(2021.11.1)半導體周要聞－莫大康

半導體周要聞

2021.10.25- 2021.10.29

1. 半導體設備國產(chǎn)化專(zhuān)題：中微、盛美、北方華創(chuàng )、華海清科、拓荊、屹唐半導體等是12寸線(xiàn)設備國產(chǎn)化的關(guān)鍵推動(dòng)者

據國際招標網(wǎng)中標數量統計，目前國內主要的4條12寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)的整體國產(chǎn)化率不足15%。分設備類(lèi)型來(lái)看，去膠設備的國產(chǎn)化水平最高，接近70%，CMP、刻蝕、清洗、熱處理等工藝設備類(lèi)別的國產(chǎn)化率均超20%，PVD設備整體國產(chǎn)化率近15%，CVD、離子注入、量測、光刻、涂膠顯影、鍍銅等設備的國產(chǎn)化率均不足5%。

12英寸產(chǎn)線(xiàn)的工藝設備國產(chǎn)化平均水平接近13%。據中國國際招標網(wǎng)數據統計，長(cháng)江存儲、華虹無(wú)錫、合肥晶合、上海華力二期四個(gè)項目共累計采購數千臺工藝設備，整體國產(chǎn)化率接近13%。

2. 士蘭微Q3凈利潤暴漲2075.21%！

10月29日，士蘭微發(fā)布三季報稱(chēng)，2021年7-9月，公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入為19.14億元，同比增長(cháng)51.98%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為2.97億元，同比增長(cháng)2075.21%?？鄯莾衾麧?.85億元，同比增長(cháng)11960.79%。

2021年前三季度，士蘭微實(shí)現營(yíng)業(yè)收入為52.22億元，同比增長(cháng)76.18%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為7.28億元，同比增長(cháng)1543.39%?？鄯莾衾麧?.87億元，同比增長(cháng)14883.51%。

士蘭微表示，2021年1-9月，半導體行業(yè)景氣度持續向好，功率半導體等芯片國產(chǎn)替代加速，公司在特色工藝平臺建設、新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、戰略級大客戶(hù)合作等方面不斷取得突破，加快產(chǎn)品結構調整，積極擴大產(chǎn)能，集成電路和分立器件等產(chǎn)品出貨量持續增長(cháng)。

3. 寧南山聊聊華為的三季報

華為的芯片是2020年9月徹底斷供的--因為制造被卡了。

今年10月29日華為發(fā)布2021年前三季度經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jì)，前三季度公司實(shí)現銷(xiāo)售收入4558億元人民幣，凈利潤率10.2%。

2021年第一季度，華為營(yíng)收為1522億元，凈利潤率11.1%，去年同期為1822億人民幣，下降16.5%；

2021年第二季度，華為營(yíng)收為1682億元，凈利潤率8.6%，去年同期為2718億人民幣，下降38.1%；

2021年第三季度，華為營(yíng)收為1354億元，凈利潤率10.2%，去年同期為2173億人民幣，下降37.7%。

4. Semiwiki：全球半導體資本支出是否過(guò)大，有產(chǎn)能過(guò)剩危險？

臺積電、三星和英特爾合計占半導體行業(yè)總資本支出的一半以上。Gartner 7月份預測2021年行業(yè)資本支出為1419億美元，自2021年以來(lái)增長(cháng)28%。預計2021年資本支出將大幅增長(cháng)的其他公司包括代工廠(chǎng)聯(lián)電和格芯、美光和SK海力士；以及集成設備制造商（IDM）意法半導體、英飛凌和瑞薩電子。

臺積電半導體行業(yè)目前正經(jīng)歷著(zhù)由汽車(chē)電子、5G智能手機和基礎設施、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、數據中心，以及由于新冠大流行驅動(dòng)的家庭工作、教育和娛樂(lè )而加速的個(gè)人電腦增長(cháng)所帶來(lái)的大量的需求增長(cháng)。Gartner預測2021年半導體行業(yè)資本支出將增長(cháng)28%，這將是自2017年增長(cháng)29%以來(lái)的最高水平。如果2021年資本支出增長(cháng)30%或以上，這將是自11年前，2010年的118%的增長(cháng)率以來(lái)的最高水平。

