SK海力士將采用全新刻蝕設備，在零下70度制造400層以上3D NAND

5月7日消息，綜合外媒The Elec、tomshardware報道，SK海力士正在測試日本半導體設備大廠(chǎng)東京電子（TEL）最新的低溫蝕刻設備，可以在-70°C工作，以實(shí)現400層以上新型3D NAND。

報道稱(chēng)，東京電子的低溫蝕刻設備可以在-70°C的冷卻溫度下運行，這與當前蝕刻工藝的0°C至30°C范圍形成了鮮明對比，使得其“刻蝕深孔”的速度達到了傳統刻蝕設備的三倍（能夠在33分鐘內以高縱橫比進(jìn)行10μm深的蝕刻），這一能力將有助于具有400多個(gè)有源層的3D NAND的制造，并重塑3D NAND器件的生產(chǎn)時(shí)間表和輸出質(zhì)量。

當談到生產(chǎn)3D NAND時(shí)，有些人可能會(huì )說(shuō)“蝕刻垂直孔”很簡(jiǎn)單，但事實(shí)并非如此。事實(shí)上，蝕刻具有良好均勻性的深存儲器溝道孔是一個(gè)挑戰，這就是為什么該行業(yè)對3D NAND采用了雙堆疊甚至三堆疊（構建兩個(gè)或三個(gè)獨立的堆疊，而不是一個(gè)具有“深”溝道孔的堆疊）。

SK海力士的321層3D NAND產(chǎn)品據說(shuō)采用了三層堆疊結構。隨著(zhù)東京電子新低溫蝕刻設備的采用，將使得在單堆疊或雙堆疊中構建400層3D NAND器件成為可能，這也意味著(zhù)更高的生產(chǎn)效率。未來(lái)超過(guò)400層的產(chǎn)品是否會(huì )過(guò)渡到單層或雙層的決定將取決于該工具的可靠性以及它是否能夠始終如一地再現其結果。

東京電子低溫刻蝕設備的一個(gè)顯著(zhù)環(huán)境優(yōu)勢是使用氟化氫（HF）氣體，其全球變暖潛能值（GWP）小于1。與傳統使用的全氟化碳（如四氟化碳（CF4）和八氟丙烷（C4F8））相比，這是一個(gè)顯著(zhù)的減少，它們的全球升溫潛能值分別為6030和9540。因此，東京電子新的低溫刻蝕設備的潛在采用反映了行業(yè)朝著(zhù)更環(huán)保的制造實(shí)踐發(fā)展的趨勢。

據了解，目前SK海力士已經(jīng)將測試晶圓送往日本的東京電子實(shí)驗室，以便SK海力士無(wú)需將實(shí)際設備運送并安裝到其晶圓廠(chǎng)就能有效地評估該技術(shù)的潛力。而三星電子正在同時(shí)通過(guò)進(jìn)口該設備的演示版本來(lái)評估相同的技術(shù)。這些測試的結果將決定半導體制造中低溫蝕刻技術(shù)的未來(lái)采用和潛在的標準化。

編輯：芯智訊-浪客劍