臺DRAM廠(chǎng)4Q面臨全虧危機

　　南亞科和華亞科20日將打頭陣召開(kāi)法說(shuō)，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元;南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉換，產(chǎn)出不如預期，加上DDR3價(jià)格慢性崩盤(pán)，使得2家公司第3季虧損分別逾20億和30億元。展望第4季，若1Gb芯片價(jià)格跌到1美元，2Gb芯片跌破2美元，這3家臺DRAM廠(chǎng)恐將全數虧損。

　　力晶自結第3季(不含轉投資瑞晶)營(yíng)收250.24億元，毛利率17.35%，營(yíng)業(yè)凈利率12.89%，稅前獲利22.91億元、稅后獲利19.36億元，換算每股稅后0.34元;累計前3季稅后約122.39億元，每股獲利2.22元。力晶轉投資瑞晶第3季由于從65奈米轉換至63奈米制程速度快，7月全數產(chǎn)出都已是63奈米制程產(chǎn)品，成本大幅下降20%，若加計瑞晶獲利挹注，力晶第3季獲利上看30億元。

　　相較之下，南亞科和華亞科第3季財報則是持續虧損，虧損金額分別以20億和30億元起跳。南亞科和華亞科第3季財報不如預期，主要是受到50奈米制程轉換影響。華亞科7、8月期間因為全數停止溝槽式制程，產(chǎn)出大幅減少，導致成本大幅提升，加上DDR3價(jià)格逐月慢性崩盤(pán)走勢，使得南亞科和華亞科第3季虧損都將較第2季擴大。

　　??o注意的是，由于1Gb容量DDR3芯片報價(jià)已跌破2美元，10月上旬2GB容量DDR3模塊報價(jià)又再重挫6~9%，這種慢性崩盤(pán)趨勢將一路持續至2010年底，預期年底1Gb容量DDR3芯片恐往1美元靠攏，2Gb芯片價(jià)格則約2美元，屆時(shí)全球能獲利的DRAM廠(chǎng)除三星電子(SamsungElectronics)外，恐怕是寥寥可數。

　　華亞科第4季底12吋晶圓廠(chǎng)13萬(wàn)片產(chǎn)能將傾巢而出，可望大幅降低成本，雖然有利轉虧為盈，但以其成本結構來(lái)看，若年底2Gb芯片價(jià)格力撐在2美元以上，第4季營(yíng)運轉盈才有機會(huì )，但若2Gb芯片價(jià)格跌破2美元，南亞科和華亞科第4季恐將持續面臨虧損壓力。

　　力晶第4季主要壓力還是來(lái)自于現貨價(jià)跌勢，若力晶全?銃i63奈米制程，成本頂多撐在1.4美元附近，一旦1Gb價(jià)格往1美元靠攏，力晶亦將承受由盈轉虧壓力;至于瑞晶狀況會(huì )好些，由于積極轉進(jìn)45奈米，2Gb芯片成本不到1.5美元，屆時(shí)力晶可望獲得瑞晶獲利挹注。