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基于ST第五代高精度定位芯片的車(chē)載定位P-BOX方案
- 目前，汽車(chē)導航定位主要采用衛慣組合導航系統，即全球衛星導航系統(GNSS)和慣性導航系統(INS)。全球衛星導航系統用于實(shí)現絕對定位，而慣性導航系統用于實(shí)現相對定位，兩者相結合才可以實(shí)現穩定、可靠的高精度定位。ST最新的高精度定位解決方案P-BOX是ST汽車(chē)級芯片組全面解決方案，可以支持多頻段GNSS信號接收、Rawdata原始觀(guān)測值輸出、IMU慣性導航等。?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)勢1. 功能安全兼容：第一個(gè)功能安全的ASIL-B P-box應用設計與ST整體解決方案(STA910
- 關(guān)鍵字： ST 高精度定位 車(chē)載定位 P-BOX
德承搶先發(fā)表12代Alder Lake-P平臺高效能平板電腦,引領(lǐng)效能新標準
- 強固型嵌入式電腦品牌 – cincoze德承推出Display Computing – CRYSTAL產(chǎn)品線(xiàn)高性能平板電腦系列(P2202+CV/CS/CO Series)，其亮點(diǎn)在于搭載了Intel Alder Lake-P (U-Series)處理器，提供目前市面少有的優(yōu)異運算效能外，透過(guò)德承獨家的CDS技術(shù)，可以根據不同的需求，應用于廣泛的工業(yè)場(chǎng)景，戶(hù)外高溫陽(yáng)光直射環(huán)境或是需要于設備機臺整合等，勢將成為人機界面應用的理想選擇。外型輕薄，效能強勁P2202系列包含了標準機型P2202以及具有PCIe擴
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
如何組合使用低通濾波器和ADC驅動(dòng)器獲取20V p-p信號
- 問(wèn)題：為何要組合使用低通濾波器(LPF)和模數轉換器(ADC)驅動(dòng)器？?答案：為了減小模擬信號鏈的尺寸，降低其成本，并提供ADC抗混疊保護（ADC采樣頻率周?chē)l段中的ADC輸入信號不受數字濾波器保護，必須由模擬低通濾波器(LPF)進(jìn)行衰減）。20 V p-p LPF驅動(dòng)器一般用于工業(yè)、科技和醫療(ISM)設備中，該設備必須使用具有更低滿(mǎn)量程輸入的高速ADC對傳統的20 V p-p信號范圍進(jìn)行數字化處理。?簡(jiǎn)介通過(guò)驅動(dòng)ADC實(shí)現優(yōu)化的混合信號性能，這是一大設計挑戰。圖1所示為標準的驅動(dòng)器
- 關(guān)鍵字： 低通濾波器 ADC p-p信號
基于PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P 的Standby Power方案
- Power Integrations，近日推出LinkSwitc-TN2 系列 IC，此系列適用于非隔離離線(xiàn)式電源供應器，且應屬高度整合(內建Mosfet與控制器)，可大幅提高效能與節省空間，相較于傳統線(xiàn)性或電容式降壓器更具優(yōu)勢。所有裝置中內建的半導體，除了以往傳統的耐壓為725V外，更是推出了高達耐壓900V的MOSFET，使得設計與應用方面更為彈性，其控制器也包含了振蕩器、于輕負載時(shí)實(shí)現最高效率的開(kāi)/關(guān)控制、自偏壓的高電壓切換電流源、頻率抖動(dòng)(Jitter)、current limit(可調整)、磁滯
- 關(guān)鍵字： PI LinkSwitch-TN2 LNK3294G/P
持續健康增長(cháng)，DR&P未來(lái)五年仍將保持13.7%的年復合增長(cháng)率
- 北京 2022年11月3日——IDC于近日發(fā)布《中國數據復制與保護系統市場(chǎng)季度跟蹤報告，2022上半年》。報告顯示，2022上半年，數據復制與保護市場(chǎng)較去年同期實(shí)現了9.8%的增長(cháng)，市場(chǎng)規模達到2.7億美元。IDC預測，未來(lái)五年，中國數據復制與保護市場(chǎng)將以13.7%的年復合增長(cháng)率（CAGR）增長(cháng)，在2026年達到12. 6億美元。網(wǎng)絡(luò )安全等級保護2.0的推出和異構環(huán)境帶來(lái)的數據保護問(wèn)題，使得企業(yè)客戶(hù)更加重視數據復制和保護。在數字化浪潮下，數據在推動(dòng)信息滲透、跨界融合領(lǐng)域展現著(zhù)極為重要的地位，成為企業(yè)數字產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： DR&P IDC