Gartner最新預測2021年資本支出增長(cháng)28%，世界半導體貿易統計組織（WSTS）預測2021年市場(chǎng)增長(cháng)25%。根據上述模型，未來(lái)兩三年增長(cháng)將減速，2023年可能出現下降。

5. 晶圓代工擴產(chǎn)成魔王關(guān)卡，臺積電漲價(jià)對手群難跟進(jìn)

據晶圓代工業(yè)者表示，興建晶圓廠(chǎng)所費不貲，先期必須掌握三大要件，包括政府補助、初期大客戶(hù)包產(chǎn)能或出資購置設備，以及掌握至少未來(lái)5年需求能見(jiàn)度高檔等。

連市占過(guò)半的臺積電都難以?huà)毂ＷC，面臨毛利率面臨下滑危機，不得不出手調漲代工價(jià)格，更遑論其他業(yè)者。由此可知目前晶圓代工大掀擴產(chǎn)潮，未來(lái)海水退了就知道實(shí)力，不論是美國新廠(chǎng)推進(jìn)卡關(guān)的英特爾，或是要在新加坡再設廠(chǎng)的聯(lián)電，產(chǎn)能增不完全是喜事，反而已成魔王關(guān)卡。

以臺積電擴產(chǎn)藍圖來(lái)看，目前美國5納米廠(chǎng)、南京28納米擴產(chǎn)，或是日本22/28納米特殊制程新廠(chǎng)，都已確定量產(chǎn)後2~3年內的客戶(hù)名單與訂單規模，美國與日本新廠(chǎng)更有當地政府鉅額資金補助落袋，因此至少能將初期「不賺錢(qián)」的風(fēng)險疑慮降低最低，賠本的生意臺積電不會(huì )去做。

事實(shí)上，外界對於英特爾重返代工或是展開(kāi)歐美大擴產(chǎn)的動(dòng)作多持平保守看待，主要是英特爾首要迫切的危機不在產(chǎn)能短缺，而是先進(jìn)制程技術(shù)卡關(guān)問(wèn)題。大舉擴產(chǎn)、重返委外代工對於毛利率與整體獲利影響甚鉅，英特爾很難像臺積電大漲代工報價(jià)，現在啟動(dòng)大擴產(chǎn)，恐將承受始料未及的獲利下滑壓力。

目前市場(chǎng)又陷入需求放緩，已難再有上半年爆發(fā)的榮景雜音，聯(lián)電要在成本高昂的新加坡興建新廠(chǎng)，恐將折損拉升不易的毛利率與利潤，未來(lái)供需反轉、產(chǎn)能閑置更將會(huì )是惡夢(mèng)，最有可能應只是在既有新加坡12i廠(chǎng)進(jìn)行產(chǎn)能擴充，營(yíng)運低迷多年的聯(lián)電，應相當清楚半導體超級循環(huán)期不會(huì )一直無(wú)止境。

6. 傳紫光集團破產(chǎn)重整迎來(lái)新進(jìn)展，兩家意向投資方進(jìn)入下一輪競標

據財新報道，兩名知情人士透露，參與紫光重組的七家意向投資方中有兩家進(jìn)入下一輪競標，分別是浙江省國資和阿里巴巴聯(lián)合體以及北京的智路建廣聯(lián)合體。

7. SK海力士將以4.92億美元收購8英寸晶圓代工廠(chǎng)Key Foundry

全球第二大內存芯片制造商SK海力士周五表示，將以5760億韓元（4.92億美元）收購韓國晶圓代工廠(chǎng)商KeyFoundry。

公開(kāi)資料顯示，KeyFoundry成立于2020年9月，由MagnaChipSemiconductor的代工部門(mén)分拆而成。

8. 美國參議院投****通過(guò)安全設備法案，加強對華為和中興等企業(yè)的限制

據路透社10月29日報道，美國參議院周四一致投****批準立法，防止華為或中興通訊等被視為帶來(lái)安全威脅的公司，從美國監管機構獲得新的設備許可證。

9. 三星規劃史無(wú)前例的晶圓代工投資

三星電子周四表示，今年的資本支出將從去年的 330 億美元大幅增加，主要是在內存市場(chǎng)前景不明朗的情況下，在確認收入接近 2018 年鼎盛時(shí)期的收入以及第三季度最強芯片收入創(chuàng )下有史以來(lái)最好的芯片之后出貨量。

