下世代內存大戰起 國際大廠(chǎng)攻勢凌厲　

　　期相變化內存(PCMorPRAM)市場(chǎng)戰況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問(wèn)世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場(chǎng)使用的相變化內存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達128Mb，隨著(zhù)國際大廠(chǎng)接連發(fā)動(dòng)攻勢，讓原本冷門(mén)的相變化內存市場(chǎng)一夕之間熱了起來(lái)!

　　全球相變化內存分為3大陣營(yíng)，包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM，三星日前推出主攻智能型手機MCP應用的PRAM，以及恒憶的PCM產(chǎn)品等，雖然PRAM、PCM等產(chǎn)品的名稱(chēng)相異，但屬于相變化內存技術(shù)。

　　相較于三星宣布相變化內存新產(chǎn)品在初期要瞄準手機MCP市場(chǎng)，恒憶則是成立全新的品牌Omneo，特別為需要量身訂做的客戶(hù)來(lái)服務(wù)，應用范圍不局限于手機，包含有線(xiàn)及無(wú)線(xiàn)通信、消費電子產(chǎn)品、PC和嵌入式應用產(chǎn)品等。

　　恒憶不但看好相變化內存是1988年閃存問(wèn)世以來(lái)，下一代接棒的新內存明日之星，也認為這次推出的新PCM產(chǎn)品可較現有的閃存寫(xiě)入速度快300倍，并可同時(shí)支持序列式閃存(SerialNORFlash)和并列式閃存(Pa!rallelNORFlash)界面。

　　恒憶的第1款PCM產(chǎn)品是在2008年12月推出，支持10萬(wàn)次的耐寫(xiě)次數，這次推出的第2款新產(chǎn)品是采用90奈米制程生產(chǎn)，容量可達128Mb，耐寫(xiě)次數更提高到100萬(wàn)次，目前恒憶的Omneo品牌產(chǎn)品已大量供貨。

　　恒憶副總裁暨嵌入式業(yè)務(wù)部總經(jīng)理GlenHawk則表示，目前設計工程師必須使用不同類(lèi)型的內存以進(jìn)行編碼儲存、執行以及數據儲存應用，新PCM產(chǎn)品可讓設計過(guò)程更簡(jiǎn)單化。

　　相變化內存是現在各種下世代內存中，最被看好的一種，同時(shí)也因英特爾、三星等大廠(chǎng)力推，2010年開(kāi)始逐漸導入終端應用，此款內存的材料是鍺硒銻GST，兼具DRAM和NANDFlash內存的優(yōu)缺點(diǎn)，雖然2010年開(kāi)始用于終端市場(chǎng)，但穩定=仍需進(jìn)一步觀(guān)察。

　　此外，美光(Micron)正式完成與恒憶的購并程序后，也順勢加入下世代內存技術(shù)大戰，在美光獲得相變化內存技術(shù)后，可增加美光在消費性電子、手機等應用上內存的研發(fā)實(shí)力。