CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

　　CISSOID，在高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。

　　VENUS 功率 MOSFETs 表現出色的高溫性能。在攝氏 225 度，CHT-PMOS3002 的柵極漏電流保持低于 50nA，而其漏極電流低至10μA，其開(kāi)啟延遲時(shí)間為30ns。此系列導通電阻和輸入電容范圍分別為從0.4? 至 1.7Ω 及從 150pF 至 450pF。

　　CISSOID 的 VENUS系列在惡劣環(huán)境下，從攝氏負 55 度到 225 度，使任何需要可靠功率控制的系統能得以設計，從電機驅動(dòng)器，DC-DC 轉換器和開(kāi)關(guān)電源，到逆變器。此外，P通道晶體管使設計及高邊開(kāi)關(guān)的控制更容易，避免引導或電荷泵技術(shù)。有了 VENUS 產(chǎn)品，系統設計工程師可以節省成本，提高可靠性，改善重量，同時(shí)從其應用中禁止液體冷卻，例如工業(yè)通程控制，汽車(chē)電池充電器和飛機執行器。