“狼的速度”？SiC功率半導體模塊動(dòng)態(tài)測試挑戰及應對

眾所周知，碳化硅半導體帶隙寬，用于 MOSFET 中時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗極低，因此相較于普通的硅器件，可允許更高的開(kāi)關(guān)頻率，被形象地稱(chēng)之為“狼的速度”，而寬禁帶功率半導體器件測試，尤其是精準、全面、可靠的器件特性表征，對于器件本身的迭代以及各場(chǎng)景的應用都起著(zhù)關(guān)鍵作用。

SiC MOSFET器件高頻開(kāi)關(guān)特性對器件測試系統寄生電感控制、測試帶寬、連接方式等都提出了更高的挑戰。如何駕馭狼的速度，跨越“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三座大山，始終是第三代半導體行業(yè)關(guān)注的熱點(diǎn)。

同時(shí)，與傳統的硅半導體相比，碳化硅半導體能夠在更高的溫度和更高的電壓下工作。SiC 功率半導體具有關(guān)鍵的效率特性，能夠降低成本，同時(shí)提高多種應用中的系統性能，如電動(dòng)汽車(chē)充電器、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)電機驅動(dòng)器等，預計其使用將呈指數級增長(cháng)。

從碳化硅整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，滿(mǎn)足下游終端客戶(hù)需求一方面是靠?jì)?yōu)異的碳化硅芯片性能，但模塊封裝設計及系統應用也尤為重要。作為國內碳化硅領(lǐng)域的先行者之一，忱芯科技已經(jīng)研發(fā)出多款全碳化硅MOSFET模塊，SiC MOSFET模塊可以作為電力系統的主開(kāi)關(guān)，更好地發(fā)揮SiC低損耗的特點(diǎn)，相較于SBD模塊其應用范圍更廣且技術(shù)壁壘更高。