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產(chǎn)綜研聯(lián)合東京大學(xué)研制出采用強電介質(zhì)NAND閃存單元
- 日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與東京大學(xué)，聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場(chǎng)效應晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元?？刹翆?xiě)1億次以上，寫(xiě)入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫(xiě)1萬(wàn)次，且寫(xiě)入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右，而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來(lái)的20nm和10nm工藝技術(shù)。 此次，通過(guò)調整p型Si底板溝道中所注入雜質(zhì)的條件，使NAND
- 關(guān)鍵字： FeFET NAND閃存 東京大學(xué) 產(chǎn)綜研
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