信越化學(xué)宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圓

近日，日本半導體材料大廠(chǎng)信越化學(xué)宣布，已經(jīng)制造出一種用于 GaN（氮化鎵）外延生長(cháng)的 300 毫米（12 英寸）襯底，并于最近開(kāi)始供應樣品。

據介紹，信越化學(xué)的 QST 300mm 晶圓具有與 GaN 相同的熱膨脹系數 （CTE），避免了 GaN 外延層的翹曲和裂紋，從而提高了良率。在此之前，信越化學(xué)已經(jīng)對外銷(xiāo)售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）QST 襯底以及 QST 外延襯底上的 GaN。

Qromis 許可的 QST（Qromis 襯底技術(shù)）襯底由具有與 GaN 相匹配的 CTE 的多晶氮化鋁陶瓷芯和涂覆芯的多層無(wú)機薄膜組成。封裝層頂部的二氧化硅 SiO2 鍵合層允許單個(gè)晶體硅層形成外延 GaN 生長(cháng)的成核層。

GaN 器件制造商由于缺乏適合 GaN 生長(cháng)的大直徑襯底，因此無(wú)法從增加材料直徑中受益，盡管他們可以使用現有的 GaN 硅生產(chǎn)線(xiàn)。300mm QST 襯底可實(shí)現 GaN 外延生長(cháng)，而不會(huì )出現翹曲或裂紋，這在硅片襯底上是無(wú)法實(shí)現的，從而顯著(zhù)降低了器件成本。

這種襯底材料可實(shí)現高質(zhì)量和厚的 GaN 外延生長(cháng)，并具有大直徑。信越化學(xué)表示，客戶(hù)正在評估用于功率器件、高頻器件和 LED 的 QST 襯底和 QST 外延襯底上的 GaN，并已進(jìn)入數據中心電源的開(kāi)發(fā)階段。

編輯：芯智訊-林子