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Vishay推出具有高輻射強度和短開(kāi)關(guān)時(shí)間的新型890 nm紅外發(fā)光二極管

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款采用透明無(wú)色引線(xiàn)型塑料封裝的新型890nm高速紅外(IR)發(fā)光二極管--- TSHF5211,擴充其光電子產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面發(fā)射器芯片技術(shù),優(yōu)異的VF溫度系數達 -1.0 mV/K,輻照強度和升降時(shí)間優(yōu)于前代器件。日前發(fā)布的發(fā)光二極管100 mA驅動(dòng)電流下典型輻照強度達235 mW/sr,比上一代解決方案提高50%。器件開(kāi)關(guān)時(shí)間僅為15 ns,典型正向電壓低至1.
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Vishay汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)解決方案亮相2024慕尼黑上海電子展

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,公司將在2024慕尼黑上海電子展(electronica China 2024)上展示豐富的無(wú)源和分立半導體解決方案,這些產(chǎn)品和方案適用于最新的汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)設計,滿(mǎn)足在嚴苛的操作條件下提供準確性和可靠性的設計需求。Vishay亞洲銷(xiāo)售和市場(chǎng)資深副總裁顧值銘先生表示:“電動(dòng)化、智能化和網(wǎng)聯(lián)化是未來(lái)交通的方向。電動(dòng)汽車(chē)革命不僅推動(dòng)汽車(chē)工業(yè),而且促進(jìn)新能源、工業(yè)、通信和計算等領(lǐng)域先進(jìn)電子器件需求的增長(cháng)。Vishay將以?xún)?yōu)異的產(chǎn)品組合、
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Vishay推出固體模壓型片式鉭電容器增強電子引爆系統性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出專(zhuān)為電子引爆系統設計的新型系列TANTAMOUNT?表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器---TX3。Vishay Sprague TX3系列器件機械結構牢固,漏電流(DCL)低,具有嚴格的測試規范,性能和可靠性?xún)?yōu)于商用鉭電容器和MLCC。日前發(fā)布的電容器DCL僅為0.005CV,與其他電容技術(shù)相比,鉭電容器能量密度高,可提供更高能量確保正確起爆,是采礦和拆除應用遠程引爆系統的理想選擇,滿(mǎn)足可靠放電的要求。該器件的鉭陽(yáng)極技術(shù)與Vis
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管,提升開(kāi)關(guān)電源設計能效和可靠性

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升開(kāi)關(guān)電源設計能效和可靠性。日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L(TO-263AB
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Vishay推出第二代集成式EMI屏蔽4040封裝汽車(chē)級IHLE電感器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用10 mm x 10 mm 4040封裝的第二代新型汽車(chē)級器件---IHLE-4040DDEW-5A,擴充IHLE?系列超薄、大電流集成式電場(chǎng)屏蔽電感器。與上一代解決方案相比,Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改進(jìn)的屏蔽設計,極性標識提高EMI性能的一致性,不需要單獨板級法拉第(Faraday)屏蔽,從而降低成本,節省電路板空間。與傳統復合傳感器相比,日前發(fā)布的器件采用銅鍍錫集成式屏蔽罩遏制EMI
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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案

  • 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式輔助電源方案。圖示1—大聯(lián)大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案的展示板圖在信息技術(shù)時(shí)代,人們對于高效、穩定且具備出色節能特性的輔助電源需求日益增加。特別是在服務(wù)器、PC、新能源轉換系統以及工業(yè)制造等關(guān)鍵領(lǐng)域,一款性能卓越的輔助電源不僅關(guān)乎設備的穩定運行,更是節能減排、綠色發(fā)展的重要保障。在此背景下,
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Vishay AC和AC-AT 5 W軸向水泥繞線(xiàn)電阻新增器件具有出色的抗脈沖性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其AC和AC-AT系列軸向水泥繞線(xiàn)電阻5 W器件新增便于拾放加工的表面貼裝(SMD)引腳折彎選件——AC05 WSZ、AC05-AT WSZ和AC05-NI WSZ,即可用作表面貼裝組件的WSZ引線(xiàn)型器件。Vishay Draloric AC05 WSZ 和經(jīng)過(guò)AEC-Q200認證的AC05-AT WSZ電阻具有出色的抗脈沖性能,無(wú)感型AC05-NI WSZ器件適用于快速開(kāi)關(guān)電路。WSZ引線(xiàn)型電阻可與其他表貼裝器件一起貼在PCB上
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Vishay推出采用數字輸入輸出接口的25 MBd光耦,簡(jiǎn)化設計并降低成本

