瑞薩將上市SiC功率半導體

　　瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開(kāi)始樣品供貨。除了空調等白色家電外，預計還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因數校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計劃從2011年10月開(kāi)始少量量產(chǎn)，2012年3月以后以10萬(wàn)個(gè)/月的規模量產(chǎn)。該公司還打算在2011年度內，樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。

　　瑞薩此次上市的SiC-SBD，是在與日立制作所共同開(kāi)發(fā)的技術(shù)基礎上開(kāi)發(fā)的。除了可將開(kāi)關(guān)時(shí)的電力損失較Si制SBD降低40%外，還具有驅動(dòng)電壓只有1.5V的特點(diǎn)。據瑞薩介紹，驗證導入PFC電路的效果發(fā)現，以SiC-SBD替換與Si制MOSFET相組合的Si制SBD后，工作效率提高了 0.3個(gè)百分點(diǎn)。“PFC電路的工作效率已提高到超過(guò)95%的水平，使用Si制SBD，效率基本沒(méi)有提高。而采用SiC可提高0.3個(gè)百分點(diǎn)，這一效果非常顯著(zhù)”(瑞薩電子模擬&功率業(yè)務(wù)本部功率元器件業(yè)務(wù)部HV元器件設計部主管技師兼MOSFET•IGBT設計課課長(cháng)金澤孝光)。樣品價(jià)格為5000日元，是Si制SBD的數十倍。

　　瑞薩除了將此次的SiC-SBD作為單獨部件提供外，還計劃以在同一封裝中集成Si制IGBT及MOSFET的模塊和裸片形態(tài)提供。共備有電流容量為 10A、15A、20A和30A的4款產(chǎn)品。封裝目前與該公司Si制功率半導體制品的相同。備有兩個(gè)引線(xiàn)端子，外形尺寸與TO-220實(shí)型(Full Mold)相當。工作溫度的上限“采用SiC時(shí)雖能保證直到200℃左右，但此次采用現有封裝的產(chǎn)品為175℃左右”(瑞薩電子模擬&功率業(yè)務(wù)本部功率元件業(yè)務(wù)部副業(yè)務(wù)部長(cháng)飯島哲郎)。今后會(huì )考慮開(kāi)發(fā)能夠耐200℃左右高溫的SiC封裝。

　　該公司此為首次采用SiC開(kāi)發(fā)功率半導體產(chǎn)品。決定踏入產(chǎn)品化的理由是：“由于在工作效率方面具有較大優(yōu)勢，因此，希望在倡導節能效果的高端機型中采用SiC的呼聲日益強烈”(飯島)。另外，最近一年里，羅姆和三菱電機等日本國內的功率半導體廠(chǎng)商紛紛決定上市SiC功率半導體也起到了推動(dòng)作用。雖然實(shí)現產(chǎn)品化的時(shí)間稍顯落后，但“我們可以自行生產(chǎn)與SiC-SBD組合使用的高性能IGBT、MOSFET以及控制IC，能夠靈活地滿(mǎn)足客戶(hù)要求的性能指標，這是我們獨有的優(yōu)勢”。