該公司計劃在新采用 DDR5 的情況下繼續擴展 15 納米 DRAM 和 128 層 V-NAND。它還將擴大14納米DRAM和176-后來(lái)的V-NAND的量產(chǎn)，并通過(guò)降低成本來(lái)增強市場(chǎng)競爭力。

日經(jīng)亞洲評論報導，三星高層Han Seung-hoon 28日在財報電話(huà)會(huì )議上表示，2026年產(chǎn)能計劃擴充三倍，不但會(huì )擴增位于平澤市的生產(chǎn)線(xiàn)，也許還會(huì )前往美國打造一座全新晶圓廠(chǎng)，盡量滿(mǎn)足客戶(hù)需求。

三星并重申，預定明(2022)年上半年為客戶(hù)生產(chǎn)旗下第一代3nm制程芯片，而第二代3nm芯片則預計2023年出爐。Han表示，晶圓代工事業(yè)將藉由3nmGAA制程拿下技術(shù)領(lǐng)先地位，大幅改善業(yè)績(jì)表現。

10. 年增百分之13.3， 2022年晶圓代工產(chǎn)值有望達1176.9億美元

展望2022年，在臺積電為首的漲價(jià)潮帶動(dòng)下，預期明年晶圓代工產(chǎn)值將達1,176.9億美元，年增13.3%。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2021年前十大晶圓代工業(yè)者資本支出超越500億美元，年增43%；2022年在新建廠(chǎng)房完工、設備陸續交貨移入的帶動(dòng)下，資本支出預估將維持在500~600億美元高檔，年增幅度約15%，且在臺積電正式宣布日本新廠(chǎng)的推升下，整體年增率將再次上修，預估2022年全球晶圓代工廠(chǎng)8吋產(chǎn)能年均新增約6%，12吋的年均新增約14%。

由于8吋晶圓制造設備價(jià)格與12吋相當，但晶圓平均銷(xiāo)售單價(jià)卻相對較低，擴產(chǎn)較難達到成本效益，因此擴產(chǎn)幅度相當有限；12吋方面，從制程來(lái)看，12吋新增產(chǎn)能當中，超過(guò)50%為現今最為短缺的成熟制程（1Xnm及以上），且相較于2021年新增產(chǎn)能多半來(lái)自于如華虹無(wú)錫（Hua Hong Wuxi）及合肥晶合（Nexchip），2022年新增產(chǎn)能主要來(lái)自臺積電及聯(lián)電，擴產(chǎn)制程集中于現階段極其短缺的40nm及28nm節點(diǎn)，預期芯片荒將稍有緩解。

11. 做晶圓廠(chǎng)的新型戰略伙伴，國產(chǎn)半導體設備要馭勢而行

隨著(zhù)中芯國際提出要打造新型戰略供應商模式，國產(chǎn)半導體設備的重要性被再一次凸顯出來(lái)。怎樣在難得一遇的行業(yè)擴產(chǎn)潮面前，進(jìn)一步提高設備的國產(chǎn)化率，將是整個(gè)行業(yè)面臨的一次“大考”。

在剛剛結束的IC world 2021上，中芯國際表示去年花了1/3的時(shí)間來(lái)梳理和支持國產(chǎn)廠(chǎng)商。為此，公司成立了關(guān)健部件攻關(guān)技術(shù)委員會(huì )，下轄6大模塊16小組。每個(gè)模塊均由公司資深專(zhuān)家掛帥，全力解決備件自主問(wèn)題，經(jīng)過(guò)不到一年的時(shí)間，風(fēng)險備件的替代率已經(jīng)快速提升到30%以上。

