Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認證的30 V和40 V P溝道MOSFET，有效提高板級可靠性

　　2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款30 V和40 V汽車(chē)級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線(xiàn)結構PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過(guò)AEC-Q101認證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節省PCB空間并降低成本，同時(shí)導通電阻低于任何鷗翼引線(xiàn)結構5 mm x 6 mm封裝MOSFET。

　　由于需要很高功率，12 V汽車(chē)系統馬達驅動(dòng)和主電源要求MOSFET在各種應用中具有極低的導通電阻，如電池反向極性保護和高邊開(kāi)關(guān)。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下，導通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW，完全可以滿(mǎn)足這種要求。此外，作為p溝道MOSFET，兩款器件是理想的負載開(kāi)關(guān)，不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

　　日前發(fā)布的MOSFET工作溫度可達+175 °C，同時(shí)鷗翼引線(xiàn)結構可緩解溫度循環(huán)過(guò)程中、主板彎曲、振動(dòng)和意外跌落產(chǎn)生的機械應力，與剛性QFN封裝相比，具有更加優(yōu)異的板級可靠性。鷗翼引線(xiàn)結構還有助于自動(dòng)光學(xué)檢測 (AOI) 過(guò)程獲得更加一致可靠的結果。

　　器件采用無(wú)鉛 (Pb) 封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試。

　　SQJ407EP和SQJ409EP現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)。