林本堅：浸沒(méi)式DUV可以做到5nm，但成本將非常高！
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11月27日消息，據臺媒DigiTimes報道，近日有著(zhù)“浸潤式光刻之父”之稱(chēng)的林本堅（Burn Lin）在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，依靠DUV光刻機繼續將制程工藝從7nm推向5nm是可能，但是需要付出高昂的代價(jià)。
報道稱(chēng)，由于美日荷對華半導體設備的限制，使得中國不僅難以獲得可以制造先進(jìn)制程的半導體設備，同時(shí)更為先進(jìn)的EUV光刻機也無(wú)法獲得。這也使得中國繼續將制裁工藝推進(jìn)到5nm將會(huì )面臨困境。
不過(guò)，林本堅表示，依托現有的DUV光刻機（浸沒(méi)式）制造出5nm芯片依然是可行的，但是至少需要進(jìn)行四重曝光。不幸的是，這種工藝的缺點(diǎn)是不僅耗時(shí)，而且價(jià)格昂貴，還會(huì )影響整體良率。
特別是在使用 DUV 機器時(shí)，在多次曝光期間需要精確對準，這可能需要時(shí)間，并且有可能發(fā)生未對準的情況，從而導致產(chǎn)量降低和制造這些晶圓的時(shí)間大幅增加。
林本堅表示，浸沒(méi)式DUV光刻技術(shù)最高可以實(shí)現六重光刻模式，可以實(shí)現更先進(jìn)的工藝，但問(wèn)題同樣來(lái)自上述相關(guān)缺點(diǎn)。
編輯：芯智訊-林子
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