2025年SiC芯片規模有望增7倍

韓國先驅報報導，電動(dòng)車(chē)需要使用大量芯片，總計超過(guò)2,000個(gè)，遠高于傳統內燃機引擎汽車(chē)的200~300個(gè)。其中功率芯片是重中之重，功用是減少電池的電力供給損失、并分配電動(dòng)車(chē)用電。傳統的功率芯片由硅制成，不過(guò)特斯拉(Tesla)慧眼獨具，2017年開(kāi)始在Model 3系列改用SiC功率芯片，促使效能顯著(zhù)提升。
Shinhan Investment分析師Ko Yeong-min表示，特斯拉首開(kāi)先例，在電動(dòng)車(chē)逆變器(inverter)內使用SiC功率芯片，這讓特斯拉逆變器的效能提升10倍、體積縮小43%、重量也比傳統逆變器減少6公斤?，F代汽車(chē)(Hyundai Motor)、比亞迪(BYD)、豐田(Toyota)都仿效特斯拉，開(kāi)始使用SiC功率芯片。
和傳統的硅基功率芯片相比，SiC功率芯片能承受10倍的電壓，這表示SiC功率芯片只要1/10的厚度，表現就可追平硅基芯片。而且SiC功率芯片能承受攝氏600度的高溫，無(wú)須另裝冷卻系統。除此之外，SiC功率芯片的用電量較少，能延長(cháng)電動(dòng)車(chē)續航力，有望顛覆電動(dòng)車(chē)市。
Shinhan Investment估計，車(chē)用SiC市場(chǎng)規模，將從2021年的2兆韓元、2025年增至17兆韓元(143億美元)。Hyundai Motor Securities分析師Roh Geun-chang預測：「SiC芯片將是2022年的大趨勢」。
取代硅的次代半導體！日挺GaN 料10年內問(wèn)世
數十年來(lái)，硅一直是半導體科技的基石，但是許多專(zhuān)家認為硅的發(fā)展來(lái)到極限，氮化鎵(gallium trioxide、簡(jiǎn)稱(chēng)GaN)有望取而代之。日本政府砸錢(qián)相挺，相信以GaN為基礎的半導體，將在2020年代后期上市。
韓媒etnews 2020年9月報導，自駕車(chē)和電動(dòng)車(chē)蓬勃發(fā)展，能在極端環(huán)境下控制電流的功率半導體備受矚目。GaN和碳化硅 (silicon carbide、簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)是少數符合此種條件的半導體材料。其中以GaN為基礎的功率半導體最受注意，被視為「次世代的功率半導體」。
有鑒于此，日本經(jīng)產(chǎn)省準備資助日企和大學(xué)，發(fā)展耗電量更低的次世代半導體，預計2021年撥款2,030萬(wàn)美元，未來(lái)五年共計斥資8,560萬(wàn)美元。日方補助鎖定研發(fā)GaN材料的企業(yè)，GaN半導體能降低耗電。
來(lái)源：內容來(lái)自MoneyDJ