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Nexperia優(yōu)化齊納二極管產(chǎn)品組合，以解決過(guò)沖和噪聲現象
- Nexperia今日宣布對其豐富的齊納二極管產(chǎn)品組合進(jìn)行兩項優(yōu)化，以消除不良的過(guò)沖和噪聲行為，這在齊納技術(shù)領(lǐng)域是重大進(jìn)步。首先，新型50 μA齊納系列二極管推出B-selection (Vz +/-2%)，Vz范圍從1.8 V到51 V，提供標準版和汽車(chē)版。這使得它們非常適合汽車(chē)應用，例如電動(dòng)汽車(chē)(EV)的車(chē)載充電器，以及廣泛的工業(yè)和消費應用，例如通用計算單元、電池管理系統、設備充電器和智能手表。 Nexperia的全新50 μA器件系列目前即使在高電壓（高達75 V）下也能提供完整的齊納功能。它們的設計
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Nexperia擴展功率器件產(chǎn)品組合，新增標準和車(chē)規級理想二極管
- Nexperia宣布為其持續擴展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標準工業(yè)和消費應用，而NID5100-Q100已獲得認證，可用于汽車(chē)應用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎，擁有比傳統二極管更低的正向壓降，非常適合用來(lái)替換系統中的標準二極管，進(jìn)而滿(mǎn)足相關(guān)的超高能效要求。NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT363-2有引腳塑料封裝，尺寸僅為2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二極管的電氣性能出色，能為
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Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門(mén)功率BJT
- Nexperia近日宣布其廣受歡迎的功率雙極結型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標準產(chǎn)品和十款汽車(chē)級產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場(chǎng)領(lǐng)先供應商的地位。通過(guò)此次發(fā)布，Nexperia通過(guò)DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿(mǎn)足設計人員對節省空間和能源的封裝的需求，以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。與有引腳的器件相比，DFN2020D-3封裝器件可顯著(zhù)節省電路
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設計靈活性
- Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其N(xiāo)extPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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Nexperia的650 V兩種超快速恢復整流二極管采用D2PAK真雙引腳封裝，具備高效率和高可靠性
- Nexperia今天推出了采用D2?PAK真雙引腳?(R2P)?封裝的650V兩種超快速恢復整流二極管，可用于各種工業(yè)和消費應用，包括充電適配器、光伏?(PV)、逆變器、服務(wù)器和開(kāi)關(guān)模式電源?(SMPS)。這些整流二極管結合了平面芯片技術(shù)和最先進(jìn)的結高壓終端?(JTE)?設計，具有高功率密度、快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、軟恢復能力和出色的可靠性。它們采用D2PAK真雙引腳封裝?(SOT8018)，封裝尺寸與標準D2PAK封裝相同，但只有兩個(gè)
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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi和Nexperia產(chǎn)品的4.5W非隔離輔助電源方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP10672BD060R2G PWM控制器和安世（Nexperia）PNU65010EP快速恢復二極管的4.5W非隔離輔助電源方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi和Nexperia產(chǎn)品的4.5W非隔離輔助電源方案的展示板圖隨著(zhù)電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，小型家電在日常生活中的應用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化。在這些家電應用中，輔助電源的設計尤為重要。其既要滿(mǎn)足低功耗、高效率的運行需求，以降低能源消耗，又要確保設備
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Nexperia將在漢堡投資2億美元
- 半導體制造商Nexperia近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠(chǎng)建立生產(chǎn)基礎設施。同時(shí)，晶圓廠(chǎng)的硅(Si)二極管和晶體管產(chǎn)能將會(huì )增加。此項投資是在該工廠(chǎng)成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟部長(cháng)Melanie Leonhard博士共同宣布的。為了滿(mǎn)足對高效功率半導體日益增長(cháng)的長(cháng)期需求，Nexperia將從2024年6月開(kāi)始在德國研發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)。這一舉措充分展現了Nexperia對電氣化和數
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Nexperia的650 V SiC二極管產(chǎn)品組合現可滿(mǎn)足汽車(chē)和更廣泛的工業(yè)應用需求
- Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現已符合汽車(chē)標準(PSC1065H-Q)，并采用真雙引腳(R2P) DPAK (TO-252-2)封裝，適用于電動(dòng)汽車(chē)和其他汽車(chē)中的多種應用。此外，為了進(jìn)一步擴展其SiC二極管產(chǎn)品組合，Nexperia現還提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封裝的額定電流為6 A、16 A和20 A的工業(yè)級器件，以提高設計靈活性。這些二極管解決了要求高電壓和高電流的應用的挑戰，包括開(kāi)關(guān)電源、AC-DC和DC-DC轉換器
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
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Nexperia公布2023年財務(wù)業(yè)績(jì)
- Nexperia近日宣布了2023年的財務(wù)業(yè)績(jì)，包括其關(guān)鍵汽車(chē)細分市場(chǎng)的強勁增長(cháng)以及研發(fā)投資的增加。Nexperia的總收入為21.5億美元（2022年為23.6億美元），其財務(wù)業(yè)績(jì)也反映出這一年半導體行業(yè)充滿(mǎn)了挑戰。盡管收入略有下降，市場(chǎng)需求疲軟，但強勁的傳統汽車(chē)細分市場(chǎng)的產(chǎn)品收入大幅增長(cháng)。2023年，Nexperia從多方面高度關(guān)注綠色能源轉型。首先，公司發(fā)布了首份ESG報告，鞏固了其對環(huán)境、社會(huì )和治理（ESG）原則的專(zhuān)注。另一個(gè)里程碑是Nexperia獲得了其首筆8億美元的高級可持續性關(guān)聯(lián)貸款（SL
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貿澤開(kāi)售Nexperia NEX1000xUB電源IC
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售Nexperia的NEX1000xUB電源IC。這些新型、省空間、可編程、高效率的雙輸出LCD偏壓電源專(zhuān)為空間受限的應用而設計，可延長(cháng)智能手機、平板電腦、虛擬現實(shí) (VR) 頭顯設備和LCD模塊的電池續航時(shí)間與視頻顯示壽命。貿澤供應的Nexperia NEX1000xUB電源IC結合了LDO穩壓器、集成式升壓轉換器和集成了有源輸出放電功能的負電荷泵，采用小于標準晶圓級封裝，尺寸為1.16m
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Nexperia推出能量平衡計算器，幫助能量采集以及進(jìn)一步延長(cháng)電池壽命
- Nexperia今天宣布推出能量平衡計算器。這是一款功能強大的網(wǎng)絡(luò )工具，旨在幫助電池管理工程師最大限度地延長(cháng)其應用的電池壽命或實(shí)現無(wú)電池應用。該計算器為工程師提供精確的數據，幫助他們做出明智的決策，以便將Nexperia的能量采集PMIC集成到其系統中。Nexperia能量采集PMIC的核心是最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)算法，可幫助各種消費電子產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)設備從環(huán)境中高效采集能量。為了充分利用這些PMIC的潛力，計算器使用實(shí)際技術(shù)參數。它計算傳遞給負載的能量和能量補償。因此，可以深入了解潛在的電池壽命延長(cháng)或
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Nexperia推出新一代低壓模擬開(kāi)關(guān) 簡(jiǎn)化汽車(chē)和工業(yè)系統設計
- 奈梅亨，2024年3月5日：全球基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全新的專(zhuān)用于監測和保護1.8 V電子系統的4通道和8通道模擬開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品。該系列多路復用器包含適用于汽車(chē)應用的AEC-Q100認證型號，以及適用于更廣泛的消費類(lèi)和工業(yè)應用的標準版本，例如用于傳感器監測與診斷、企業(yè)計算以及家用電器等場(chǎng)景。在使用模擬開(kāi)關(guān)時(shí)，由于控制電路的電壓與模擬開(kāi)關(guān)的電源電壓不匹配，設計人員通常需要額外采用電平轉換器。相比之下，NMUX1308和NMUX1309開(kāi)關(guān)中的控制引腳可以不受其供電電壓范
- 關(guān)鍵字： Nexperia 低壓模擬開(kāi)關(guān) 模擬開(kāi)關(guān)
Nexperia在A(yíng)PEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng )新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護。單個(gè)PCB上有多達96
- 關(guān)鍵字： Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
Nexperia現可提供采用節省空間的CFP3-HP汽車(chē)平面肖特基二極管
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布，現可提供采用CFP3-HP封裝的22種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合包括11種工業(yè)產(chǎn)品以及11種符合AEC-Q101標準的產(chǎn)品。本次產(chǎn)品發(fā)布是為了支持制造商以更小尺寸的CFP封裝器件取代SMx型封裝器件的發(fā)展趨勢，特別是在汽車(chē)應用中。這些二極管適用于DC-DC轉換、續流、反極性保護和OR-ing(打嗝)應用等。為盡可能實(shí)現設計靈活性，該產(chǎn)品組合中的器件選項提供30 V至100 V的反向電壓VR(max)和1 A至3 A的正向電流IF(a
- 關(guān)鍵字： Nexperia CFP3-HP 平面肖特基二極管
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