錦正茂高低溫探針臺T8-LY100的技術(shù)指標
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高低溫探針臺T8-LY100能夠為半導體芯片的電學(xué)參數測試提供一個(gè)80K-420K高低溫測試環(huán)境，通過(guò)外接不同的電學(xué)測量?jì)x器，可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線(xiàn)等參數檢測，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測試。
技術(shù)指標：
1.真空腔體約直徑260mm，
2.帶有4英寸高透射觀(guān)察窗，材質(zhì)熔融石英
3.樣品載臺直徑：(50mm)平整度<5微米
4.樣品臺直徑：50mm
5.移動(dòng)范圍：±25mm
6.溫度范圍：80K-420K，控溫精度：0.1-0.5K
7.制冷方式：液氮
8· X-Y-Z行程范圍：±25mm*±25mm*0-12.5mm線(xiàn)性運動(dòng)，位移精度：1um
9· 預留光纖接入口做光響應測試
10· 預留四個(gè)探針座的接口
11· 探針長(cháng)度38mm，直徑0.5mm，針尖直徑1um
12· 兩套CCD相機（能看清1-2um）
13·耦合一套四軸應變裝置（定制）
14·三同軸射頻接口：4只，外接三同軸連接線(xiàn)雙向公頭，長(cháng)度 2米
15. 配50升液氮罐輸液管
16. 真空抽口KF50
17.重量：75kg
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