盤(pán)點(diǎn)國內IGBT企業(yè)
功率半導體是半導體行業(yè)的細分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導體的一種，作為電子電力裝置和系統中的“CPU”，高效節能減排的主力軍。
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展，IGBT主要經(jīng)歷了7代技術(shù)及工藝改進(jìn)。
新能源汽車(chē)的成本構成中，最大頭當然是動(dòng)力電池，第二高的就是IGBT。
在電動(dòng)汽車(chē)特斯拉Model 3上，提供電源的是，7000節18650電池，這些電池提供400伏直流電，而特斯拉電動(dòng)車(chē)的電機轉動(dòng)必須用交流電，通過(guò)改變電機的交流電的頻率，來(lái)改變電機的轉速，從而精準的改變車(chē)輛行駛的速度和加速能力。電動(dòng)汽車(chē)3秒可以加速到100公里的強悍起步能力，就是因為交流電機轉速啟動(dòng)特別快，這其中的轉換主要就是IGBT的功勞。
在充電樁上，充電樁從電網(wǎng)上接出來(lái)的電流是標準的220伏交流電，而特斯拉電動(dòng)汽車(chē)的電池充電，需要直流電充電，這就需要IGBT將交流電變成直流電，并把電壓提高到電動(dòng)車(chē)需要的400伏的電壓上，才能給7000節18650電池充電。IGBT的性能直接決定了電動(dòng)車(chē)的充電效率和充電速度。
IGBT 門(mén)檻較高，長(cháng)期以來(lái)主要由英飛凌、富士電機等壟斷，市場(chǎng)競爭方面，英飛凌占據了絕對的領(lǐng)先地位，其模組產(chǎn)品市占率35.6%、分立器件產(chǎn)品市占率 32.5%。不過(guò)國內 IGBT 企業(yè)也在奮起直追，新參與者也不斷涌入。
IGBT 新參與者主要分為三類(lèi)：
一是老牌功率器件廠(chǎng)商逐漸向 IGBT 等高端業(yè)務(wù)擴展業(yè)務(wù)。
二是終端廠(chǎng)商向供應鏈上游拓展，如比亞迪于 2005 年進(jìn)入IGBT產(chǎn)業(yè)，目前其推出的 IGBT 4.0 產(chǎn)品在電流輸出、綜合損耗及溫度循環(huán)壽命等許多關(guān)鍵指標上超越了英飛凌等主流企業(yè)的產(chǎn)品，并實(shí)現了對外供應；
三是新創(chuàng )企業(yè)進(jìn)入IGBT 賽道，如芯聚能半導體于 2019 年 9 月開(kāi)啟 25 億元的投資項目，目標面向新能源汽車(chē)用功率模塊。
接下來(lái)為大家盤(pán)點(diǎn)一下國內的IGBT企業(yè)：
▼視頻版▼
注：名單排名不分先后，不完全統計。
▼詳細圖文版▼
1.比亞迪半導體
成立時(shí)間：2003年
業(yè)務(wù)模式：IDM業(yè)務(wù)模式：IDM簡(jiǎn)介：比亞迪半導體股份有限公司是國內領(lǐng)先的IDM企業(yè)，主要從事功率半導體、智能控制IC、智能傳感器、光電半導體，半導體制造及服務(wù)，覆蓋了對光、電、磁等信號的感應、處理及控制， 產(chǎn)品廣泛應用于汽車(chē)、能源、工業(yè)和消費電子等領(lǐng)域，具有廣闊的市場(chǎng)前景。
比亞迪半導體2007 年建立 IGBT 模塊生產(chǎn)線(xiàn)，2009年完成首款車(chē)規級IGBT芯片開(kāi)發(fā)，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產(chǎn)品。2018 年底發(fā)布其自研車(chē)規級IGBT 4.0 技術(shù)。
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2.中車(chē)時(shí)代電氣
成立時(shí)間：2005年業(yè)務(wù)模式：IDM簡(jiǎn)介：株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車(chē)旗下股份制企業(yè)，公司是我國唯一一家全面掌握晶閘管、整流管、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、SiC（碳化硅）器件及功率組件全套技術(shù)的廠(chǎng)家，國內唯一自主掌握了高鐵動(dòng)力 IGBT 芯片及模塊技術(shù)的企業(yè)。
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3.士蘭微
成立時(shí)間：1997年
業(yè)務(wù)模式：IDM簡(jiǎn)介：杭州士蘭微電子股份有限公司是專(zhuān)業(yè)從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。公司成立于1997年9月，總部在中國杭州。
士蘭微電子建在杭州錢(qián)塘新區的集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)目前實(shí)際月產(chǎn)出達到22萬(wàn)片，在小于和等于6英寸的芯片制造產(chǎn)能中排在全球第二位。公司8英寸生產(chǎn)線(xiàn)于2015年開(kāi)工建設，2017年投產(chǎn)，成為國內第一家擁有8英寸生產(chǎn)線(xiàn)的IDM產(chǎn)品公司，2020年實(shí)際月產(chǎn)能達到5～6萬(wàn)片。2018年，公司12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及先進(jìn)化合物半導體器件生產(chǎn)線(xiàn)在廈門(mén)開(kāi)工建設。2020年，士蘭化合物半導體生產(chǎn)線(xiàn)正式投產(chǎn)，士蘭12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始試產(chǎn)。
公司目前的產(chǎn)品和研發(fā)投入主要集中在以下三個(gè)領(lǐng)域：
