2010年54個(gè)在建晶圓廠(chǎng)LED類(lèi)占五成 大多位于中國

　　國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)預測，2010年全球晶圓廠(chǎng)前段制程設備支出規模，將較2009年成長(cháng)133%，并在2011年再度取得18%的成長(cháng)率。而全球已建置晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，包括分立元器件廠(chǎng)在內，估計在2010年成長(cháng)7%，并在2011年將再成長(cháng)8%。

　　這份World Fab Forecast報告并預期，2010年全球晶圓廠(chǎng)建設支出規模將成長(cháng)125%，2011年還將再成長(cháng)22%。SEMI的數據指出，在2010與2011年，將有超過(guò)150座晶圓廠(chǎng)興建計劃，總支出估計830億美元;該估計數字是根據各晶圓廠(chǎng)興建計劃與設備支出計劃所做成，追蹤對象涵蓋大/小產(chǎn)能晶圓廠(chǎng)，以及生產(chǎn)微機電系統(MEMS)、LED、分立元器件的晶圓廠(chǎng)。

　　該報告指出，在2010年總計有54個(gè)晶圓廠(chǎng)興建計劃正在進(jìn)行，建設支出總計在45億美元左右;在這些計劃中，有五成是LED晶圓廠(chǎng)，而且大部分位于中國。將在2011年執行的晶圓廠(chǎng)興建計劃雖然較少，但規模卻比較大，建設支出總計約55億美元。

　　SEMI估計，2010年全球半導體設備支出將成長(cháng)133%，達到340億美元規模;而在2008年，全球半導體設備支出則是成長(cháng)27%。該協(xié)會(huì )并預測2011年全球半導體設備支出將再成長(cháng)18%，達到390億美元的規模，超越2007年的水平。

　　至于在2010年開(kāi)始營(yíng)運的晶圓廠(chǎng)數量大約為22座，其中也有超過(guò)五成都是LED廠(chǎng);另外明年則預計有28座晶圓廠(chǎng)即將開(kāi)張，包括4座內存廠(chǎng)。到2010年底，全球已建置晶圓產(chǎn)能(不包括分立元器件)，估計達到每月1,440萬(wàn)片8寸約當晶圓，2010年該數字則可望成長(cháng)8%，來(lái)到每月1,580萬(wàn)8寸約當晶圓。

　　SEMI指出，內存廠(chǎng)是占據全球已建置晶圓產(chǎn)能的最大宗，所占比例在2010與2011年約為41%;晶圓代工廠(chǎng)則居次，所占據比例將由2009年的24%，在2011年成長(cháng)到26%左右。