DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營(yíng)收僅增3.4%

　　集邦科技旗下研究部門(mén)DRAMeXchange調查，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營(yíng)收數字達108億美元，雖然DRAM 總產(chǎn)出量季成長(cháng)15%，但在第3季合約價(jià)跌幅超乎預期拖累，相較于上季營(yíng)收104億美元，僅微幅成長(cháng)約3.4%。而在全球市占上，韓系DRAM廠(chǎng)第3季已囊括全球61.2%市占率，日系廠(chǎng)占16.3%，美系廠(chǎng)占12.2%，臺廠(chǎng)則微幅下滑至10.3%。

　　集邦表示，第3季DRAM合約價(jià)受到DRAM產(chǎn)出增加與PC需求旺季不如預期影響，價(jià)格呈現下滑走勢，第3季DDR3 2GB合約均價(jià)為40美元，較上季的46美元下滑約13%，現貨市場(chǎng)DDR3 1Gb eTT顆粒均價(jià)則較上季下跌18%至2.27美元，DDR2 1Gb eTT則下跌約16%。

　　從全球DRAM廠(chǎng)自有品牌內存營(yíng)收排名來(lái)分析，韓系廠(chǎng)商三星營(yíng)收仍居全球DRAM廠(chǎng)之冠，季成長(cháng)21.9%，營(yíng)收成長(cháng)貢獻來(lái)自DRAM產(chǎn)出增加20%以上， DRAM均價(jià)也微幅上揚，DRAM市占率由第2季的34.3%大幅成長(cháng)至40.4%。

　　海力士第3季受到46nm良率提升不如預期，DRAM產(chǎn)出僅增加2%，均價(jià)下跌9%影響，市占率由上季的21.6%下跌至19.8%。

　　日系廠(chǎng)商爾必達第3季營(yíng)收季減9.4%，市占率也由18.4%下降至16.1%. 主要因為在40nm制程上轉進(jìn)仍居初期，產(chǎn)出僅微幅成長(cháng)。

　　在華亞科制程轉換下，投片及產(chǎn)出減少影響，美光第3季DRAM產(chǎn)出減少12%，DRAM均價(jià)也微幅下跌，造成第3季營(yíng)收下跌約10%，市占率也下跌至12%。

　　而在臺系廠(chǎng)部分，南科雖來(lái)自華亞科廠(chǎng)的產(chǎn)出減少，自有DRAM產(chǎn)出成長(cháng)率在50nm轉進(jìn)及投片增加下，總銷(xiāo)售位本季成長(cháng)14%，但受到DRAM銷(xiāo)售價(jià)格下跌15%拖累，第3季營(yíng)收下滑約5.2%，市占率也微幅下降至4.2%。

　　力晶為臺系廠(chǎng)表現最佳的廠(chǎng)商，在63nm制程比例增加及良率提升的挹注下，第3季營(yíng)收為2.75億美元，與第2季相比上升12.9%。

　　華邦電雖然第3季營(yíng)收季減2.7%，但由于華邦電已經(jīng)淡出標準型內存市場(chǎng)，較不受此波DRAM價(jià)格下探影響，對于后續表現仍可抱持謹慎樂(lè )觀(guān)的態(tài)度。

　　集邦表示，以各國市占率版圖來(lái)分析，第3季韓系廠(chǎng)商市占率達61.2%，美系及日系廠(chǎng)商市占率皆有下滑，各有12.2%及16.3%的市占率，臺系DRAM廠(chǎng)方面市占率則由上季的10.5%微幅下滑至10.3%。

　　由于DRAM價(jià)格急速下滑，使各DRAM廠(chǎng)對未來(lái)資本支出轉趨保守，如三星Fab16的建設，將視未來(lái)市場(chǎng)狀況做調整，臺系廠(chǎng)如力晶也下修資本支出約20%，至160億元，而日臺合資的瑞晶R2廠(chǎng)擴廠(chǎng)計劃也延后討論。

　　集邦預估，此波DRAM價(jià)格下跌，第4季跌幅將增大至30%以上，價(jià)格可望在明年第1季或第2季落底，DRAM廠(chǎng)可能在明年上半年資本支出將保守以對。