三菱電機將建設新晶圓廠(chǎng)，以推動(dòng)碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)

來(lái)源：艾邦半導體網(wǎng) 

2023 年 3 月 14 日，三菱電機宣布，將在截至2026年 3 月的五年內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約 2600 億日元，主要用于建設新的晶圓廠(chǎng)，以增加碳化硅 (SiC) 功率半導體的生產(chǎn)。根據該計劃，三菱電機預計將響應快速增長(cháng)的電動(dòng)汽車(chē) SiC 功率半導體需求，并擴大新應用市場(chǎng)，例如低能量損耗、高溫運行或高速開(kāi)關(guān)等。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節能和脫碳的綠色轉型趨勢做出貢獻。

圖  新的8英寸SiC晶圓廠(chǎng)渲染圖

新增投資的主要部分，約 1000 億日元將用于建設新的 8 英寸 SiC 晶圓廠(chǎng)和增強相關(guān)生產(chǎn)設施。新工廠(chǎng)將合并熊本縣酒酒井地區的自有設施，將生產(chǎn)大直徑 8 英寸 SiC 晶圓，引入具有最先進(jìn)能源效率和高水平自動(dòng)化生產(chǎn)效率的無(wú)塵室。 此外，該公司還將加強其 6 英寸 SiC 晶圓的生產(chǎn)設施，以滿(mǎn)足該領(lǐng)域不斷增長(cháng)的需求。

此外，三菱電機將新投資約 100 億日元用于新工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)將整合目前分散在福岡地區的現有業(yè)務(wù)，用于功率半導體的組裝和檢查。集設計、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)技術(shù)驗證于一體，將大大提升公司的開(kāi)發(fā)能力，便于及時(shí)量產(chǎn)以響應市場(chǎng)需求。剩余的 200 億日元全部為新投資，將用于設備改進(jìn)、環(huán)境安排和相關(guān)運營(yíng)。

多年來(lái)，三菱電機在引領(lǐng)家電、工業(yè)設備、軌道車(chē)輛等領(lǐng)域SiC功率模塊市場(chǎng)的同時(shí)，包括全球首款空調和高鐵SiC功率模塊，在高功率領(lǐng)域積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識。SiC 功率半導體生產(chǎn)的性能、高可靠性篩選技術(shù)和許多其他方面。

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