大基金又出手！3億投向這家A股芯片公司

基金一期和大基金二期在通富微電(19.03 -0.57%,診股)會(huì )師了。這在A(yíng)股半導體上市公司中還是比較少見(jiàn)。

　　根據通富微電11月1日晚間披露的定增結果，公司此次定增發(fā)行價(jià)為14.62元/股，較公司現價(jià)折價(jià)約23%，累計發(fā)行1.84億股，募集資金總額26.93億元，最終發(fā)行對象確定為7家。

　　其中，蘇州工業(yè)園區產(chǎn)業(yè)投資基金獲配金額最多，接近10億元；大基金二期獲配近3億元，通過(guò)參與此次定增躋身通富微電前十大股東（本次新增股份登記完成后）。

　　大基金二期近3億元參與定增

　　通富微電11月1日晚間公告，保薦機構和聯(lián)席主承銷(xiāo)商于2022年9月22日向217名符合條件的投資者送達了《通富微電子股份有限公司非公開(kāi)發(fā)行股****認購邀請書(shū)》。

　　除上述217名投資者外，2022年9月2日向證監會(huì )報送發(fā)行方案后至申購日2022年9月27日（T日），共有45名符合條件的新增投資者表達了認購意向。聯(lián)席主承銷(xiāo)商向上述新增投資者送達了《認購邀請書(shū)》。

　　截至2022年9月27日前，合計向 262 家機構和個(gè)人發(fā)送了認購邀請文件。有效申購報價(jià)單的簿記數據情況如下表所示：

　　根據投資者申購報價(jià)情況，并且根據《認購邀請書(shū)》中規定的定價(jià)原則，本次發(fā)行最終價(jià)格確定為14.62元/股，最終確定發(fā)行對象為7家，均在發(fā)行人、聯(lián)席主承銷(xiāo)商發(fā)送認購邀請書(shū)的特定對象投資者名單之內，發(fā)行的最終配售結果如下：

　　其中，申購時(shí)報價(jià)最高的是蘇州工業(yè)園區產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙），為18元，最終該基金獲配金額最多，接近10億元；大基金二期獲配金額接近3億元；科創(chuàng )板上市公司艾為電子(89.24 +6.80%,診股)也獲配1.5億元，該公司專(zhuān)注于高性能混合信號、電源管理、信號鏈等IC設計。

　　通富微電表示，扣除發(fā)行費用后公司募集資金凈額為26.78億元，擬全部用于存儲器芯片封裝測試生產(chǎn)線(xiàn)建設項目、高性能計算產(chǎn)品封裝測試產(chǎn)業(yè)化項目、5G等新一代通信用產(chǎn)品封裝測試項目、圓片級封裝類(lèi)產(chǎn)品擴產(chǎn)項目、功率器件封裝測試擴產(chǎn)項目等。

　　獲得大基金一期和二期共同投資

　　在A(yíng)股半導體公司中，通富微電是營(yíng)收排名第二的封測公司。不過(guò)，由于該公司之前收購了AMD的中國工廠(chǎng)，具備了大芯片能力。

　　此前，大基金一期曾先后投資了封測方面排名第一的長(cháng)電科技(24.16 +0.79%,診股)和通富微電。通過(guò)此次定增，通富微電成為A股上市公司中唯一得到大基金一期和大基金二期共同投資的封測公司。

　　半導體分析師陳杭告訴中國基金報記者，此前，也有一些半導體公司得到了大基金一期和大基金二期的共同投資，如設備領(lǐng)域千億市值的北方華創(chuàng )(262.00 -1.10%,診股)。

　　此外，最新披露的前十大股東最新持股情況顯示，截至10月10日，與2022年三季報持股數相比，本期共有5個(gè)股東持股數量發(fā)生變動(dòng)。

　　其中，陸股通、華夏國證半導體芯片基金、國聯(lián)安中證全指半導體基金、國泰CES半導體芯片基金、中證500交易型基金持股數量有所增加，分別增持182.02萬(wàn)股、24.75萬(wàn)股、40.50萬(wàn)股、10.56萬(wàn)股、11.63萬(wàn)股，增持后持股數量分別為3017.82萬(wàn)股、1228.90萬(wàn)股、930.54萬(wàn)股、802.83萬(wàn)股、455.08萬(wàn)股。

　　國盛證券研報指出，通富微電不斷推出新產(chǎn)品新技術(shù)，率先布局先進(jìn)封裝。公司當前已可以為客戶(hù)提供多芯片組件、集成扇出封裝、2.5D/3D等先進(jìn)封裝解決方案，且已為AMD大規模量產(chǎn)Chiplet產(chǎn)品。上半年已經(jīng)完成AMD13個(gè)、其他客戶(hù)10個(gè)新產(chǎn)品的導入工作。

　　在FCBGA封裝技術(shù)持續領(lǐng)先，5nmFC技術(shù)產(chǎn)品認證完成，推進(jìn)13顆芯片的MCM研發(fā)；Fanout技術(shù)達到世界先進(jìn)水平，完成高密度扇出型封裝平臺6層RDL開(kāi)發(fā)，解決高性能計算封裝高端基板短缺問(wèn)題。2.5D/3D先進(jìn)封裝平臺取得突破性進(jìn)展，BVR技術(shù)實(shí)現通線(xiàn)并完成客戶(hù)首批產(chǎn)品驗證。高端服務(wù)器用三維堆疊存儲器技術(shù)開(kāi)發(fā)完成。

來(lái)源：中國基金報