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Vishay推出汽車(chē)級IHLP?電感器可在發(fā)動(dòng)機艙155度高溫條件下連續工作
- 賓夕法尼亞、MALVERN —2019年3月29日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，擴展其汽車(chē)級IHLP?薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 °C，高度2mm，節省汽車(chē)發(fā)動(dòng)機艙環(huán)境下的使用空間。?日前推出的器件符合AEC-Q200標準，適合用于DC/DC轉換器儲能，頻率可達2 MHz。同時(shí)，電感器在自諧振頻率 (SR
- 關(guān)鍵字： VISHAY IHLP?電感器 IHLP-2020BZ-5A
Vishay推出業(yè)內首款通過(guò)AEC-Q200認證，適用于Class X1 / Y1應用的陶瓷盤(pán)式電容器
- 2019年3月25日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列汽車(chē)級交流線(xiàn)路陶瓷盤(pán)式安規電容器---AY1系列，新款電容器是業(yè)內此類(lèi)器件中首款通過(guò)AEC-Q200認證的產(chǎn)品，適用于Class X1 (760 VAC) / Y1 (500 VAC)應用，符合IEC 60384-14.4標準?！ ishay BCcomponents AY1系列器件適用于電動(dòng) (EV)、混合動(dòng)力 (HEV) 和插電式混合動(dòng)力汽車(chē) (PHEV)
- 關(guān)鍵字： Vishay 陶瓷盤(pán)式電容器
Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(huì )(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺，將展示適用于廣泛應用領(lǐng)域的最新業(yè)內領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?！ ≡贏(yíng)PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET，有效提高板級可靠性
- 2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款30 V和40 V汽車(chē)級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線(xiàn)結構PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過(guò)AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節省PCB空間并降低成本，同時(shí)導通電阻低于任何鷗翼引線(xiàn)結構5 mm x 6 mm封裝M
- 關(guān)鍵字： Vishay SQJ407EP
Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET
- 2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達到同類(lèi)產(chǎn)品最低水平?！ ∪涨鞍l(fā)布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1
- 關(guān)鍵字： Vishay SiR626DP
Vishay的T55系列聚合物鉭式電容器新增超薄外形尺寸
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，公司已擴充其T55系列vPolyTan?表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器，新增加Z外形 (EIA 7343-19) 尺寸器件?！ ∪涨鞍l(fā)布的Vishay Polytech電容器高度比標準V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1 mm，提高了封裝密度，可用于設計更薄的成品。這款器件適用于計算機、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò )基礎設施設備、固態(tài)硬盤(pán)和無(wú)線(xiàn)收發(fā)器的電源管理、電池解耦和儲能?！ 55系列的外
- 關(guān)鍵字： Vishay T55
Vishay推出具有極長(cháng)壽命的短波紫外線(xiàn)發(fā)光二極管
- 2019年2月19日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，推出陶瓷中功率短波紫外線(xiàn) (UVC) 發(fā)光二極管---VLMU35CM..-280-120，用于殺菌、消毒和凈化。Vishay Semiconductors VLMU35CM..-280-120器件內嵌石英透鏡，采用小型3.5 mm x 3.5 mm x 1.2 mm表面貼封裝，使用壽命極長(cháng)?！ ∪涨鞍l(fā)布的這款器件專(zhuān)門(mén)用于取代UVC水銀燈，發(fā)射角為± 60°，100 mA條件下
- 關(guān)鍵字： Vishay 發(fā)光二極管
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器，提高逆變器級工作效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！ ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設備提供所需驅動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內最佳水平
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類(lèi)器件中達到業(yè)內最低水平，該參數是600 V MOSFET在功率轉換應用中的關(guān)鍵指標 (FOM)?！ ishay
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