Elpida 和Spansion開(kāi)始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存
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Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/112413.htm按公司的說(shuō)法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡(jiǎn)單的單元結構下可以作到尺寸更小，同時(shí)功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。
Elpida計劃把NAND閃存與移動(dòng)RAM結合一起銷(xiāo)售移動(dòng)消費類(lèi)產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開(kāi)發(fā)用于嵌入式及選擇無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)的NAND，以及繼續生產(chǎn)和銷(xiāo)售它的NOR閃存產(chǎn)品給汽車(chē)電子、消費電子、通訊、工業(yè)和選擇無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)中的客戶(hù)。
Elpida的CEO Yukio Sakamoto表示Elpida己經(jīng)試制出電荷俘獲型NAND樣品，并取得很好的結果。所以將盡我們之可能加速進(jìn)行量產(chǎn)。Elpida計劃于2010 Q4提供1.8V 4Gb的新NAND樣品，并于2011年Q1開(kāi)始量產(chǎn)，并同時(shí)開(kāi)發(fā)2Gb及1Gb的新NAND產(chǎn)品。
Spansion計劃2011 Q1提供樣品及Q2進(jìn)行量產(chǎn)。兩個(gè)公司都正在開(kāi)發(fā)3.0V的1Gb，2Gb and 4Gb產(chǎn)品。為了滿(mǎn)足客戶(hù)需求，Elpida 和Spansion開(kāi)始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存，而且公司正在開(kāi)發(fā)全系列的NAND閃存產(chǎn)品。
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