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通過(guò)工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析

• ●? ?由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問(wèn)題，半導體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線(xiàn)材料?！? ?在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。隨著(zhù)互連尺寸縮減，阻擋層占總體線(xiàn)體積的比例逐漸增大。因此，半導體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統銅雙大馬士革方案的替代金屬線(xiàn)材料。相比金屬線(xiàn)寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見(jiàn)的阻擋層材料電阻率較高，且側壁電子散射較多。因此，相關(guān)阻擋層尺寸的增加會(huì )導致更為顯著(zhù)的電阻電容延遲，并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
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