?基于士蘭芯片生產(chǎn)線(xiàn)高壓、高功率、特殊工藝的集成電路、功率模塊(IPM/PIM)、功率器件及（各類(lèi)MCU/專(zhuān)用IC組成的）功率半導體方案?MEMS傳感器產(chǎn)品、數字音視頻和智能語(yǔ)音產(chǎn)品、通用ASIC電路?光電產(chǎn)品及LED芯片制造和封裝（含內外彩屏和LED照明）
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4.華潤微
成立時(shí)間：1997年
業(yè)務(wù)模式：IDM簡(jiǎn)介：公司產(chǎn)品聚焦于功率半導體、智能傳感器領(lǐng)域，為客戶(hù)提供系列化的半導體產(chǎn)品與服務(wù)。
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5.揚杰科技
成立時(shí)間：2006年業(yè)務(wù)模式：IDM簡(jiǎn)介：揚州揚杰電子科技股份有限公司是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷(xiāo)售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的廠(chǎng)商。產(chǎn)品線(xiàn)含蓋分立器件芯片、整流器件、保護器件、小信號、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶(hù)提供一攬子產(chǎn)品解決方案。
于2018年3月控股一條宜興 6 英寸生產(chǎn)線(xiàn)，目前已開(kāi)始量產(chǎn)用于電磁爐等小家電的 IGBT 芯片；2018 年公司 IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近 6000 片。
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6.華微電子
成立時(shí)間：1999年業(yè)務(wù)模式：IDM簡(jiǎn)介：公司擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線(xiàn)，芯片加工能力為每年500萬(wàn)片，封裝資源為每年24億只，模塊每年1800萬(wàn)塊。公司主要生產(chǎn)功率半導體器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營(yíng)銷(xiāo)主線(xiàn)的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類(lèi)基本覆蓋功率半導體器件全部范圍，廣泛應用于汽車(chē)電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域，并不斷在新能源汽車(chē)、光伏、變頻等戰略性新興領(lǐng)域快速拓展。
2019年4月公司募投8英寸生產(chǎn)線(xiàn)項目，重點(diǎn)用于工業(yè)傳動(dòng)、消費電子等領(lǐng)域 IGBT芯片的生產(chǎn)。
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7.斯達半導
成立時(shí)間：2005年
業(yè)務(wù)模式：模組簡(jiǎn)介：嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導體芯片和模塊尤其是IGBT芯片和模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，公司總部位于浙江嘉興，在上海和歐洲均設有子公司，并在國內和歐洲設有研發(fā)中心，是目前國內IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。
公司主要產(chǎn)品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模塊，實(shí)現了進(jìn)口替代。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過(guò)600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應用于新能源汽車(chē)、變頻器、逆變焊機、UPS、光伏/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。
根據2020年國際著(zhù)名研究及咨詢(xún)機構IHS最新研究報告，嘉興斯達半導體股份有限公司在全球IGBT模塊市場(chǎng)排名第七，是唯一一家進(jìn)入全球前十的中國企業(yè)。
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8.南京銀茂微
成立時(shí)間：2007年
業(yè)務(wù)模式：模組簡(jiǎn)介：南京銀茂微電子專(zhuān)注于工業(yè)和其他應用的功率IGBT和MOSFET模塊產(chǎn)品的設計和制造。
通過(guò)采用現代化的設備來(lái)處理和表征高達3.3kV的電源模塊，建立了先進(jìn)的電源模塊制造能力。自2009年以來(lái)，已通過(guò)ISO9001和ISO14001認證，并且大多數產(chǎn)品還通過(guò)了UL認證。能夠執行電源模塊鑒定測試，例如室內電氣和環(huán)境壽命測試。于2016年獲得TS16949認證。
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9.達新半導體
成立時(shí)間：2013年
業(yè)務(wù)模式：模組簡(jiǎn)介：寧波達新半導體有限公司是由海歸博士創(chuàng )立的一家中外合資的國家級高新技術(shù)企業(yè)，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷(xiāo)售，并提供相關(guān)的應用解決方案。