張昕就指出，晶圓廠(chǎng)要改變國產(chǎn)設備的采購策略，從“價(jià)低者得和降價(jià)30%”向批量采購支持戰略供應商的策略轉變。

半導體設備使用的核心零部件種類(lèi)繁多，具有研發(fā)周期長(cháng)、小批量高成本等特點(diǎn)，要實(shí)現完全替代，還需要經(jīng)過(guò)技術(shù)和市場(chǎng)的反復考驗。好在國內擁有全部工業(yè)門(mén)類(lèi)，只要條件成熟，終會(huì )跨過(guò)這個(gè)門(mén)檻。

12. 中微公司前三季度凈利潤增長(cháng)95.66%，新簽訂單金額達35.2億元

集微網(wǎng)消息 10月27日，中微公司發(fā)布三季報稱(chēng)，2021年7-9月，公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入為7.34億元，同比增長(cháng)47.45%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.45億元，同比下降8.02%。

13. TSIA估今年中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將突破4萬(wàn)億元新臺幣成長(cháng)24.7%

27日，臺積電董事長(cháng)劉德音以臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )（TSIA）理事長(cháng)身份出席TSIA首度召開(kāi)的在線(xiàn)年會(huì )開(kāi)幕致詞。

他提到，TSIA統計2020年中國臺灣地區半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值已突破3萬(wàn)億元新臺幣，今年產(chǎn)值突破4萬(wàn)億元新臺幣，成長(cháng)24.7%。2019年底開(kāi)始的新冠疫情在全球蔓延已快兩年，使得全球半導體供應鏈遭遇很大沖擊，然而中國臺灣半導體產(chǎn)業(yè)仍然創(chuàng )造出制造第一、封測第一、IC設計第二的好成績(jì)。

14. ICinsights：傳感器銷(xiāo)量放緩阻礙OSD增幅

據IC insights預計，光電子、傳感器/執行器和分立器件 (OSD) 今年的全球銷(xiāo)售額將從 2020 年的 883 億美元增長(cháng) 18%至 1,043 億美元，在 Covid-19 病毒爆發(fā)期間，這一半導體市場(chǎng)增長(cháng)不到 3%年，根據 IC Insights的報告預計 ，2022 年 OSD 總銷(xiāo)售額將增長(cháng) 11%達到 1155 億美元（圖 ）。OSD 產(chǎn)品約占全球半導體總銷(xiāo)售額的 18%，其余 (82%) 來(lái)自集成電路。25 年前，不到 13% 的半導體收入來(lái)自 OSD 產(chǎn)品。

15. 總投資400億元浙江首條12吋晶圓生產(chǎn)線(xiàn)項目最新進(jìn)展

資料顯示，杭州富芯半導體有限公司成立于2019年，主要從事高性能模擬芯片的生產(chǎn)制造。

其中項目一期投資金額180億元，建設全球領(lǐng)先的12吋高性能模擬芯片生產(chǎn)線(xiàn)，規劃產(chǎn)能5萬(wàn)片/月，達產(chǎn)后將是國內汽車(chē)電子、5G通信、云計算、人工智能等領(lǐng)域重要的高性能模擬芯片生產(chǎn)基地。

16. 中芯國際深圳新工廠(chǎng)更多細節曝光

從公告可以看到，待最終協(xié)議簽訂后，項目的新投資額估計為23.5億美元。各方的實(shí)際出資額將根據第三方專(zhuān)業(yè)公司對中芯深圳所作評估而定。預期于建議出資完成后， 中芯深圳將由本公司和深圳重投集團分別擁有約55%和不超過(guò)23%的權益。中芯國際表示，公司和深圳政府將共同推動(dòng)其他第三方投資者完成余下出資。

受5G、高性能計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、3C產(chǎn)品以及家用電器等領(lǐng)域的需求提升，國內的12英寸晶圓代工產(chǎn)能處于供不應求的狀態(tài)，2019年產(chǎn)能缺口約為10.2萬(wàn)片/月，至2024年產(chǎn)能缺口還將進(jìn)一步擴大。根據專(zhuān)業(yè)機構預測，2024年中國的芯片設計企業(yè)12英寸流片需求可達到81.5萬(wàn)片/月，其中，28nm及以上線(xiàn)寬對應流片需求量為69.6萬(wàn)片/月，12英寸晶圓代工市場(chǎng)需求旺盛。

