傳武漢新芯合體紫光，加速中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手合作，不只獲得飛索半導體(Spansion)在3D NAND Flash的技術(shù)授權，更有望獲得美光(Micron)的支持。中國存儲器芯片有望復制面板產(chǎn)業(yè)的成功，在技術(shù)更新交替的階段，彎道超車(chē)趕上國際一線(xiàn)廠(chǎng)商。

　　3月28日，武漢新芯在武漢市東湖高新區啟動(dòng)了總投資240億美元的“光谷”存儲器基地，該基地預計2018年將實(shí)現3D NAND存儲器的首次量產(chǎn)，并于2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規模，其中20萬(wàn)片3D NAND Flash和10萬(wàn)片DRAM，2030年預計達到每月產(chǎn)能100萬(wàn)片。

　　此前武漢新芯執行副總裁、商務(wù)長(cháng)陳少民接受集微網(wǎng)采訪(fǎng)時(shí)表示，選擇3D NAND是中國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車(chē)的機遇。半導體產(chǎn)業(yè)中市場(chǎng)份額最大的是存儲，目前全球存儲器市場(chǎng)超過(guò)800億美元，而且最大的存儲市場(chǎng)就在中國。在存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)生劇烈變化的今天，技術(shù)迭代，共同起點(diǎn)的同時(shí)，選擇3D NAND正是這樣的考量。

　　陳少民指出，對武漢新芯來(lái)說(shuō)，雖然在工藝開(kāi)發(fā)，芯片設計，模組的設計與生產(chǎn)，以及渠道、產(chǎn)業(yè)鏈的布局等方面沒(méi)有優(yōu)勢，但是發(fā)展中國的大存儲產(chǎn)業(yè)，一定要把整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈乃至生態(tài)體系建立好，建立完善。在全球最大的存儲器市場(chǎng)，中國有實(shí)力、有機會(huì )也有能力把這件事情做好。

　　2015年11月5日，我國A股市場(chǎng)迎來(lái)有史以來(lái)第二大定向增發(fā)。紫光集團旗下的同方國芯發(fā)布公告稱(chēng)，擬向實(shí)際控制人清華控股下屬公司等對象非公開(kāi)發(fā)行股份，募資800億元，投入集成電路業(yè)務(wù)。趙偉國公開(kāi)表示，芯片工廠(chǎng)目前正在規劃中，相關(guān)細節目前需要保密。但他特別強調：“這個(gè)工廠(chǎng)意味著(zhù)紫光集團正在進(jìn)入主流存儲芯片領(lǐng)域。”

　　半導體行業(yè)專(zhuān)家老杳認為，武漢新芯在存儲器領(lǐng)域的快速啟動(dòng)，更多源于政府意志。與武漢新芯大張旗鼓推進(jìn)存儲器產(chǎn)業(yè)不同，紫光雖然很早就引入華亞科前董事長(cháng)高啟全，對外宣布入股存儲器封測廠(chǎng)力成，通過(guò)同方國芯增發(fā)800億人民幣為存儲器準備資金，兩家合體有助于大陸存儲器產(chǎn)業(yè)的快速崛起。

　　2016中國大數據產(chǎn)業(yè)峰會(huì )上，紫光集團董事長(cháng)趙偉國表示，從今年開(kāi)始，紫光集團要投資300億美元，主攻存儲器芯片制造，這將會(huì )是中國大陸最大的儲存項目。他指出，大數據的發(fā)展，需要海量?jì)Υ?，中國大陸在相關(guān)領(lǐng)域是空白的，最后讓市場(chǎng)來(lái)決定誰(shuí)會(huì )成功。

　　趙偉國形容，若大數據比擬是一座金礦，那么紫光就是提供挖金礦的工具、并對挖出來(lái)的金礦提供提煉加工的公司，讓從事大數據產(chǎn)業(yè)的伙伴可以成功發(fā)財。

　　以武漢新芯的技術(shù)和生產(chǎn)，若搭上紫光的資本投資和市場(chǎng)布局，再加上第三方的技術(shù)支持，中國有機會(huì )在存儲器市場(chǎng)大干一場(chǎng)，在技術(shù)交替更新的階段，彎道超車(chē)趕上國際一線(xiàn)廠(chǎng)商。