拜登親自站臺2納米!200億美元地球最大硅制造基地啟動(dòng),英特爾要逆襲三星臺積電?
在美國2800億美元的「芯片與科學(xué)法案」通過(guò)一個(gè)多月之后,英特爾計劃已久的俄亥俄州200億美元的芯片工廠(chǎng)終于正式破土動(dòng)工。
作為半導體產(chǎn)業(yè)回歸美國本土的標志性事件,總統拜登親臨工地現場(chǎng)出席動(dòng)工儀式,并表示祝賀。

此前,由于芯片法案推進(jìn)不順利,英特爾不久前宣布推遲計劃舉行的動(dòng)工奠基儀式,原計劃該儀式于7月底舉行。
英特爾稱(chēng),本次奠基儀式啟動(dòng)了「地球上最大的硅制造基地」的建設。未來(lái)10年,英特爾計劃在俄亥俄州投資1000億美元。
該公司表示,建廠(chǎng)計劃需要7000多名工人,預計將容納兩個(gè)獨立的工廠(chǎng),一旦完工,將雇用3000名工人。
英特爾之前推遲了該工廠(chǎng)7月的奠基儀式,因為其計劃主要依賴(lài)于「芯片法案」的資金,而國會(huì )尚未通過(guò)該法案。
但是,經(jīng)過(guò)一個(gè)夏天的談判,拜登在上個(gè)月簽署了2800億美元的「芯片與科學(xué)法案」,稱(chēng)其為「對美國一代人的投資」。
兩黨達成協(xié)議,以促進(jìn)美國的創(chuàng )新,希望在全球半導體短缺之后保護美國的經(jīng)濟和國家安全利益。
始于2020年的新冠大流行使全球芯片供應鏈斷裂,使設備制造商更難以為產(chǎn)品采購半導體。與此同時(shí),由于辦公室關(guān)閉,人們開(kāi)始在家工作,對這些商品的需求激增。
拜登在開(kāi)工儀式現場(chǎng)表示:
「正如我們在大流行期間看到的那樣,當制造這些芯片的工廠(chǎng)關(guān)閉時(shí),芯片就會(huì )停產(chǎn)。全球經(jīng)濟就會(huì )停滯不前,我們需要在美國本土制造這些芯片,以降低日常成本并創(chuàng )造良好的就業(yè)機會(huì )?!?/span>

英特爾CEO帕特·蓋爾辛格與拜登一起參加了這個(gè)儀式,他說(shuō),這座工廠(chǎng)的動(dòng)工,標志著(zhù)「鐵銹帶」時(shí)代的結束和「硅心帶」的開(kāi)始。
鐵銹帶是對美國自上世紀80年代起傳統重工業(yè)衰退的一片地區的非正式稱(chēng)呼。這一地帶始于紐約州中部,向西橫穿賓夕法尼亞州、俄亥俄州、印第安納州,止于伊利諾伊州北部、艾奧瓦州東部和威斯康星州東南。
自20世紀中葉以來(lái),由于多種經(jīng)濟因素,例如制造業(yè)向海外轉移、自動(dòng)化程度提高以及美國鋼鐵和煤炭工業(yè)衰退,這片曾被稱(chēng)為美國工業(yè)心臟地帶的地區內,工業(yè)比重一直在下降。

在該法案通過(guò)后,其他大型芯片制造商已經(jīng)宣布了在美國國內半導體制造廠(chǎng)的建設計劃。
本月早些時(shí)候,美國另一個(gè)主要芯片制造商美光公司表示,將投資150億美元在愛(ài)達荷州建立一個(gè)新工廠(chǎng)。

最近,電源芯片制造商Wolfspeed也宣布投資50億美元在北卡羅來(lái)納州建立一個(gè)新的半導體工廠(chǎng),以生產(chǎn)用于為電動(dòng)汽車(chē)等設備提供動(dòng)力的芯片原材料,以應對需求激增的情況。

「今天,我們在一個(gè)每個(gè)俄亥俄人都可以感到自豪的未來(lái)破土動(dòng)工,這項數十億美元的投資是聯(lián)邦、州和私營(yíng)部門(mén)領(lǐng)導人之間前所未有的合作的高潮,它將改變俄亥俄州的經(jīng)濟,并為后代提供機會(huì ),在這里實(shí)現穩定的中產(chǎn)生活?!苟砗ザ碇輩⒆h員候選人Tim Ryan表示。

拜登總統周五在動(dòng)工儀式上表示,英特爾將在俄亥俄州這里建立未來(lái)的勞動(dòng)力。
「現在是埋葬「銹帶」標簽的時(shí)候了,俄亥俄制造和美國制造不再僅僅是一個(gè)口號。我們需要在美國本土生產(chǎn)這些芯片。芯片行業(yè)的未來(lái)將是美國制造?!拱莸钦f(shuō)。
拯救摩爾定律,要靠納米級芯片?按照摩爾定律,集成電路上可容納的晶體管數目,約每隔兩年便會(huì )增加一倍。然而近年來(lái),一些業(yè)內人士認為,摩爾定律將不再適用了。
根據中國工程院院刊的資料,目前,普遍采用的晶體管結構,是鰭式場(chǎng)效應晶體管(FinFET)。這套工藝也是英特爾此前一直采用的。
雖然,FinFET工藝從22納米制程之后一直到5納米制程,一直是半導體的主流工藝架構。但在尺寸上已逼近物理極限,無(wú)法進(jìn)一步縮小。
在FinFET中,當晶體管尺寸變小時(shí),FinFET柵極就無(wú)法完全關(guān)閉電流。即使晶體管處于「關(guān)閉」狀態(tài),電子仍會(huì )繼續滲入通道,不但浪費電能,而且還會(huì )產(chǎn)生熱量。
而納米級芯片克服了這些障礙,使晶體管能進(jìn)一步縮小,并提高了晶體管的密度。

