南亞科、瑞晶40納米6月導入　全面反制三星大擴產(chǎn)計畫(huà)

　　繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出，臺系DRAM廠(chǎng)亦不甘示弱，臺塑集團旗下南亞科和爾必達(Elpida)集團旗下瑞晶都決定提前于6月導入 42及45納米制程，較原訂計畫(huà)提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，40納米世代技術(shù)對半導體業(yè)者是很大挑戰，但對于美光(Micron)與南亞科而言，42納米是50納米制程延伸技術(shù)，只要跨過(guò)50納米，快速銜接42納米制程并不難。

　　面對三星來(lái)勢洶洶，半導體事業(yè)資本支出高達80 億~90億美元，臺系DRAM廠(chǎng)因應之道就是加速制程微縮腳步，臺系DRAM廠(chǎng)現在都卯足勁加速制程轉換，提前新一代制程導入時(shí)間點(diǎn)。南亞科和瑞晶不約而同將旗下40納米制程世代，提前于6月導入，相較于原本計畫(huà)提前整整1季。存儲器業(yè)者表示，一方面是因為ASML浸潤式微影設備(Immersion Scanner)陸續交貨，另一方面則是受到三星的刺激，決定要加快新制程速度，免得未來(lái)在技術(shù)和成本競爭力與三星越拉越大。

　　南亞科指出，目前12寸晶圓廠(chǎng)3萬(wàn)片產(chǎn)能中，50與68納米制程各占50%，預計第3季全數轉進(jìn)50納米，而原本第3季才投片試產(chǎn)的42納米制程，將提前于6月投片，預計42納米制程成本結構可較50納米下降 30%，相當具有競爭力。至于同集團的華亞科42納米制程進(jìn)度亦是同步提前，原本計劃第4季導入，目前預計9月開(kāi)始試產(chǎn)。

　　瑞晶亦決定提前在6月導入爾必達45納米制程，事實(shí)上，瑞晶早就希望在第2季導入45納米制程，但因ASML浸潤式微影設備一直延宕交貨，使得瑞晶被迫延后，原本以為要等到第3季，如今確定6月開(kāi)始導入，預計可趕上第3季底逐漸量產(chǎn)。瑞晶目前主流投片制程為63納米，預計7月旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能可全數轉進(jìn)63納米，同時(shí)亦全力提升45納米制程良率。

　　白培霖認為，40納米制程世代對于所有半導體廠(chǎng)包括DRAM廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)，都是很大挑戰，要從 60或70納米直接跳到40納米制程，技術(shù)門(mén)檻很高，但南亞科和美光狀況不一樣，美光42納米幾乎是50納米微縮延伸版本，美光、南亞科和華亞科都花很多時(shí)間轉進(jìn)50納米，未來(lái)在導入42納米時(shí)，技術(shù)難度就不會(huì )這么高。

　　瑞晶和力晶目前大量導入63納米制程，優(yōu)點(diǎn)是投入極少資本支出，但獲得成本效益并不輸美光陣營(yíng)50納米制程技術(shù)，但缺點(diǎn)是采用63納米制程無(wú)法生產(chǎn)2Gb容量芯片，雖然可以用2顆1Gb芯片來(lái)堆疊出貨，但在封裝成本效益及省電上，1Gb芯片還是無(wú)法與2Gb芯片相比。

　　由于三星宣布將投入高達80億~90億美元資本支出在半導體事業(yè)上，其中一半資金用在升級現有DRAM廠(chǎng)機器設備和制程技術(shù)，顯見(jiàn)三星對于其46納米、甚至下一代30納米制程相當有信心，因此，DRAM市場(chǎng)在2010年下半會(huì )面臨三星產(chǎn)能大幅增加的嚴峻考驗。南亞科認為，這一波DRAM產(chǎn)業(yè)榮景可持續到2011年底或2012年上半，除觀(guān)察各廠(chǎng)新產(chǎn)能開(kāi)出時(shí)間點(diǎn)，還要看企業(yè)換機需求能維持多久。