TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤(pán)
TDK公司2008年11月17日宣布,將于2008年12月開(kāi)始銷(xiāo)售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè)
用CompactFlash(CF)存儲卡和兼容并行ATA(PATA)模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤(pán)
(SSD),最大容量高達16 Gbyte。
這些產(chǎn)品將TDK獨創(chuàng )的NAND閃存控制器(兼容GBDriver RA8 U.DMA 6)與高速、高頻寫(xiě)
入單層單元(SLC)NAND閃存相結合,從而打造出業(yè)內最先進(jìn)的NAND閃存卡,在高速性
能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。
此外,在高速訪(fǎng)問(wèn)方面,讀訪(fǎng)問(wèn)速度高達50 MB/秒,寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)速度高達30 MB/秒;這些
產(chǎn)品提供了強大的ECC糾錯功能(可達15 bit/扇區),具有較高的數據可靠性。由于
大大降低了反復讀取數據可能出現誤碼和寫(xiě)入數據掉電造成數據丟失的風(fēng)險,這些高
可靠性的CF存儲卡和SSD將成為工業(yè)和嵌入式應用的最佳選擇。
這些產(chǎn)品還采用了TDK研發(fā)的先進(jìn)靜態(tài)損耗均衡功能,可使數據均勻地寫(xiě)入閃存的所有
存儲區,極大地提高了CompactFlash存儲卡和SSD的寫(xiě)壽命。此外還對SMART(自動(dòng)監
測分析報告技術(shù))進(jìn)行了改進(jìn),可獲取TDK所特有的關(guān)于各存儲塊擦寫(xiě)次數的SMART數
據,因而能夠進(jìn)行系統量化評估并有助于操作和管理。
基本規格
主要用途
主要用于多功能打印機(MFP)、數控機床設備、程控裝置與PLC、工廠(chǎng)自動(dòng)化觸摸工
控機、觸屏顯示系統、嵌入式CPU板、銷(xiāo)售點(diǎn)(POS)終端、金融業(yè)務(wù)終端、ATM機及自
助服務(wù)機終端、火車(chē)站設備、通信與廣播設備、安全與火災檢測設備、數字標牌、安
全識別系統、成像與其他醫療設備、醫用PC、藥物熔點(diǎn)(POM)系統、行車(chē)記錄儀、汽
車(chē)數據記錄器(如數字轉速表)、分析與測量?jì)x器,以及其他各種工業(yè)設備、醫學(xué)設
備、汽車(chē)與嵌入式設備及社會(huì )基礎設施系統。
主要特性
1. 采用獨創(chuàng )的TDK GBDriver RA8 NAND閃存控制器IC
內存控制器IC采用TDK研發(fā)的GBDriver RA8系列,確保了CompactFlash和SSD的性能和
數據可靠性。通過(guò)采用最新的NAND規范和改進(jìn)控制器設計,TDK提高了NAND閃存盤(pán)的性
能并確保各閃存版本兼容。這意味著(zhù)同一個(gè)產(chǎn)品系列可滿(mǎn)足業(yè)界和嵌入式應用的閃存
需求,也可作為理想的升級換代成品。
2. 搭載SLC 閃存
通過(guò)采用高速、耐用的SLC NAND,TDK打造出專(zhuān)為工業(yè)用途和嵌入式應用優(yōu)化的
CompactFlash存儲卡和閃存盤(pán),適用于高速數據寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)和高頻數據寫(xiě)入。還可根據客
戶(hù)需要提供采用多層單元(MLC)閃存的CF存儲卡和閃盤(pán)。
3. 高速訪(fǎng)問(wèn)
兼容PIO模式0–6、多字節DMA模式0–4及Ultra DMA模式0–6。這些高速NAND存儲設備
支持高達50 MB/秒的讀訪(fǎng)問(wèn)速度和高達30 MB/秒的寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)速度。
4. 對所有塊進(jìn)行靜態(tài)損耗均衡
TDK創(chuàng )造了一種全新的靜態(tài)損耗均衡算法,可計算出所有內存塊中各內存塊的擦寫(xiě)次
數。此外定期對固定塊(如OS區和FAT區)進(jìn)行調整,以盡量延長(cháng)板載閃存的壽命,這
也極大地增加了閃存存儲的重寫(xiě)壽命。
5. 斷電耐受性增強
TDK獨創(chuàng )的算法可全面預防并行錯誤,例如在寫(xiě)數據時(shí)發(fā)生斷電的情況下不讓錯亂的數
據寫(xiě)入。
6. 糾錯和恢復
通過(guò)ECC校驗(8 bit/扇區ECC和15 bit/扇區)提供糾錯能力,并為將來(lái)的NAND閃存預
留了空間??刂破骺瑟毩⑦x擇8 bit/扇區或15 bit/扇區的ECC校驗。自動(dòng)恢復功能包
括在反復讀取數據時(shí)自動(dòng)糾正位錯誤(讀干擾錯誤)。
7. 其他功能
(a) 簇總數設置功能
可定制分配給數據區的邏輯塊數量。例如,可通過(guò)減少數據區邏輯塊的數量來(lái)提高閃
存的可寫(xiě)入次數。反之,如果應用不需要長(cháng)壽命,可通過(guò)增加數據區邏輯塊的數量來(lái)
加大存儲容量??蓪HS設為任何值,以便于將其引入現有系統。
(b) 保護(密碼)功能
采用ATA標準保護功能,用戶(hù)可設置和取消密碼以保護重要數據。
(c) SMART命令支持
可通過(guò)SMART命令確定所有內存塊的數據寫(xiě)入(和擦除)次數,以便于確定NAND閃存狀
態(tài)和相關(guān)管理。
8. 解決方案支持
TDK自2000年開(kāi)始自主研發(fā)和銷(xiāo)售GBDriver系列NAND閃存控制器IC,并依托其先進(jìn)技術(shù)
為日本和國外客戶(hù)提供全面技術(shù)支持,包括派遣FAE——現場(chǎng)應用工程師(Field
Application Engineer)和實(shí)施可靠性監控工作,以滿(mǎn)足嵌入式系統市場(chǎng)在此方面的
強烈需求。
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