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Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET
- 2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP專(zhuān)門(mén)用于提高功率轉換拓撲結構的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時(shí)柵極電荷和輸出電荷達到同類(lèi)產(chǎn)品最低水平?！ ∪涨鞍l(fā)布的器件10 V條件下最大導通電阻降至1
- 關(guān)鍵字： Vishay SiR626DP
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