三星在美建廠(chǎng)生變？傳有意在韓國再建1個(gè)平澤園區，第8代V-NAND有望超200層

據韓國經(jīng)濟報導，因應韓國向企業(yè)表達“創(chuàng )造就業(yè)機會(huì )”的需求，三星半導體部門(mén)高層金奇南透露，有意在韓國建立第二座平澤園區。業(yè)界人士猜測，韓國京畿道平澤或安城，都可能是三星新廠(chǎng)的落址。

另外，據三星介紹，將在2021下半年展示基于第7代V-NAND的消費類(lèi)SSD產(chǎn)品，還計劃將第7代V-NAND導入到數據中心SSD產(chǎn)品中，在低功耗方面表現優(yōu)異，而且下一代第8代V-NAND將可望超過(guò)200層，未來(lái)V-NAND的目標是超過(guò)1000層堆疊。

全球芯片短缺持續，三星擴大投資為后續供應吃下“定心丸”

近日，印度、越南、馬來(lái)西亞、臺灣地區等疫情反撲，不僅導致馬來(lái)西亞幾乎“全面封城”，臺積電、京元電、力積電等多家臺企廠(chǎng)區也陸續出現員工確診，一度威脅到晶圓代工和封測產(chǎn)能，而不確定的因素影響，讓業(yè)內人士普遍預估，全球芯片短缺的市況恐將持續到2022年。

三星平澤作為重要生產(chǎn)基地，目前P1已投入使用，平澤P2工廠(chǎng)于2020年8月導入EUV技術(shù)批量生產(chǎn)16Gb LPDDR5之后，2021年上半年開(kāi)始導入晶圓代工和NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)設備，預計將在下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)。與此同時(shí)，三星宣布正在新建平澤P3工廠(chǎng)，將于2022年下半年完工，采用EUV設備批量生產(chǎn)14nm DRAM和5nm邏輯芯片產(chǎn)品。

在先進(jìn)技術(shù)方面，2021年三星持續擴大先進(jìn)15nm DRAM和128L V-NAND的生產(chǎn)，以及加快14nm DRAM和176L V-NAND技術(shù)的升級，第8代V-NAND將超過(guò)200層堆疊，持續保持技術(shù)的競爭優(yōu)勢。

若三星再建一個(gè)同樣規模的平澤園區，無(wú)疑是為后續產(chǎn)業(yè)供應吃下“定心丸”，并可穩固三星在半導體市場(chǎng)上的領(lǐng)導地位。不過(guò)，全球制造業(yè)競爭越演越烈，三星在美國投資還未定案，如今又在韓國投資新建園區，業(yè)內人士紛紛揣測，三星在美建廠(chǎng)計劃是否將會(huì )生變。

全球制造業(yè)競爭越演越烈，三星持續擴大本土投資或是首要考量

之前中美、日韓貿易激化，再加上2020年一場(chǎng)突如其來(lái)的“疫情”打亂全球制造業(yè)鏈，各國已掀起了本土半導體制造業(yè)發(fā)展的浪潮，除了美國，也包括韓國、中國、日本等在內，都紛紛制定半導體制造業(yè)發(fā)展的計劃與策略。

中國因為貿易戰的激化，在國家政策扶持下，大基金領(lǐng)頭推動(dòng)中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從原材料、設備、芯片設計、芯片制造、封裝測試等全方面布局，并重點(diǎn)在存儲領(lǐng)域加強核心技術(shù)的研發(fā)與芯片生產(chǎn)，提高企業(yè)市場(chǎng)影響力。

日本也宣布了完善半導體研究、生產(chǎn)體制的新戰略，有意促進(jìn)IBM、臺積電等公司在日本建工廠(chǎng)，以及加強日本企業(yè)之間的合作，甚至在臺積電日本芯片研究項目上，愿意支付一半的資金資助，用于開(kāi)發(fā)最尖端的半導體制造技術(shù)，提高日本制造能力，強化半導體開(kāi)發(fā)生產(chǎn)體制。

韓國在5月份公布了“K半導體戰略”，計劃是三星、SK海力士等153家企業(yè)將在未來(lái)10年投資510萬(wàn)億韓元（約合4575億美元），且韓國提供多項政策以支持半導體產(chǎn)業(yè)，目標將韓國建設成全球最大的半導體制造基地。

三星作為韓國核心企業(yè)，促進(jìn)本土的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，是必要考量的因素，除了正在新建的平澤P3工廠(chǎng)，甚至已規劃P4、P5…等工廠(chǎng)建設計劃。同樣作為韓國核心企業(yè)的SK海力士于2019年提出的龍仁半導體產(chǎn)業(yè)園區建設計劃已獲得批準，初期規劃在龍仁半導體產(chǎn)業(yè)園區建設4座半導體工廠(chǎng)，三星再度加碼韓國的投資也是情理之中。

美國大力發(fā)展制造業(yè)，但企業(yè)競爭激烈，三星投資項目尚未定案

三星5月份宣布加碼對System LSI和Foundry領(lǐng)域的投資，將投資額擴大至171萬(wàn)億韓元（約1534億美元），較之前承諾的投資額，增加了38萬(wàn)億韓元（約341億美元）。三星加碼投資是對后續產(chǎn)業(yè)前景樂(lè )觀(guān)的肯定，然而投資據點(diǎn)卻是撲朔迷離。

首先，是來(lái)自美國鼓勵政策的“誘惑”。美國方面于上個(gè)月宣布批準撥款520億美元的資金，將在今后5年內大力促進(jìn)美國半導體芯片的生產(chǎn)和研究，同時(shí)積極吸引科技龍頭企業(yè)在美建廠(chǎng)，其中英特爾計劃投資200億美元將在美國建造2座晶圓工廠(chǎng)，臺積電投資120億美元在美國亞利桑那州的工廠(chǎng)也已開(kāi)工建設。

英特爾、臺積電紛紛在美投資建廠(chǎng)，三星投資動(dòng)向備受關(guān)注。此前消息稱(chēng)，因應美國制造業(yè)的鼓勵政策，三星將在美國投資建廠(chǎng)，德州、紐約州及亞利桑那州都有可能，但目前尚未確定建廠(chǎng)地址。

三星在美投資建廠(chǎng)，無(wú)疑可以獲得較為優(yōu)越的政策扶持，但是在晶圓代工市場(chǎng)，臺積電占據50%以上的市場(chǎng)份額，再加上英特爾加入代工行業(yè)，而且英特爾和臺積電已確定在美建廠(chǎng)，競爭加劇使得投資風(fēng)險增加。其次，三星在美國奧斯汀已設有芯片工廠(chǎng)，若跟風(fēng)投資再建一座工廠(chǎng)，恐加劇市場(chǎng)供應過(guò)剩的風(fēng)險，三星自然是要進(jìn)一步深思熟慮。

總之，三星加碼投資的步伐不會(huì )停歇，用于應對后續不斷增長(cháng)的芯片需求，至于在哪投資，則需要綜合考量，以及視供需情況進(jìn)一步研究。