HEMT
高電子遷移率晶體管 HEMT high-electron mobility transistor 一種異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管,為MESFE的變型。此術(shù)語(yǔ)由富士通(Fujitsu)公司提出。高速電子遷移率晶體管...... [查看詳細]