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z-nand 文章 進(jìn)入z-nand技術(shù)社區
三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
- 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì )和2022年度三星內存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對更高密度、更大容量存儲的需求，推動(dòng)了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現宣布已經(jīng)開(kāi)始大規模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱(chēng)之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱(chēng)，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲系統的數字安全技術(shù)
- NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫療設備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯(lián)的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統時(shí)，必須確保存儲器的安全性滿(mǎn)足應用程序的要求。執行現代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲系統的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個(gè)存儲系統所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見(jiàn)的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
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SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開(kāi)啟存儲技術(shù)創(chuàng )新浪潮
- 如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應對的挑戰。隨著(zhù)各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來(lái)越大。美光正在迎接這一創(chuàng )新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實(shí)時(shí)大數據更新，以及移動(dòng)設備、消費電子、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統帶來(lái)智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過(guò)增加NAN
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貿澤電子備貨Silicon Labs Z-Wave 800 SiP模塊
- 專(zhuān)注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng )新的知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Silicon Labs?ZGM230S?Z-Wave??800系統級封裝?(SiP) 模塊。該系列產(chǎn)品是基于Silicon Labs低功耗Wireless Gecko平臺的新一代Z-Wave 800器件，可幫助工程師快速開(kāi)發(fā)高能效、可遠程互操作的Z-Wave網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò )解決方案，并運用于各類(lèi)智能家居物聯(lián)網(wǎng)?(IoT) 設備，包括智能家居控制中心
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集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續跌15～20％
- 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著(zhù)重去化庫存而大幅減少采購量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達30～35％，但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠(chǎng)庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數原廠(chǎng)的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營(yíng)陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
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庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％
- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
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拆機證實(shí)，國行蘋(píng)果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(cháng)江存儲國產(chǎn) NAND 閃存
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋(píng)果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱(chēng)中國廠(chǎng)商長(cháng)江存儲已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋(píng)果也承認正考慮從長(cháng)江存儲采購 NAND 芯片，但僅會(huì )用于在中國銷(xiāo)售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋(píng)果高度依賴(lài)三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠(chǎng)商。因此，市場(chǎng)觀(guān)察人士認為，蘋(píng)果與長(cháng)江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進(jìn)一步
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NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場(chǎng)52.9%份額
- 根據市場(chǎng)研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場(chǎng)份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷(xiāo)售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成，2022年二季度銷(xiāo)售額位36.15億美元，環(huán)比增長(cháng)12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠(chǎng)商，兩家韓國廠(chǎng)商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場(chǎng)52.9%的份額。
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FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash
- 江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶(hù)降低整機系統成本，并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn)，在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監控、網(wǎng)絡(luò )通訊等領(lǐng)域得到廣泛應用。加量減價(jià)，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統存儲容量需求的不同，客
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三星電子236層NAND閃存預計年內開(kāi)始生產(chǎn)
- 據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會(huì )在年內開(kāi)始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開(kāi)設一個(gè)新的研發(fā)中心，負責更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng )下新高。從韓國媒體的報道來(lái)看，三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
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業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND
- 半導體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿(mǎn)挑戰。俗話(huà)說(shuō)，“打江山難，守江山更難”，這句話(huà)形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng )新的極限，以推動(dòng)邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應對的挑戰。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰，借此機會(huì )讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來(lái)被公認為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術(shù)，再次
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第一代驍龍8+移動(dòng)平臺為三星Galaxy Z系列在全球提供支持
- 要點(diǎn)：? 第一代驍龍?8+為三星最新旗艦折疊屏智能手機三星Galaxy Z Flip4和Z Fold4在全球提供支持。? 高通技術(shù)公司全新旗艦移動(dòng)平臺第一代驍龍8+實(shí)現能效和性能雙突破，帶來(lái)全面提升的極致終端側體驗。? 兩款產(chǎn)品均支持5G毫米波[1]，能夠帶來(lái)最快的商用5G網(wǎng)絡(luò )速率；同時(shí)還采用高通FastConnect? 6900移動(dòng)連接系統，憑借頂級Wi-Fi 6/6E對6GHz[2]頻段的支持和先進(jìn)的藍牙特性，提供極速連接，確保用戶(hù)所需的高效生產(chǎn)力和連接能力。&nb
- 關(guān)鍵字： 驍龍8+ 三星 Galaxy Z
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對z-nand的理解，并與今后在此搜索z-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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