納米級芯片還為設計提供了更大的靈活空間,讓芯片制造商能夠通過(guò)調整芯片的寬度來(lái)微調晶體管的性能和功耗。
而且,納米級芯片的制程越高,同樣面積所能容納的晶體管數量越多,芯片性能就越高。
比如,IBM的研究出的2納米制程的芯片,與7納米制程的芯片相比,其運算速度快45%,能效可提高75%。
據業(yè)內人士的分析,英特爾新建的兩家晶圓廠(chǎng),在2025年投入生產(chǎn)時(shí),工藝水平上可以量產(chǎn)20A及18A兩代工藝。
據英特爾方面說(shuō),20A和18A是全球首個(gè)達到埃米級的芯片工藝,相當于其他芯片制造商的2納米、1.8納米工藝。
這也是為何英特爾躊躇滿(mǎn)志地預測,新工藝將會(huì )讓英特爾重新回到半導體領(lǐng)導者地位。
英特爾真能「彎道超車(chē)」嗎?通常來(lái)說(shuō),納米級芯片的從研發(fā)到投入使用之間,會(huì )經(jīng)歷很長(cháng)的時(shí)間。就拿2納米芯片來(lái)說(shuō),早在2014年,就有相關(guān)研究論文發(fā)表。到2016年,2納米的技術(shù)路線(xiàn)就開(kāi)始明確了。
2017年,IBM研究院展示了2納米技術(shù)的可行性。
2021年,IBM發(fā)布了全球首顆2納米制程的芯片。

而全球第一家宣布啟動(dòng)2納米工藝研發(fā)的代工廠(chǎng)——臺積電,預計于2025年才能實(shí)現2納米芯片的量產(chǎn)。
而且越是高制程芯片,研發(fā)越艱難,能參與的玩家就越少。
進(jìn)入10納米制程之后,全球半導體代工廠(chǎng)僅剩臺積電、三星和英特爾三家。
而在7納米制程之后,全球范圍內的競爭者就剩下臺積電和三星。
這是不是意味著(zhù),英特爾掌握了1.8納米工藝,就可以重回行業(yè)老大的位置呢?這真不一定。
首先,各大廠(chǎng)商所說(shuō)的2納米、3納米的概念,其實(shí)是每個(gè)廠(chǎng)商根據自身的參數定義的制程概念。
以驍龍為例,三星用4納米工藝代工了驍龍8,結果功耗表現不盡如人意。

之后高通切換到了臺積電4納米工藝,驍龍8+的CPU及GPU能效提升了30%之多,差別很明顯。
所以,同樣是一個(gè)納米級別的芯片,性能可能差別很大。更何況,很多時(shí)候,先進(jìn)制程是芯片制造商的宣傳手段。
其次,目前半導電制造行業(yè)的老大,在先進(jìn)制程上跑得并不慢。
根據財經(jīng)十一人的資料,臺積電的研發(fā)投入基本在穩步上升,研發(fā)增速基本上每2到3年就會(huì )有一個(gè)高點(diǎn),這與其進(jìn)入下一個(gè)制程的量產(chǎn)有關(guān)。
例如在2020年,臺積電的研發(fā)增速從2019年的8.91%一下子上升到27.59%,那一年臺積電計劃量產(chǎn)5納米工藝,并全面使用EUV。

最后,就算技術(shù)上領(lǐng)先了,率先量產(chǎn)了,不一定代表未來(lái)發(fā)展得好。在半導體行業(yè),這一點(diǎn)尤為明顯。
因為先進(jìn)技術(shù)不是目的,用先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)出可靠的產(chǎn)品才是目的。
正如很多半導體的業(yè)內人士所說(shuō),「良率是關(guān)鍵」。
制程越先進(jìn),光罩張數及工藝復雜度就越會(huì )顯著(zhù)升高,良率的提升就越難。
雖然技術(shù)、工藝、設備的革新,讓預測誰(shuí)能笑到最后,變成一件很難的事,但從產(chǎn)業(yè)的趨勢來(lái)看,擁有最長(cháng)代工歷史的臺積電,其優(yōu)勢沒(méi)那么容易被顛覆。
因為越往先進(jìn)制程走,就越不是一家或幾家企業(yè)能完成的,就需要更多全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)作與配合才能實(shí)現。
目前,蘋(píng)果、AMD、NVIDIA及高通、聯(lián)發(fā)科等公司依然選擇臺積電工藝代工,那么,在未來(lái)相當長(cháng)的時(shí)間里,臺積電行業(yè)老大的位置,恐怕還能繼續坐下去。
參考資料:
https://www.theverge.com/2022/9/9/23344834/semiconductor-joe-biden-ohio-intel-gelsinger-chips-science-subsidies
https://www.cnbeta.com/articles/tech/1314921.htm
https://mp.weixin.qq.com/s/stmj2onYa-5PI81CkRHlgQ
http://www.engineering.org.cn/ch/10.1016/j.eng.2021.11.008
來(lái)源:新智元
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