本項目產(chǎn)品定位于12英寸28nm及以上線(xiàn)寬顯示驅動(dòng)芯片及電源管理芯片等，產(chǎn)業(yè)類(lèi)型、建設內容、發(fā)展前景與深圳市坪山區的定位和規劃高度契合。項目新建大宗氣站與化學(xué)品倉庫等設施，建成后可提供生產(chǎn)所使用的氮氣、氧氣等大宗氣體以及酸堿等化學(xué)品，配套月投12英寸晶圓4萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，極大的補足深圳集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節，促進(jìn)深圳集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展。

17. 北方華創(chuàng )前三季凈利潤大增102%，下游需求旺盛，研發(fā)投入“亮眼”

10月28日，北方華創(chuàng )發(fā)布了今年前三季度的業(yè)績(jì)報告，報告期內，該公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入61.7億元，同比增長(cháng)60.95%；同期歸屬于上市公司股東的扣非前和扣非后凈利潤分別為6.58億元和5.25億元，同比分別增長(cháng)101.57%和200.95%。

其中在第三季度，該公司實(shí)現營(yíng)業(yè)收入25.65億元，同比增長(cháng)54.65%。實(shí)現歸屬于上市公司股東的凈利潤3.48億元，同比增長(cháng)144.16%。實(shí)現基本每股收益0.7068元，同比增長(cháng)143.39%。

中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟信息網(wǎng)財經(jīng)頻道注意到，2019年和2020年，北方華創(chuàng )的研發(fā)投入金額分別為11.4億元和16.1億元，同期研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例分別為28.03%和26.56%，研發(fā)投入占比較高。

18. 年產(chǎn)40萬(wàn)片晶盛機電擬打造超30億元6英寸碳化硅襯底晶片項目

10月25日晚間，晶盛機電披露向特定對象發(fā)行股****預案。本次發(fā)行對象為不超過(guò)35名符合證監會(huì )規定的特定投資者，募集資金總額不超過(guò)57億元。在扣除發(fā)行費用后資金擬全部用于以下項目：31.34億元用于碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目；5.64億元用于12英寸集成電路大硅片設備測試實(shí)驗線(xiàn)項目；4.32億元用于年產(chǎn)80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產(chǎn)制造項目；15.7億元用于補充流動(dòng)資金。

19. 2020全球MOCVD及外延設備市占率  

20. 2020 to2026各類(lèi)外延技術(shù)設備CAGR預測 

21. 從研發(fā)投入看中國半導體

1）40家芯片設計類(lèi)公司平均研發(fā)投入比例為19%，其中博通研發(fā)投入比例逼近30%；

 2）設備方面，A應用材料、ASML、泛林、東京電子等的研發(fā)投入比例在10%-16%之間；

 3）IDM公司多為存儲、功率及模擬類(lèi)公司，平均研發(fā)投入比例12%；其中模擬、功率類(lèi)公司研發(fā)強度相對較高，在15%上下，三星、海力士等存儲器廠(chǎng)在10%上下；

 4）代工領(lǐng)域，臺積電研發(fā)投入比例8%；

 5）封測和材料平均研發(fā)投入比例均接近4%。

中國大陸30家設計公司平均研發(fā)投入比例約11%，相較美國27%的平均水平有較大差距。研發(fā)差距主要來(lái)源于產(chǎn)品結構、業(yè)務(wù)規模的差異。美國頭部設計公司主要聚焦先進(jìn)邏輯產(chǎn)品，且多為各自細分賽道絕對龍頭，如博通、英偉達研發(fā)投入比例達28%、24%；這也拉高了美國整體的研發(fā)投入水平。國內設計公司大都處于早期階段，業(yè)務(wù)規模相對較小、且多為成熟制程產(chǎn)品，研發(fā)投入比例集中在10%-20%之間。代工：加速研發(fā)投入。臺積電、聯(lián)電研發(fā)投入比例在7%-8%之間，大陸中芯國際、華虹半導體2020年研發(fā)投入比例分別為17%、11%，加速發(fā)力工藝研發(fā)。封測：國際領(lǐng)先水平。2020年度，長(cháng)電科技、通富微電、華天科技研發(fā)投入比例分別為4%、8%、6%，均已接近或超日月光、安靠3%-4%的水平，處于國際領(lǐng)先水平。

