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三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠(chǎng)24日下午停電約1小時(shí),雖然三星官方指出影響不大,但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當緊張,甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊,三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現供貨排擠效應。 三星器興廠(chǎng)發(fā)生停電意外,在啟動(dòng)不斷電系統 (UPS)后,1小時(shí)內便恢復運作,估計此事件對公司營(yíng)運影響不大。 存儲器業(yè)者指出,這次三星受影響廠(chǎng)區
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
中芯國際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺灣廠(chǎng)商受惠
- 上海芯片代工廠(chǎng)中芯國際自新任CEO王寧國掌權后,包括中芯本身、武漢廠(chǎng)新芯、成都廠(chǎng)成芯等可掌控產(chǎn)能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能,成為國內消費性電子產(chǎn)品及家電市場(chǎng)SDRAM最大供應商,此次停產(chǎn)后導致市場(chǎng)供貨短缺效應逐步發(fā)酵,128Mb及256Mb x32規格SDRAM現貨價(jià)近日飆出新天價(jià),臺灣地區SDRAM供應商受惠最大。 中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬(wàn)片8吋芯片規模,在大陸消費性電子及家電市場(chǎng),擁有超過(guò)30%的市場(chǎng)占有率,
- 關(guān)鍵字: 中芯國際 芯片代工 SDRAM
MIPS為MIPS-Based數字電視平臺優(yōu)化Yahoo! TV Widgets
- MIPS 宣布為 MIPS-Based™ 數字家庭設備集成優(yōu)化的Yahoo!Widget引擎。MIPS科技將為運行Yahoo!Widget引擎的數字電視和機頂盒應用開(kāi)發(fā)優(yōu)化參考平臺。利用該參考實(shí)現平臺,MIPSTM 的授權廠(chǎng)商將能迅速開(kāi)發(fā)出集成Yahoo!TV Widget的設備。通過(guò)專(zhuān)門(mén)針對電視觀(guān)眾需求創(chuàng )建的應用,Yahoo!TV Widgets可將備受歡迎的因特網(wǎng)服務(wù)和在線(xiàn)媒體提供給更多觀(guān)眾。 MIPS科技營(yíng)銷(xiāo)副總裁Art Swift表示:“這是我們承諾提供全面解決方
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Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過(guò)Intel驗證

- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認證,Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品,另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過(guò)驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片,4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條),驗證時(shí)的運行頻率為1333MHz,芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱(chēng)
- 關(guān)鍵字: Hynix 40nm SDRAM 50nm
實(shí)時(shí)視頻采集系統的SDRAM控制器設計

- 描述了一種在PAL→VGA的實(shí)時(shí)視頻采集系統中圖像數據處理的方法。針對實(shí)時(shí)視頻采集系統一般使用2片SDRAM進(jìn)行乒乓緩存的方式,給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進(jìn)行乒乓操作的相對容易實(shí)現的SDRAM控制器設計方法。該方法通過(guò)充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計數的方式進(jìn)行讀寫(xiě)狀態(tài)轉換,在PAL→VGA實(shí)時(shí)視頻采集系統中實(shí)現了利用一片SDRAM進(jìn)行圖像緩存。它在實(shí)時(shí)視頻采集系統中圖像數據處理方面,具有良好的應用價(jià)值。
- 關(guān)鍵字: 控制器 設計 SDRAM 系統 視頻 采集 實(shí)時(shí)
爾必達宣布40nm制程2Gb DDR3內存芯片開(kāi)發(fā)完成
- 爾必達公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內存芯片的研發(fā)工作,今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段,年底前則可實(shí)現正式批量供貨。據爾必達公司表示,這種新芯片的面積更小,總體良品率 方面也比過(guò)去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%,而1.6Gbps數據傳輸率的產(chǎn)品良率更可達100%。 比較舊有的50nm制程產(chǎn)品,新40nm 2Gb DDR3內存驅動(dòng)電流只有前者的2/3左右,支持1.2V/1.35V的較低工作電壓,同時(shí)也可以在DDR3標準的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
- 關(guān)鍵字: 爾必達 40nm SDRAM 內存芯片
Atmel與創(chuàng )意電子合作開(kāi)發(fā)系統單芯片
- Atmel與全球設計服務(wù)領(lǐng)導廠(chǎng)商創(chuàng )意電子今日宣布共同合作開(kāi)發(fā)以Atmel ARMR-based的 AT91CAP為開(kāi)發(fā)平臺的可客制化微處理器SOC (系統單芯片, systems-on-chip)。根據合作協(xié)議,創(chuàng )意電子將會(huì )支援客戶(hù)轉譯他們的設計到CAP™上金屬可編程(metal-programmable)部分的邏輯網(wǎng)表(netlist)。在最終被送到Atmel做布局布線(xiàn)(place & route)和金屬編程(metal programming)之前,邏輯網(wǎng)表會(huì )預先在CAP 模擬
- 關(guān)鍵字: Atmel SOC ARMR-based AT91CAP CAP
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