公司總部位于浙江省余姚市，建有國內領(lǐng)先的測試應用評估中心，中心包括芯片評估、器件測試、應用分析及可靠性等實(shí)驗室。公司建有一條制造手段先進(jìn)IGBT模塊產(chǎn)線(xiàn)，在上海有芯片設計中心，負責芯片設計和制造管理。公司具備芯片設計、晶圓制造、模塊制造及應用的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，在IGBT芯片開(kāi)發(fā)，模塊制造和產(chǎn)品應用具有自己獨特優(yōu)勢。
公司在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開(kāi)發(fā)600V-3300V IGBT芯片產(chǎn)品，芯片電流等級涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿(mǎn)足工業(yè)應用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產(chǎn)品可廣泛應用于白色家電、逆變焊機、工業(yè)變頻、感應加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車(chē)、太陽(yáng)能/風(fēng)力發(fā)電、SVG等領(lǐng)域。
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10.江蘇宏微
成立時(shí)間：2006年業(yè)務(wù)模式：模組簡(jiǎn)介：江蘇宏微科技股份有限公司是由一批長(cháng)期在國內外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)，具有多種專(zhuān)項技術(shù)的科技人員組建的國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)。是國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地，國家IGBT和FRED標準起草單位。
業(yè)務(wù)范圍包括：
1、設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶(hù)定制模塊(CSPM)；
2、高效節能電力電子裝置的模塊化設計、制造及系統的解決方案，如動(dòng)態(tài)節能照明電源、開(kāi)關(guān)電源、UPS、逆變及變頻裝置等。
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11.廣東芯聚能
成立時(shí)間：2018年
業(yè)務(wù)模式：模組簡(jiǎn)介：廣東芯聚能是一家車(chē)規級功率半導體元器件研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。
主營(yíng)業(yè)務(wù)包括：面向新能源電動(dòng)汽車(chē)（EV、HEV）主驅動(dòng)器的核心功率半導體芯片設計、器件與模塊產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售與服務(wù)支持。同時(shí)也提供工業(yè)、民用級功率半導體相關(guān)產(chǎn)品，可廣泛應用于變頻家電、工業(yè)變頻器、光伏發(fā)電、智能電源裝備等領(lǐng)域。
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12.中芯紹興
成立時(shí)間：2018年
業(yè)務(wù)模式：制造簡(jiǎn)介：紹興中芯集成電路制造股份有限公司(中芯紹興，SMEC)成立于2018年3月, 總部位于浙江紹興，是一家專(zhuān)注于功率, 傳感和傳輸應用領(lǐng)域，提供特色工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。
技術(shù)上，立足于場(chǎng)截止型（Field Stop）IGBT結構，采用業(yè)界先進(jìn)的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V~1200V等器件工藝均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。
中芯紹興自成立以來(lái)，聚焦在人工智能、移動(dòng)通信、車(chē)載、工控等領(lǐng)域，通過(guò)構建持續研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力，努力實(shí)現在微機電系統和功率器件制造工藝方面，達到國際一流水平的目標。
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13.華虹宏力
成立時(shí)間：2003年
業(yè)務(wù)模式：制造簡(jiǎn)介：自建設中國大陸第一條8英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)起步，目前在上海金橋和張江共有三條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)（華虹一、二及三廠(chǎng)），月產(chǎn)能約18萬(wàn)片。華虹宏力工藝技術(shù)覆蓋1微米至90納米各節點(diǎn)，其嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺在全球業(yè)界極具競爭力，并擁有多年成功量產(chǎn)汽車(chē)電子芯片的經(jīng)驗。
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14.深圳方正微
成立時(shí)間：2003年
業(yè)務(wù)模式：制造簡(jiǎn)介：深圳方正微電子有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“方正微電子”)成立于2003年12月。是一家從事集成電路芯片制造的國家高新技術(shù)企業(yè)。
