擴大市占　海力士2012年前擬投資近80億美元

　　韓國媒體Korea Times獨家獲得海力士(Hynix)內部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲器廠(chǎng)商提高投資，預料競爭將加劇。

　　除提高投資外，該份名為「財務(wù)穩健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營(yíng)收目標為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長(cháng)20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達到20%。

　　這份文件是海力士新任社長(cháng)權五哲(Kwon Oh-chul)上任后2個(gè)月后推出，投資額由3月所提及的2.3兆韓元，大幅拉高至9兆韓元。在最新的計畫(huà)中，海力士預估2010投資2.5兆韓元、 2011及2012年的投資額分別為3兆、3.5兆韓元。

　　在財務(wù)方面的目標，海力士希望在2012年的營(yíng)收提升至12兆韓元、稅前息前折舊攤提前獲利(EBITDA)為5兆韓元，分別由2010年的目標成長(cháng)1倍。當2007年全球半導體產(chǎn)業(yè)表現強健，海力士創(chuàng )下?tīng)I收的最高紀錄，金額為8.6 兆韓元。

　　此外，海力士將提高財務(wù)穩健程度，冀望2012年的負債比下降至20%以下，現金部位提高至4兆韓元;該公司目前的現金約有1.5 兆韓元。

　　除了財務(wù)層面外，該份文件也指出海力士的長(cháng)期成長(cháng)策略中，有意加強晶圓代工事業(yè)，與臺積電的競爭程度可能提升。

　　海力士目前仍在替28%的股權尋找買(mǎi)主，2001年時(shí)的債權人轉變成為股東，但是相當積極的希望能夠出脫其持股。

　　海力士在2010年第1季創(chuàng )下自2006年第4季以來(lái)最好的獲利紀錄，金額達8,172億韓元。海力士預期2010年來(lái)自DRAM的營(yíng)收可望上看253億美元，2012年則提升至 304億美元。