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v-nand閃存 文章 進(jìn)入v-nand閃存技術(shù)社區
三星、SK海力士將在2025Q1減產(chǎn)：NAND閃存產(chǎn)量至少削減10%
- 2月13日消息，據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產(chǎn)計劃。其中三星在去年末已經(jīng)決定削減西安工廠(chǎng)的NAND閃存產(chǎn)量，減少10%以上，另外還調低了韓國華城12號和17號生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)量，以進(jìn)一步降低整體產(chǎn)量。當前，存儲器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀(guān)態(tài)度。長(cháng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層NAND閃存
- 2024年11月21日，SK海力士宣布，開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存。SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應于市場(chǎng)，此次又率先推出了超過(guò)300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計劃從明年上半年起向客戶(hù)提供321層產(chǎn)品，由此應對市場(chǎng)需求?！惫驹诖舜萎a(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug*”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進(jìn)行通孔工藝流程，隨后經(jīng)
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美光宣布量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品
- 美光科技股份有限公司近日宣布，其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的?SSD?產(chǎn)品已開(kāi)始出貨，成為業(yè)界首家實(shí)現這一里程碑的廠(chǎng)商之一。美光?G9 NAND?技術(shù)具備高達?3.6 GB/s?的數據傳輸速率，提供卓越的數據讀寫(xiě)帶寬。該項?NAND?新技術(shù)為人工智能（AI）及其他數據密集型應用場(chǎng)景帶來(lái)出色的性能，適用于個(gè)人設備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數據中心。美光技術(shù)和產(chǎn)品執行副總裁?Scott DeBoer?表
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鎧俠提升 NAND 閃存產(chǎn)能利用率，群聯(lián) CEO 潘建成樂(lè )見(jiàn)原廠(chǎng)增產(chǎn)
- IT之家 3 月 5 日消息，據臺媒《經(jīng)濟日報》報道，在鎧俠提升 NAND 產(chǎn)能的消息傳出后，兩家下游廠(chǎng)商群聯(lián)和威剛的高管分別就此表達自身看法。根據之前報道，鎧俠表示將重新審視 NAND 閃存減產(chǎn)策略，本月內將開(kāi)工率提升至 90%。群聯(lián)執行長(cháng)（CEO）潘建成表示群聯(lián)目前仍處于缺貨狀態(tài)，如果 NAND 閃存原廠(chǎng)可以合理價(jià)格提供穩定供貨，對群聯(lián)算是好事。此外原廠(chǎng)擴產(chǎn)可幫助 NAND 市場(chǎng)恢復秩序：閃存價(jià)格若持續上漲將影響下游廠(chǎng)商需求，而原廠(chǎng)產(chǎn)能提升可平抑價(jià)格。對各下游廠(chǎng)商而言，現有的低價(jià) NAND
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三星計劃明年初量產(chǎn)超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱(chēng)層數業(yè)內最多
- IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應商，對其 V-NAND（即三星稱(chēng)之為的 3D NAND）的發(fā)展有著(zhù)宏大的計劃，本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí)，其正在按計劃生產(chǎn)擁有超過(guò) 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內層數最多的 3D NAND?！暗诰糯?V-NAND 基于雙層結構，層數達到業(yè)界最高水平，明年初將開(kāi)始量產(chǎn)?！比请娮涌偛眉娲鎯ζ魇聵I(yè)部負責人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫(xiě)道。IT之家注意到，8 月份就有消息稱(chēng)，三
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SK海力士接盤(pán)英特爾閃存 韓廠(chǎng)商占存儲芯片半壁江山
- 半導體并購再起 2020年以來(lái)，半導體的重磅收購不斷，10月20日，SK海力士和英特爾官宣，SK海力士將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件和晶圓業(yè)務(wù)、以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠(chǎng)，不過(guò)，英特爾將保留傲騰(Optane)的存儲業(yè)務(wù)?！ K海力士在聲明中表示，SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后，SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對價(jià)從英特爾收購NAND SSD（固態(tài)硬盤(pán)）業(yè)務(wù)(包括NAND
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長(cháng)江存儲今年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存
- 紫光集團旗下的長(cháng)江存儲YMTC是國內三大存儲芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會(huì )（CITE2019）上展示了企業(yè)級P8260硬盤(pán)，使用的就是長(cháng)江存儲的32層3D NAND閃存。長(cháng)江存儲并不打算大規模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，該公司CTO程衛華在接受采訪(fǎng)時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，目前計劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何障礙。
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簡(jiǎn)析：固態(tài)硬盤(pán)（SSD）相關(guān)概念
- 簡(jiǎn)析：固態(tài)硬盤(pán)（SSD）相關(guān)概念-目前閃存在企業(yè)級應用也越來(lái)越多，包括混合閃存陣列以及全閃存陣列全面上市，而且Gartner機構預測，未來(lái)幾年閃存會(huì )有很大的發(fā)展。這里提的閃存概念是SSD概念，即固態(tài)硬盤(pán)，而固態(tài)硬盤(pán)是由多個(gè)NAND閃存芯片組成的。采用FLASH芯片作為存儲介質(zhì)，這也是我們通常所說(shuō)的SSD。這種SSD 固態(tài)硬盤(pán)最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以移動(dòng)，而且數據保護不受電源控制，能適應于各種環(huán)境。
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三星業(yè)內首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
- 全球先進(jìn)半導體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)，我們相信3bit V-NAND將會(huì )加快數據存儲設備從傳統硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化，將加強三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?！? 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存
- 全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結構的“32層三維V-NAND閃存”。 三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲單元的設計難度更高，但是因為可以直接使用生產(chǎn)第一代V-NAND閃存的設備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。 除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤(pán)系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數據中心推
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追夢(mèng)中國集成電路
- 《中國電子報—電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)》自6月初開(kāi)始發(fā)表了《中國IC業(yè)十大“芯”結求解述評》系列文章，到7月底已連續發(fā)了7篇。
- 關(guān)鍵字： IC產(chǎn)業(yè) DRAM NAND閃存 201309
v-nand閃存介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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