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st 2110 文章 進(jìn)入st 2110技術(shù)社區
Software République啟動(dòng)創(chuàng )業(yè)孵化器計劃,加快可持續安全智能出行發(fā)展
- 近日,Atos、達索系統(Dassault Systèmes)、Orange、雷諾集團 (Renault Group)、意法半導體和泰雷茲(Thale)聯(lián)合啟動(dòng)Software République 孵化器——一個(gè)面向可持續安全智能出行的開(kāi)放式創(chuàng )新生態(tài)系統。此次啟動(dòng)儀式是在巴黎 Village by CA公司舉行,聚集了Software République 創(chuàng )始成員公司以及孵化器的第一批初創(chuàng )公司的代表?!? ?Atos、達索系統、Orange、雷諾集團、意法半導體和泰雷茲于 3 月
- 關(guān)鍵字: ST 創(chuàng )新生態(tài)系統
ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

- 電源與能源管理對人類(lèi)社會(huì )未來(lái)的永續發(fā)展至關(guān)重要。意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長(cháng),我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車(chē)和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來(lái)說(shuō),如果能將電力利用效率提升1%,就能節省95.
- 關(guān)鍵字: ST GaN SiC
意法半導體ST-KNX家庭樓宇自動(dòng)化芯片組

- 物聯(lián)網(wǎng)、傳感器和人工智能讓建筑變得越來(lái)越智能,這些技術(shù)融合為人們簡(jiǎn)化日常生活帶來(lái)新的機會(huì )。隨著(zhù)對便利性、靈活性和用戶(hù)友好性的需求不斷增長(cháng),有線(xiàn)或無(wú)線(xiàn)傳感器/執行器網(wǎng)絡(luò )變得越來(lái)越重要。此外,樓宇控制自動(dòng)化還能提高建筑的能源效率和信息技術(shù)安全性。KNX 成為全球樓宇通信和自動(dòng)化標準已經(jīng)有很多年了。該標準最早可以追溯到 1990 年的EIB(歐洲安裝總線(xiàn))。在與 BATIBUS(法國)和歐洲家庭系統協(xié)會(huì )(荷蘭)等標準合并后,KNX 協(xié)會(huì )于 2006 年成立。通過(guò) KNX分布式總線(xiàn)系統,不同廠(chǎng)商的KNX 認證產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: ST ST-KNX 樓宇自動(dòng)化
ST推出50萬(wàn)像素ToF傳感器 強化智能型手機3D深度成像

- 意法半導體(ST) 推出新系列高分辨率飛行時(shí)間測距(ToF)傳感器,為智能型手機等裝置帶來(lái)先進(jìn)的3D深度成像功能。 意法半導體推出新系列高分辨率ToF傳感器新3D系列的首款產(chǎn)品是VD55H1,能感測超過(guò)50萬(wàn)個(gè)點(diǎn)的距離信息進(jìn)行3D成像??蓚蓽y距離傳感器5公尺范圍內的物體,透過(guò)圖案結構照明系統甚至可以偵測到更遠的物體。VD55H1可解決AR/VR新興市場(chǎng)的使用情境問(wèn)題,包括房間影像、游戲和3D具體化身。在智能型手機中,新傳感器可以加強相機系統的功能,包括景深散景效果、多相機選擇和影像分割。更高分辨
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意大利和法國:歐洲投資銀行向意法半導體提供6億歐元貸款,加強歐洲半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)力
- ●? ?這筆貸款旨在為全球排名前列的半導體企業(yè)研發(fā)(R&D)活動(dòng)和創(chuàng )新生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)提供資金●? ?這筆資金符合歐盟及成員國加強歐洲半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)力的發(fā)展政策●? ?這筆資金還有助于歐洲半導體行業(yè)實(shí)現技術(shù)自主的戰略目標歐洲投資銀行 (EIB)為意法半導體提供巨資支持:為該半導體集團在歐洲的研發(fā) (R&D) 和產(chǎn)前活動(dòng)提供 6 億歐元貸款。這筆融資業(yè)務(wù)涉及對創(chuàng )新技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)活動(dòng)以及先進(jìn)半導體試制生產(chǎn)線(xiàn)的投資。這筆投資將投放到意法半導體在意
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意法半導體先進(jìn)的MEMS傳感器助您開(kāi)啟Onlife時(shí)代

- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日推出其第三代MEMS傳感器。新一代傳感器助力消費類(lèi)移動(dòng)產(chǎn)品、智能工業(yè)、智能醫療和智能零售產(chǎn)品實(shí)現性能和功能新飛躍。MEMS 技術(shù)實(shí)現是穩健可靠的芯片級運動(dòng)和環(huán)境傳感器的基礎技術(shù),今天的智能手機和可穿戴設備依靠MEMS傳感器實(shí)現直觀(guān)的環(huán)境感知功能?,F在,意法半導體新一代 MEMS 傳感器將性能提升到了一個(gè)新的水平,輸出數據準確度和功耗都突破了現有技術(shù)限制。新傳感器可讓活動(dòng)檢測、室內導航、精密工業(yè)感測
- 關(guān)鍵字: ST MEMS 傳感器
躋身第三代半導體市場(chǎng) ST助力全球碳中和

- 隨著(zhù)第三代半導體的工藝越來(lái)越成熟和穩定,應用在工業(yè)和電動(dòng)汽車(chē)上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者,意法半導體同樣重視第三代半導體帶來(lái)的優(yōu)勢作用,推出了有關(guān)氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產(chǎn)品,有力地推動(dòng)了第三代半導體在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開(kāi)媒體交流會(huì ),介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下,如何通過(guò)創(chuàng )新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列,為世界控制碳排放做出貢獻?! {查,工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%,就能節約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著(zhù)節約了
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用于檢測裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補性測量技術(shù)

