中微尹志堯：公司絕大部分刻蝕設備零部件已實(shí)現國產(chǎn)化！

3月19日，國產(chǎn)半導體設備大廠(chǎng)中微公司董事長(cháng)、總經(jīng)理尹志堯在2023年度業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上表示，中微公司絕大部分刻蝕設備的零部件已實(shí)現國產(chǎn)化，而且在很短的時(shí)間內，將全面實(shí)現自主可控的基礎。

在當前相關(guān)半導體設備及零部件進(jìn)口受限的國際形勢下，相關(guān)進(jìn)口零部件的替代已成為中微公司發(fā)展的重要議題。

在去年半年報業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上，尹志堯就曾表示，自去年10月美國加強出口管制、旨在切斷中國制造廠(chǎng)與美國先進(jìn)工具的聯(lián)系后，中國客戶(hù)加速采用中微的蝕刻設備。

受此影響，中微在電容耦合等離子體（CCP）刻蝕設備市場(chǎng)的市場(chǎng)份額預計將從2022年10月的24%至2023年6月已增至60%。至于電感耦合等離子體（ICP）設備市場(chǎng)，在曾經(jīng)占據主導地位的美國泛林半導體的市場(chǎng)份額大幅下降后，中微公司的市場(chǎng)占地可能會(huì )從幾乎為零上升到75%。

尹志堯當時(shí)就預計，在2023年底中微公司80%的限制進(jìn)口零部件可以在國內進(jìn)行替代，隨后將在2024年下半年實(shí)現100%的替代。

從時(shí)間進(jìn)度來(lái)看，僅半年多時(shí)間，目前中微公司絕大部分刻蝕設備零部件已實(shí)現國產(chǎn)化，可謂是神速！需要指出的是，這個(gè)“口徑”不僅包括了“限制進(jìn)口零部件”，還包括了未受限制的進(jìn)口零部件。這也意味著(zhù)，中微刻蝕設備的國產(chǎn)化自主可控程度得到了大幅提升。

2023年凈利潤同比大漲52.67%

在3月18日晚間，中微公司發(fā)布2023年年度報告稱(chēng)，2023年實(shí)現營(yíng)業(yè)收入為62.64億元，同比增長(cháng)32.15%。需要指出的是，公司從 2012 年到 2023 年超過(guò)十年的平均年營(yíng)業(yè)收入增長(cháng)率已超過(guò) 35%。公司實(shí)現歸屬于上市公司股東的凈利潤17.86億元，同比增長(cháng)52.67%。

對于業(yè)績(jì)的增長(cháng)，中微公司表示，2023年收入增長(cháng)和毛利維持較高水平，公司扣非后歸母凈利潤較上年同期增加約2.72億元。此外，非經(jīng)常性損益約5.94億元，較上年2.50億元增加約3.44億元。非經(jīng)常性損益的變動(dòng)主要系公司于2023年出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約4.06億元。

從營(yíng)收結構來(lái)看，中微公司2023年刻蝕設備銷(xiāo)售約47.03億元，同比增長(cháng)約49.43%；MOCVD（金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積）設備銷(xiāo)售約4.62億元，同比下降約33.95%。

訂單方面，中微公司 2023 年新增訂單金額約 83.6 億元，較 2022 年新增訂單的63.2 億元增加約 20.4 億元，同比增長(cháng)約 32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約 69.5 億元，同比增長(cháng)約 60.1%；由于中微的 MOCVD 設備已經(jīng)在藍綠光 LED 生產(chǎn)線(xiàn)上占據絕對領(lǐng)先的市占率，受終端市場(chǎng)波動(dòng)影響，2023 年訂單同比下降約 72.2%。

半導體行業(yè)的未來(lái)，制造設備是關(guān)鍵

中微公司認為，“半導體行業(yè)的未來(lái)，制造設備是關(guān)鍵”，沒(méi)有能加工微米和納米尺度的光刻機、等離子體刻蝕機和薄膜沉積等設備，就不可能制造出集成電路和微觀(guān)器件。隨著(zhù)微觀(guān)器件越做越小，結構越做越復雜，半導體設備的極端重要性更加凸顯出來(lái)。

晶圓制造設備可以分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、檢測、離子摻雜等品類(lèi)，其中刻蝕設備、薄膜沉積、光刻設備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類(lèi)設備。根據Gartner歷年統計，全球刻蝕設備、薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價(jià)值量約22%和23%。

隨著(zhù)集成電路芯片制造工藝的進(jìn)步，線(xiàn)寬關(guān)鍵尺寸不斷縮小、芯片結構3D化，晶圓制造向5納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展。由于目前先進(jìn)工藝芯片加工使用的光刻機受到波長(cháng)限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀(guān)結構的加工多通過(guò)等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合——多重模板工藝來(lái)實(shí)現，使得刻蝕等相關(guān)設備的加工步驟增多。由于存儲器技術(shù)由二維轉向三維架構，隨著(zhù)堆疊層數的增加，刻蝕設備和薄膜沉積設備越來(lái)越成為關(guān)鍵核心的設備。

在MOCVD設備方面，中微公司稱(chēng)，三五族化合物半導體器件，如照明和顯示屏所用的LED、氮化鎵和碳化硅功率器件等市場(chǎng)發(fā)展極快。這些器件所需的MOCVD設備是最重要的關(guān)鍵設備。與集成電路需要較多品類(lèi)設備多步循環(huán)的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD設備實(shí)現，而且這個(gè)設備的大部分市場(chǎng)在中國。

近年來(lái)，中國LED芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展曾帶動(dòng)了作為產(chǎn)業(yè)核心設備的MOCVD設備需求量的快速增長(cháng)。公司的MOCVD設備已經(jīng)在藍綠光LED生產(chǎn)線(xiàn)上占據絕對領(lǐng)先的市占率，報告期內（2023年），受終端市場(chǎng)波動(dòng)影響，公司的MOCVD設備銷(xiāo)售額有所下滑。

此外，公司在新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面取得了顯著(zhù)成效，近兩年新開(kāi)發(fā)的LPCVD 設備和 ALD 設備，目前已有四款設備產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)，其中三款設備已獲得客戶(hù)認證，并開(kāi)始得到重復性訂單；公司新開(kāi)發(fā)的硅和鍺硅外延 EPI 設備、晶圓邊緣 Bevel 刻蝕設備等多個(gè)新產(chǎn)品，也會(huì )在近期投入市場(chǎng)驗證。公司開(kāi)發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、Micro-LED等器件所需的多類(lèi) MOCVD 設備也取得了良好進(jìn)展，2024 年將會(huì )陸續進(jìn)入市場(chǎng)。

生產(chǎn)布局方面，公司在南昌約 14 萬(wàn)平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已正式投入使用、上海臨港的約 18 萬(wàn)平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地部分生產(chǎn)廠(chǎng)房已經(jīng)投入使用，支持了公司銷(xiāo)售快速增長(cháng)的達成。公司持續開(kāi)發(fā)關(guān)鍵零部件供應商，推動(dòng)供應鏈穩定、安全，設備交付率保持在較高水準，設備的及時(shí)交付也為公司銷(xiāo)售增長(cháng)提供有力支撐。

編輯：芯智訊-浪客劍