UnitedSiC(現已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線(xiàn)架構，這種架構常見(jiàn)于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
- 關(guān)鍵字： Mentor P Qorvo SiC FET
貿澤電子與Fortebit簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 專(zhuān)注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng )新的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布與 Fortebit 簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議。該公司設計并制造高質(zhì)量、高性?xún)r(jià)比的解決方案，用于嵌入式語(yǔ)音識別、語(yǔ)音播放功能和位置服務(wù)。簽署此項協(xié)議后，貿澤分銷(xiāo)的 Fortebit產(chǎn)品線(xiàn) 包含EasyVR 3 Plus語(yǔ)音識別器件和Polaris汽車(chē)物聯(lián)網(wǎng)平臺等產(chǎn)品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
- 關(guān)鍵字： SD SV SI
Bourns推出聚合物溫度保護器（P-TCO）系列產(chǎn)品，充分保護USB-C電纜線(xiàn)且避免受熱失控影響
- 2019年3月19日 - 美國柏恩Bourns全球知名電子組件領(lǐng)導制造供貨商，今天推出了新系列的聚合物溫度保護器(P-TCO)，其特色在于保護USB-C電纜線(xiàn)避免受破壞性和潛在危險的熱失控事件影響。Bourns新型P-TCO系列提供適用于USB 3.2、3.1、3.0和2.0以及其他類(lèi)型數據/充電電纜線(xiàn)的USB C-C、C-B和C-A連接器配置優(yōu)化的過(guò)溫保護解決方案?！ ourns? P-TCO-U與P-TCO-N系列 USB Type-C連接器能夠提供高達100W的功率，具有24個(gè)引
- 關(guān)鍵字： Bourns P-TCO
2017年TDDI出貨量估成長(cháng)191% a-Si規格成新藍海
- DIGITIMESResearch觀(guān)察觸控與顯示驅動(dòng)整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市場(chǎng)發(fā)展，由于增加HybridIn-Cell型態(tài)產(chǎn)品，以及面板業(yè)者導入TDDI動(dòng)機提升等因素帶動(dòng)，2017年全球TDDI出貨量將較2016年成長(cháng)191%，其中，臺系業(yè)者市占率將達近4成，從過(guò)去由新思(Synaptics)一家獨大局面中突圍。 TDDI芯片又稱(chēng)IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中華區智能型手
- 關(guān)鍵字： a-Si TDDI
一種新型的寬帶方向圖可重構天線(xiàn)
- 本文介紹了一款新穎的PRA(Pattern Reconfigurable Antenna)。天線(xiàn)輻射單元主要由三部分組成：包括矩形驅動(dòng)貼片，兩個(gè)對稱(chēng)的開(kāi)了CRS(Cross Ring Slot)的半圓形寄生單元以及地平面。兩組p-i-n二極管分別放置在十字形環(huán)縫隙上，通過(guò)這兩組p-i-n二極管電開(kāi)關(guān)將它們連接起來(lái)，從而可以實(shí)現輻射方向圖可調。仿真結果表明，天線(xiàn)在4.29GHz~4.87GHz頻率范圍內S11<-10dB，阻抗帶寬大于500MHz，具備良好的寬帶特性。并且具有三種輻射方向圖，可以通過(guò)p-i-
- 關(guān)鍵字： CRS 方向圖可調 寬帶 p-i-n二極管 201701
P-NET現場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)的結構、系統特點(diǎn)、運行模式及應用
- 1引言P-NET現場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)由丹麥Proces-DataA／S公司研究并開(kāi)發(fā)，是一種全世界通用的開(kāi)放型標準化總線(xiàn)。它可以將生產(chǎn)過(guò)程的各個(gè)部分，
- 關(guān)鍵字： P-NET現場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)系統特點(diǎn)運行模
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