- 就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言,半導體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對芯片有害,所以應避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問(wèn)題的經(jīng)驗,介紹如何使用互補性測量方法檢測裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問(wèn)題根源,解釋從多個(gè)不同的檢測方法中選擇適合方法的難度,以及用壽命測量技術(shù)檢測污染物對熱處理的依賴(lài)性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問(wèn)題,將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴散,又稱(chēng)為快速擴散物質(zhì)[1],它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開(kāi)始擴散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染,
- 關(guān)鍵字: 裸硅圓芯片 金屬污染物 互補性測量 ST
導入NFC卷標功能實(shí)作 全球連網(wǎng)香水首見(jiàn)現身

- Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水,噴頭內裝有ST25TV02K近場(chǎng)通信(NFC)標簽,讓Paco Rabanne可為顧客提供獨特功能。運作機制其實(shí)很簡(jiǎn)單:使用者將手機靠近瓶身,就會(huì )跳出通知并傳送一個(gè)連結網(wǎng)址。瓶身做成機器人形狀,有如顧客進(jìn)入香水世界及相關(guān)服務(wù)的門(mén)戶(hù)。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表,里面有特定日期或月份的排行榜暢銷(xiāo)歌曲。舉例來(lái)說(shuō),顧客可以找出歷年來(lái)自己生日時(shí)所有流行曲目。該公司還提供一款機器人形狀的IG貼紙,為自拍增添天馬行空的創(chuàng )意。Paco Rabanne已在8月時(shí)全球
- 關(guān)鍵字: NFC 連網(wǎng)香水 ST 香水
適用于電池供電設備的熱感知高功率高壓板

- 電池供電馬達控制方案為設計人員帶來(lái)多項挑戰,例如,優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時(shí);但現在,應用設計人員可利用現代化電熱仿真器輕松縮短上市時(shí)間。如今,電池供電馬達驅動(dòng)解決方案通??捎脴O低的工作電壓提供數百瓦的功率。在此類(lèi)應用中,為確保整個(gè)系統的效能和可靠性,必須正確管理馬達驅動(dòng)設備的電流。事實(shí)上,馬達電流可能會(huì )超過(guò)數十安培,導致變流器內部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會(huì )導致運作溫度升高,效能下降,如果超過(guò)最額定功率,甚至會(huì )突然停止運作。優(yōu)化熱效能同時(shí)縮小大小,是變流器設計過(guò)程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作 簡(jiǎn)化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機方案部署

- 意法半導體(ST)與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議,讓STM32微控制器(MCU)開(kāi)發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案,簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設備部署。該協(xié)議可協(xié)助開(kāi)發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰,包含裝置設計研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò )安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機,以加速產(chǎn)品上市。意法半導體部門(mén)副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST:以可持續方式為世界創(chuàng )新技術(shù)

- ST以可持續方式為可持續世界創(chuàng )造技術(shù),實(shí)際上,這并不是新鮮事,ST自1987 年成立時(shí)就開(kāi)始這樣做了。這個(gè)理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年,ST的創(chuàng )新技術(shù)讓客戶(hù)能夠因應各種環(huán)境和社會(huì )挑戰。 意法半導體集團副總裁暨可持續發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX現今,新冠疫情還在世界各處肆虐,為加速推動(dòng)各種可持續發(fā)展行動(dòng)創(chuàng )造了條件,CTIMES特別訪(fǎng)問(wèn)了意法半導體集團副總裁暨可持續發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX,了解該公司可持續發(fā)展的策略。Jean-Louis指出,對
- 關(guān)鍵字: ST 可持續發(fā)展 碳中和
Rosenberger與ST合作 開(kāi)發(fā)獨特60GHz高速非接觸式連接器

- 意法半導體(STMicroelectronics)和Rosenberger合作,開(kāi)發(fā)非接觸式連接器,用于工業(yè)和醫療設備的超可靠近距離點(diǎn)對點(diǎn)全雙工數據交換。 Rosenberger創(chuàng )新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數據,不受連接器的移動(dòng)、震動(dòng)、旋轉和污物(濕氣和灰塵)之影響,若為傳統的插銷(xiāo)與插座則可能導致聯(lián)機故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍牙低功耗和高數據傳輸速率,打造出不再受線(xiàn)纜羈絆的新型醫療和工業(yè)應用。Rosenberg
- 關(guān)鍵字: Rosenberger ST 60GHz 高速非接觸 連接器
ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節

- 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里,產(chǎn)業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預測,GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這
- 關(guān)鍵字: ST Exagan GaN
為技術(shù)找到核心 多元化半導體持續創(chuàng )新

- 觀(guān)察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢,可以從新的半導體技術(shù)來(lái)著(zhù)眼?;旧习雽w技術(shù)可以分為三大類(lèi),第一類(lèi)是獨立電子、計算機和通訊技術(shù),基礎技術(shù)是CMOS FinFET。在今天,最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程,其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術(shù),逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng )新必須能轉化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道,目前三星、臺積電和英特爾等主要廠(chǎng)商與IBM 合作,正在開(kāi)發(fā)下一代3/2奈米,在那里我們會(huì )看到一種新的突破,因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
- 關(guān)鍵字: CMOS FinFET ST
st 2110介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條st 2110!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對st 2110的理解,并與今后在此搜索st 2110的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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