公司致力于電源管理芯片和新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化，持續聚焦智能手機、平板電腦、變頻家電、LED照明以及新能源汽車(chē)等新興領(lǐng)域對功率半導體的市場(chǎng)需求，秉持晶圓代工經(jīng)營(yíng)模式，專(zhuān)注于為客戶(hù)提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。
方正微電子是國內首家實(shí)現6英寸碳化硅器件制造的廠(chǎng)商，其開(kāi)發(fā)的13個(gè)系列的碳化硅產(chǎn)品已進(jìn)入商業(yè)化應用，性能達到國際先進(jìn)水平。另外,公司成功開(kāi)發(fā)出使用6英寸硅基氮化鎵材料制備的HEMT和SBD器件，耐壓超過(guò)1200V，性能居國內領(lǐng)先水平。
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15.上海先進(jìn)
成立時(shí)間：1988年
業(yè)務(wù)模式：制造簡(jiǎn)介：上海先進(jìn)半導體制造有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“上海先進(jìn)”），于1988年由中荷合資成立為上海飛利浦半導體公司，1995年易名為上海先進(jìn)半導體制造有限公司，2004年改制為上海先進(jìn)半導體制造股份有限公司，2019年被上海積塔半導體有限公司吸收合并，改制為上海先進(jìn)半導體制造有限公司。 上海先進(jìn)位于上海市徐匯區漕河涇新興技術(shù)開(kāi)發(fā)區，是一家大規模集成電路芯片制造公司。目前，公司有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，專(zhuān)注于模擬電路、功率器件的制造，8英寸等值晶圓年產(chǎn)能66.4萬(wàn)片
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16.華潤上華
業(yè)務(wù)模式：制造簡(jiǎn)介：隸屬于華潤微電子，華潤上華擁有兩條六英寸代工線(xiàn)和一條八英寸代工線(xiàn)，其六英寸生產(chǎn)線(xiàn)是國內首家開(kāi)放式晶圓代工廠(chǎng)。以產(chǎn)能計為目前國內最大的六英寸代工企業(yè)，月產(chǎn)能逾21萬(wàn)片，工藝線(xiàn)寬在0.5微米以上；八英寸生產(chǎn)線(xiàn)目前月產(chǎn)能已達6.5萬(wàn)片。
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17.深圳芯能
成立時(shí)間：2013年
業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：深圳芯能半導體技術(shù)有限公司(Xiner 芯能半導體)成立于2013年，致力于IGBT芯片、IGBT驅動(dòng)芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應用和銷(xiāo)售。主要人員都有十多年的行業(yè)積累，在國內率先成功量產(chǎn)基于FST工藝的IGBT產(chǎn)品。
目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個(gè)領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能?chē)鴥阮I(lǐng)先。產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)變頻器、伺服驅動(dòng)器、變頻家電、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機等領(lǐng)域；針對中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均得到終端客戶(hù)的一致認可。
芯能是國內唯一一家同時(shí)具備IGBT芯片、IGBT驅動(dòng)芯片以及大功率智能功率模塊設計能力的公司。
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18.上海陸芯
成立時(shí)間：2015年業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：上海陸芯電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于最新一代功率半導體器件的高科技公司。公司經(jīng)過(guò)不斷努力，成功通過(guò) ISO9001：2015質(zhì)量管理體系認證，擁有自主知識產(chǎn)權和品牌。陸芯公司目前累計擁有17項自主創(chuàng )新專(zhuān)利。
陸芯科技具有強勁的工藝開(kāi)發(fā)技術(shù)和設計能力，是國內新一代功率半導體技術(shù)的領(lǐng)航企業(yè)。陸芯科技功率半導體產(chǎn)品包括：最新一代Trench Field-Stop技術(shù)的400V 200A~400A系列IGBT、650V 10A~200A系列IGBT、1200V&1350V 15A~100A系列IGBT；500V~900V系列SJMOS、650V&1200V系列功率二極管；650V&1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產(chǎn)品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術(shù)優(yōu)勢：通過(guò)優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實(shí)現IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業(yè)級和汽車(chē)級可靠性標準；通過(guò)控制少子壽命，優(yōu)化飽和壓降和開(kāi)關(guān)速度；實(shí)現安全操作區（SOA）和短路電流安全操作區域SCSOA性能最優(yōu)；改善IGBT有源區元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；調節背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實(shí)現60um~180um晶圓厚度的大規模量產(chǎn)。
