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v-nand閃存 文章 進(jìn)入v-nand閃存技術(shù)社區
爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)
- 3月4日消息，據國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。 爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬(wàn)美元)收購S(chǎng)pansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠(chǎng)。 爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機方面的運用增長(cháng)趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導體
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市場(chǎng)調研公司開(kāi)始對于2010年半導體市場(chǎng)作第一次修正
- 全球1月半導體的銷(xiāo)售額數據出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。 按SIA總裁的看法,全球半導體銷(xiāo)售額1月的最新數據(三個(gè)月的移動(dòng)平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng)在眾多方面, 包括計算機, 手機, 汽車(chē)電子和工業(yè)應用。如果與去年同期相比, 銷(xiāo)售額增長(cháng)達47%,顯然與09年1月時(shí)正值全球的最低點(diǎn)有關(guān)。 SIA總裁Scalise認為,傳統上因為季節的原因, 通常1月會(huì )比12月有所下降, 所以
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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝
- 繼Intel、美光上個(gè)月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠(chǎng)三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。 海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據韓國當地媒體的報道，海力士將在今年第三季度開(kāi)始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點(diǎn)上三星已經(jīng)占
- 關(guān)鍵字： 三星 20nm NAND閃存 海力士
智能手機將使用更高性能的Managed型NAND閃存
- 盡管智能手機在其它許多方面目前比普通手機更為先進(jìn)，但目前智能手機中所配用的閃存與普通手機里的并沒(méi)有太大的區別，仍然使用的是普通規格的閃存，這種閃 存在讀寫(xiě)性能方面較為一般化。不過(guò)這種情況在未來(lái)一段時(shí)間內有望改觀(guān)，閃存芯片廠(chǎng)商會(huì )為手機制造性能更好，可媲美PC用閃存性能的閃存芯片。 鎂光公司副總裁Brian Shirley稱(chēng)：“目前大多數播放器使用的都是普通的RAW型NAND閃存，不過(guò)我們未來(lái)會(huì )向手機推出更高級的Managed型NAND閃存。”這種Mana
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TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤(pán)
- TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開(kāi)始銷(xiāo)售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè) 用CompactFlash（CF）存儲卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤(pán) （SSD），最大容量高達16 Gbyte。 這些產(chǎn)品將TDK獨創(chuàng )的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫(xiě) 入單層單元（SLC）NAND閃存相結合，從而打造出業(yè)內最先進(jìn)的NAND閃存卡，在高速性 能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。 此外，
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福布斯：Sun的閃存夢(mèng)想
- 《福布斯》日前刊文指出，昔日的服務(wù)器巨頭Sun微系統公司正將其新的希望寄托在基于閃存技術(shù)的創(chuàng )新產(chǎn)品之上，希望借此恢復昔日的輝煌。 11月3日，Sun推出了一系列基于NAND閃存的數據中心存儲產(chǎn)品。眾所周知，閃存廣泛應用于諸如iPods、筆記本、MP3、MP4產(chǎn)品之中，因為閃存不僅可以提供更快的存儲速度，而且更省電。為此Sun號稱(chēng)其全新的存儲系統Amber Road不僅更輕薄易于使用，而且其速度和效率是同等產(chǎn)品的4倍。 不像傳統的硬盤(pán)，固件方式的閃存沒(méi)有旋轉的部件，因此不需要花費
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美光科技關(guān)廠(chǎng)、裁員、降薪
- 北京時(shí)間10月10日消息，據國外媒體報道，半導體儲存及影像產(chǎn)品制造商美光科技（Micron Tech）表示，公司將會(huì )關(guān)閉位于美國愛(ài)達荷州首府博伊西（Boise）的NAND閃存芯片工廠(chǎng)，另外，作為電腦存儲芯片業(yè)務(wù)重組的一部分公司將在兩年內裁員15%。 美光科技目前的員工總數約為2.26萬(wàn)人，此次裁員涉及總人數為2850人，其中1500人來(lái)自博伊西。 本周四，美光科技表示，消費者需求下降和產(chǎn)品過(guò)渡供應導致閃存芯片的售價(jià)低于成本，因此公司決定關(guān)閉位于博伊西的NAND閃存工廠(chǎng)，并于未來(lái)
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金融風(fēng)暴蛻變之痛 芯片制造業(yè)重新洗牌
