IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈
掃碼關(guān)注
獲取最新最全汽車(chē)電子
技術(shù)方案與實(shí)用技巧
國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/106833.htm這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著(zhù)降低了手工工具等直流電機驅動(dòng)應用的傳導損耗。
IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準MOSFET技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗和不斷努力，IR推出了結合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術(shù)的MOSFET系列，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) ，繼續開(kāi)創(chuàng )卓越性能的先河。此外，在未來(lái)幾個(gè)月，我們將按照產(chǎn)品路線(xiàn)圖推出寬泛組合的PQFN基準MOSFET產(chǎn)品，以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專(zhuān)為DC開(kāi)關(guān)應用設計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅動(dòng)應用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15m?，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4m?，Qg 達到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠實(shí)現卓越的熱性能，還可以根據給定的功率損耗要求，比現有解決方案使用更少的元件，節省電路板空間及成本。
所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業(yè)合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。
評論