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19.中科君芯
成立時(shí)間：2011年業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：江蘇中科君芯科技有限公司是一家專(zhuān)注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。公司成立于2011年底，依托中國科學(xué)院的科研團隊和研發(fā)平臺，結合海內外的技術(shù)精英以及專(zhuān)業(yè)的市場(chǎng)管理團隊共同組建而成。
作為國內業(yè)界的領(lǐng)軍者，君芯科技是國內率先開(kāi)發(fā)出溝槽柵場(chǎng)截止型（Trench FS）技術(shù)并真正實(shí)現量產(chǎn)的企業(yè)。公司推出的IGBT芯片、單管和模塊產(chǎn)品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應用于感應加熱、逆變焊機、工業(yè)變頻、新能源等領(lǐng)域，并得到客戶(hù)的廣泛認可。
君芯科技獨創(chuàng )的DCS技術(shù)將應用于最新的汽車(chē)級IGBT芯片中。
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20.無(wú)錫新潔能
成立時(shí)間：2009年業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：無(wú)錫新潔能專(zhuān)業(yè)從事半導體功率器件的研發(fā)與銷(xiāo)售。目前公司主要產(chǎn)品包括：12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項專(zhuān)利授權，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認定。
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21.科達半導體
成立時(shí)間：2007年業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：科達半導體有限公司主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導體器件( 電力電子器件）的設計、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。公司擁有國內一流的設計研發(fā)團隊，所設計研發(fā)的IGBT及FRD產(chǎn)品國內先進(jìn)。公司擁有省級設計中心，省級功率半導體工程中心，并配有功能齊全的性能測試實(shí)驗室和可靠性實(shí)驗室。公司產(chǎn)品廣泛應用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機、無(wú)刷馬達控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、液晶電視及顯示器、太陽(yáng)能應用等領(lǐng)域。
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22.西安芯派
成立時(shí)間：2008年業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：西安芯派電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)芯派科技)成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包含：中大功率場(chǎng)效應管(MOSFET，低壓至高壓全系列產(chǎn)品)、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、二極管(含快速恢復二極管及肖特基二極管)、橋堆以及電源管理IC等。
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23.無(wú)錫紫光微
業(yè)務(wù)模式：設計簡(jiǎn)介：無(wú)錫紫光微電子有限公司是由紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專(zhuān)注于先進(jìn)半導體功率器件和集成電路的設計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷(xiāo)售的集成電路設計企業(yè)。
公司的團隊是由一批在國內外著(zhù)名半導體公司工作多年的具有豐富產(chǎn)品設計、經(jīng)營(yíng)管理經(jīng)驗的成員組成。公司開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先進(jìn)半導體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應用于節能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)、儀器儀表、消費電子等領(lǐng)域。
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