- 10月10日 據知情人透露，五樁價(jià)值數十億美元的重大交易目前已經(jīng)擺上臺面，牽涉到日本、臺灣和韓國的芯片制造業(yè)巨頭。日本電子業(yè)巨頭東芝正在進(jìn)行談判，意欲收購美國的內存芯片制造商Spansion。內存芯片是手機、筆記本電腦、攝像機、MP3播放器等高科技產(chǎn)品的重要支柱。不過(guò)，由于全球金融危機壓抑了消費者的購物熱情，對高科技產(chǎn)品的需求直線(xiàn)降低，導致內存芯片的需求跟著(zhù)下跌，致使芯片售價(jià)低于制造成本。 法國巴黎銀行分析師彼得-于(Peter Yu)說(shuō)：“這堪比一場(chǎng)完美風(fēng)暴。這個(gè)產(chǎn)業(yè)正步入產(chǎn)
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SSD存儲技術(shù)將終結HDD
- HDD(混合硬盤(pán)存儲)、磁盤(pán)存儲技術(shù)將會(huì )讓位于更簡(jiǎn)便的、更有效的SSD(固態(tài)存儲)。有什么證明嗎？希捷、西部數據、三星、東芝。英特爾、富士通、AMD、Micron、SandDisk以及LSI邏輯等企業(yè)正在開(kāi)發(fā)閃存技術(shù)作為下一代處理器，并已形成規模。有一些企業(yè)諸如Spansion 和Virident Systems正在開(kāi)發(fā)先進(jìn)的SSD技術(shù)。閃存技術(shù)是可移動(dòng)USB存儲設備的蘋(píng)果iPod以及iPhone的核心。戴爾和Sun等多年前就在開(kāi)發(fā)SSD技術(shù)。以下分析可以說(shuō)明為何SSD是HHD的殺手。 高可靠性
- 關(guān)鍵字： NAND閃存 SSD Spansion 存儲 USB
Seagate欲收購S(chǎng)anDisk 分析師表示不看好
- 據EETimes報道，近來(lái)在閃存產(chǎn)業(yè)界盛傳希捷(Seagate)將全部或部份收購S(chǎng)anDisk；不過(guò)對于這樁可能的婚事，分析師卻不看好。 有人推測Seagate僅對SanDisk的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)業(yè)務(wù)感興趣；更早的時(shí)候還有謠傳指出Seagate將收購S(chǎng)imple Tech (一家SSD和其它產(chǎn)品供貨商)。不過(guò)Seagate不愿對這些謠言發(fā)表評論，SanDisk也不做任何響應。 雖然身為一家硬盤(pán)機供貨商，Seagate對閃存技術(shù)非常感興趣，且認為SSD將對其傳統業(yè)務(wù)構成潛在威脅。為了維護市
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手機拆機分析揭示移動(dòng)存儲的未來(lái)
- NAND和mDRAM激增，NOR-less機型增多 手機內存內容是否正在發(fā)生根本性變化？ 在相對較短的時(shí)間內，隨著(zhù)手機從商用工具發(fā)展成隨處可見(jiàn)的大眾通信工具，手機所使用的內存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內存配置正在面臨使用移動(dòng)DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰。 這種轉變的背后，是因為市場(chǎng)需要大容量、低成本數據存儲用于保存語(yǔ)音/音樂(lè )、照片和視頻，NAND最適于滿(mǎn)足這種需求。這些功能也需要手機RAM
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存儲卡和優(yōu)盤(pán)市場(chǎng)仍有巨大潛力
- 6月5日消息，盡管業(yè)內廠(chǎng)商認為存儲卡和優(yōu)盤(pán)市場(chǎng)飽和了，金士頓公司總裁John Tu最近表示，這個(gè)市場(chǎng)仍存在巨大的商業(yè)潛力。 Tu說(shuō)，存儲卡和優(yōu)盤(pán)每個(gè)月的平均出貨量達2000萬(wàn)個(gè)。巨大的出貨量表明這個(gè)市場(chǎng)仍在增長(cháng)。他認為，存儲卡和優(yōu)盤(pán)將作為消費者與不同種類(lèi)的內容打交道的一個(gè)“平臺”。 雖然許多人認為存儲設備廠(chǎng)商應該向數字內容提供商付費以便為其產(chǎn)品產(chǎn)品增加內容，但是，Tu說(shuō)應該是內容提供商向金士頓付費，以便通過(guò)金士頓成功的銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò )、品牌和市場(chǎng)份額來(lái)分
- 關(guān)鍵字： 存儲卡 優(yōu)盤(pán) 金士頓 NAND閃存
產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場(chǎng)效應晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元?？刹翆?xiě)1億次以上，寫(xiě)入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫(xiě)1萬(wàn)次，且寫(xiě)入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右，而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來(lái)的20nm和10nm工藝技術(shù)。 此次，通過(guò)調整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
- 關(guān)鍵字： FeFET NAND閃存 東京大學(xué) 產(chǎn)綜研
芯片設備業(yè)有望迎來(lái)新一輪增長(cháng)周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過(guò)一年時(shí)間的磨難和快速衰退，半導體廠(chǎng)商們有望在2009年迎來(lái)新一輪增長(cháng)周期。 當業(yè)內權威人士正在為美國經(jīng)濟是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時(shí)，半導體設備廠(chǎng)商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標準普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進(jìn)入衰退期，2008年的情況也不太樂(lè )觀(guān)。” Zino說(shuō)，預計今年的半導體設備的銷(xiāo)售額將繼續下滑，主要是因為內存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說(shuō)：“我們
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND閃存
v-nand閃存介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條v-nand閃存!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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