/Cu對應技術(shù)
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系統級封裝
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¨ 同種芯片的三維芯片層
¨ 持有不同性能的半導體芯片的裝配
¨ TSV方式連接技術(shù)
¨ 非接觸式連接技術(shù)
¨ 光連接技術(shù)
¨ 晶圓堆疊技術(shù)
¨ 內置基板
¨ 不同設備、光、部品之間的組合
¨ 確好芯片（KGD）技術(shù)
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裝配設計
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統合設計平臺技術(shù)
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¨ 芯片／包／木板連攜設計工具
¨ 電氣／熱／結構耦合分析技術(shù)
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10、（大項目）測試技術(shù)
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中項目
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中項目細分（小項目）
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離散傅里葉變換
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高級離散傅里葉變換（DFT）
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測試數據壓縮
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內建修復分析（BIRA）、內建自修復（BISR）
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模擬數字混合
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測試、故障分析
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故障診斷
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對應于缺陷的測試
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考慮到噪聲和功率的測試
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測試環(huán)境
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基于標準的測試環(huán)境
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（二）、非CMOS技術(shù)
1、（大項目）分立器件
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中項目
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中項目細分（小項目）
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功率器件
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硅功率器件
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帶隙半導體功率器件
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2、（大項目）納米電子器件
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中項目
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中項目細分（小項目）
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納米CMOS的延長(cháng)（自組織過(guò)程晶體管）
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薄片晶體管
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納米線(xiàn)晶體管
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納米晶體管
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Beyond CMOS
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共振管道器件
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有機分子器件
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單電子器件
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超導器件
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自旋晶體管
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強磁性邏輯器件
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強相關(guān)電子器件
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電路重構開(kāi)關(guān)
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Beyond CMOS和Si CMOS的融合技術(shù)
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量子計算器件
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