安森美半導體推出高壓MOSFET系列

　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時(shí)間及降低動(dòng)態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于A(yíng)TX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮流器。

　　這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET，以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實(shí)現極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù)，能在極苛刻應用中工作。低門(mén)電荷降低開(kāi)關(guān)損耗，還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開(kāi)發(fā)更高能效的電源子系統。

　　安森美半導體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“推出這些器件系列僅是安森美半導體進(jìn)軍高壓功率MOSFET市場(chǎng)的第一步。我們戰略性地進(jìn)入了高壓開(kāi)關(guān)市場(chǎng)，提供充沛的500 V到600 V負載開(kāi)關(guān)方案選擇，更好地服務(wù)我們客戶(hù)的總體電源管理需求。未來(lái)我們將繼續擴充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為消費及工業(yè)客戶(hù)提供針對性的方案。這些新器件的推出是安森美半導體不斷加強其業(yè)界領(lǐng)先高能效電源方案供應商地位的又一實(shí)例。”

　　新推出的600 V MOSFET器件包括：

　　- NDD02N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元

　　- NDD02N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.22美元

　　- NDD03N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元

　　- NDD03N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.23美元

　　- NDD04N60Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

　　- NDD04N60ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

　　- NDF04N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.27美元

　　- NDF06N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.36美元

　　- NDF10N60ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.42美元

　　新推出的500 V MOSFET器件包括：

　　- NDD05N50Z-1G，采用IPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

　　- NDD05N50ZT4G，采用DPAK封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

　　- NDF05N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.29美元

　　- NDF08N50ZG，采用TO-220FP封裝，每10,000片批量的單價(jià)為0.38美元