22. 中國實(shí)現雙碳目標面臨多種挑戰

到2025年，單位國內生產(chǎn)總值能耗比2020年下降13.5%；單位國內生產(chǎn)總值二氧化碳排放比2020年下降18%；非化石能源消費比重達到20%左右；森林覆蓋率達到24.1%，森林蓄積量達到180億立方米，為實(shí)現碳達峰、碳中和奠定基礎。

到2030年，單位國內生產(chǎn)總值能耗大幅下降；單位國內生產(chǎn)總值二氧化碳排放比2005年下降65%以上；非化石能源消費比重達到25%左右，風(fēng)電、太陽(yáng)能發(fā)電總裝機容量達到12億千瓦以上；森林覆蓋率達到25%左右，森林蓄積量達到190億立方米，二氧化碳排放量達到峰值并實(shí)現穩中有降。

23. 晶圓代工黑洞凸顯

IC Insights發(fā)布的統計和預測數據顯示，2021年全球晶圓代工廠(chǎng)總銷(xiāo)售額將首次突破1000億美元大關(guān)，增至1072億美元，增長(cháng)23%，與2017年創(chuàng )下的創(chuàng )紀錄增長(cháng)率相媲美。到2025年將以11.6%的強勁年均增長(cháng)率增長(cháng)，屆時(shí)代工廠(chǎng)總銷(xiāo)售額預計將達到1512億美元。

24. 臺積電1.8nm工廠(chǎng)曝光2026年量產(chǎn)

護島神山出決勝新武器。臺積電先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)根留臺灣，其中2納米Fab 20超大型晶圓廠(chǎng)已選定建廠(chǎng)地點(diǎn)為新竹寶山，2納米之后的更先進(jìn)制程已進(jìn)入埃米（angstorm）時(shí)代，預期臺積電將推進(jìn)到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設廠(chǎng)地點(diǎn)，但據設備業(yè)者指出，臺積電18埃米先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)可望落腳臺中，現在中科Fab 15廠(chǎng)旁的高爾夫球場(chǎng)已被納入考慮。

隨著(zhù)半導體制程將于2024年進(jìn)入埃米時(shí)代，臺積電的建廠(chǎng)動(dòng)向受到業(yè)界及市場(chǎng)矚目，市場(chǎng)傳出臺積電下一座先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)可望落腳臺中，現在中科Fab 15廠(chǎng)旁的興農高爾夫球場(chǎng)及軍方用地已納入考慮，臺積電若取得用地，將用于建置2奈米以下先進(jìn)制程的超大型晶圓廠(chǎng)區，并分為第一期到第四期建廠(chǎng)計劃，等于會(huì )在當地興建4座12吋晶圓廠(chǎng)。

臺積電已確認的先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)計畫(huà)，包括南科Fab 18超大型晶圓廠(chǎng)（GigaFab）將建置P1～P4共4座5納米晶圓廠(chǎng)，P5～P8共4座3納米晶圓廠(chǎng)。其中P1～P3廠(chǎng)已進(jìn)入量產(chǎn)，P4～P6廠(chǎng)正在興建中，未來(lái)將再擴建P7～P8廠(chǎng)。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠(chǎng)將擴建P8廠(chǎng)為特殊制程生產(chǎn)基地。

臺積電Fab 20廠(chǎng)區將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠(chǎng)，預計2024年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。臺積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構，技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度符合預期。

臺積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構，預計2024年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。臺積電2納米之后的先進(jìn)制程節點(diǎn)，將推進(jìn)到1.8納米（18埃米），預計2026～2027年進(jìn)入量產(chǎn)。