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型25 MBd高速光耦---VOIH72A,器件配有CMOS邏輯電路數字輸入輸出接口,便于數字系統集成。單通道VOIH72A適于各種工業(yè)應用,脈寬失真最大值低至6 ns,最大供電電流僅為2 mA,電壓范圍2.7 V至5.5 V,工作溫度高達+110 °C。日前發(fā)布的Vishay?Semiconductors器件將數控輸入LED驅動(dòng)器與高速紅外發(fā)射器(IRED)、集成式光敏二極管IC檢測器結合在小型SOIC-8封裝中
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Vishay推出的新款航天級平面變壓器具有更低成本、更小尺寸和更高密度

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一系列用于電力轉換的新型低廓形、航天級平面變壓器---SGTPL-2516系列。與傳統的平面變壓器相比,可定制的Vishay Custom Magnetics SGTPL-2516系列變壓器成本更低、體積更小、功率密度更高,具有明顯優(yōu)勢,并符合MIL-STD-981 S級要求。該變壓器具有通孔端子和多種封裝尺寸,廣泛應用于開(kāi)關(guān)模式電源以及DC/DC和AC/DC轉換器。這些變壓器專(zhuān)為惡劣環(huán)境而設計,采用具有模制繞組的堅固封裝設計
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Vishay推出具有業(yè)內先進(jìn)水平的小型頂側冷卻PowerPAK封裝的600 V E系列功率MOSFET

Vishay推出飽和電流達230A的超薄汽車(chē)級IHDF邊繞電感器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款新型汽車(chē)級IHDF邊繞通孔電感器---IHDF-1300AE-1A,額定電流 72A,飽和電流高達 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用鐵氧體磁芯技術(shù),厚度僅為15.4?mm,可在-55 °C至+155 °C?惡劣溫度條件下工作,交流和直流功耗低,具有優(yōu)異的散熱性能。這款器件邊繞線(xiàn)圈的直流內阻(DCR)低至1.1mΩ,極大限度減少損耗,有助于改善額定
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Vishay推出MiniLED封裝高亮度小型藍色和純綠色LED

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小型MiniLED封裝的新型藍色和純綠色表面貼裝LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸為2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm,采用先進(jìn)的超亮InGaN芯片技術(shù),典型發(fā)光強度分別達到440 mcd和2300 mcd,比上一代PLCC-2封裝解決方案提高四倍。
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Vishay推出旋鈕電位器,簡(jiǎn)化工業(yè)和音頻應用設計并優(yōu)化成本

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款內置旋鈕開(kāi)關(guān)---P16F和PA16F,IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強度高達5000 VAC,+40 °C下額定功率為1 W,可用來(lái)簡(jiǎn)化工業(yè)和音頻應用設計并優(yōu)化成本。日前發(fā)布的器件在一個(gè)組件中集成了旋鈕和面板電位器,無(wú)需采購組裝單獨的旋鈕。此外,只有安裝硬件和端子位于面板背面,微型電位器面板背面所需間隙小于15 mm。PA16F采用導電塑料電阻芯,適用于音頻應
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Vishay的新款80V對稱(chēng)雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進(jìn)水平,可顯著(zhù)提高功率密度、能效和熱性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型80 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換,在提高功率密度和能效的同時(shí),增強熱性能,減少元器件數量并簡(jiǎn)化設計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1
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Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發(fā)器模塊,延長(cháng)鏈路距離,提高抗ESD可靠性

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出適于IrDA?應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發(fā)器模塊,鏈路距離延長(cháng)20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數據速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監控器、工業(yè)自動(dòng)化控制、手機和醫療設備無(wú)線(xiàn)通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流 < 70 μA,關(guān)斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
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vishay介紹

威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過(guò)科技創(chuàng )新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國家,其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠(chǎng)分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [ 查看詳細 ]

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